陈星弼 中国科学院院士，微电子与固体电子学院教授，博士导师
　　

　　男，1931年1月出生于上海，1952年毕业于同济大学，后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。1956年开始在成都电讯工程学院工作。1980年美国俄亥俄州大学作访问学者。1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师。1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长。曾先后被聘为加拿大多伦多大学电器工程系客座教授，英国威尔斯大学天鹅海分校高级客座教授。1999年当选中国科学院院士。
　　

　　陈星弼教授在新型功率（电力电子）器件及其集成电路这一极其重要领域中，做出了一系列重要的贡献与成就。他率先在中国提出立项并作为第一主研完成了VDMOST、IGBT、Offset-Gate MOST、LDMOST、SPIC及RESURF、SIPOS等器件及有关技术。他对垂直型功率器件耐压层及横向型功率器件的表面耐压区唯一地作出了优化设计理论且得到实际应用。对功率器件的另一关键技术——结终端技术——作出了系统的理论分析及最优化设计方法并应用在各种电力电子器件的设计中取得良好的效果。他还提出了斜坡场板这一新结构的理论。他的三项重要发明能使电力电子器件在一个新的台阶上发展。这些发明打破了传统极限理论的约束，使器件的电学性能得到根本性的改进。第一种第二种发明突破了高速功率MOS高压下导通电阻极限理论，得到新的极限关系。第一种发明被Siemens公司实现，98年在国际电子器件会议（旧金山）发表。第二种发明及第三种发明已在国内实验成功。根据第三种发明来制造高压（功率）集成电路中的横向器件，可以在工艺上和常规的CMOS及BiCMOS工艺兼容，使这种电路不仅性能优越，而且成本节省，可立足国内，并正在走向产品开发。他作为唯一（或第一）作者（或主研）已在IEEE等学术刊物发表论文40多篇，出版著作五种（六册），取得美国及中国发明专利权七项，获得国家发明奖及国家科技进步奖二项，省部级奖十三项。圆满完成八五国家自然科学基金重点项目、军事预研项目及国家八五科技攻关重大项目，并获得国家八五科技攻关先进个人，受到江泽民总书记等党和国家领导人接见。 2002年8月获信产部信息产业重大技术发明奖（三项中排第一），2002年8月获（美国3D公司杰出创新技术认可奖）及评价，不但高度评价本项目技术创新的意义，而且高度评价对环保的意义。有四项部级鉴定的新功率器件与功率集成电路均被评为“结构属国际首创”“性能属国际领先”。
　　

　　陈星弼教授是中国电子学会会士、美国IEEE高级会员。多次出访国外进行科技学术交流。他热爱祖国、忠诚党的教育事与科学事业。学识渊搏、治学严谨、工作刻苦。有坚实的基础理论，能及时抓住新方向，很快深入，既能发现问题有能解决问题。1991年起享受国务院特殊津贴，1997年被评为电子部优秀教师，1998年被评为全国优秀教师。四川省学术与技术带头人。