1986年7月在四川大学获得理学学士；于1997年1月在香港大学获得物理学硕士学位；于2000年12月获得香港大学物理学博士学位；于2002年2月去加拿大McMaster大学作为期半年的访问研究。现任四川大学物理学院物理系教授。



本人长期从事半导体材料、核材料和核结构材料的研究，并已经在 Physical Review B, Journal of Applied Physics, Nuclear Instrument and Methods in Physics Research B 等国际著名学术刊物上发表论文40余篇，其中被SCI收录的论文二十余篇。作为项目负责人已申请到国家自然科学基金、国家重点实验室开放基金、国家留学回国人员启动基金和校青年基金等。2006年度获四川大学本科论文优秀指导教师一等奖。2008年被评为校“巾帼建功立业”先进个人。培养毕业研究生近二十人，在读研究生5名，现计划每年招收3-4名研究生。


近年来的主要研究方向是：
1、研究气泡在第一壁材料（如钨）中的演化机制等；
2、研究氦引起储氚材料老化的机制以及对其宏观性能和寿命的影响；
3、用正电子湮没方法研究半导体材料的缺陷特征及其辐照效应等。


发表的主要学术论文：
[1] 王康，邓爱红，刘莉，李悦，周冰，周宇璐，侯氢，王珊玲，“掺氦钛膜中氦泡的演化”，物理学报 (2012) 62(11).
[2] Li Yue, Deng Ai-Hong, Zhou Yu-Lu, Zhou Bing, Wang Kang, Shi Li-Qun, Qin Xiu-Bo, Wang Bao-Yi, “Helium-Related Defect Evolution in Titanium Films by Slow Positron Beam Analysis ”, Chinese Physics Letters (2012) 29(4), 047801.
[3] Zhang Li-Ran, Deng Ai-Hong, Yang Dong-Xu, Zhou Yu-Lu, Hou Qing, Shi Li-Qun, Zhong Ru-Rong, Wang Bao-Yi, “Bias effects on the growth of helium-containing titanium films ”, Chinese Physics Letters (2011) 28(7), 077802-1-4.
[4] A H Deng, Y L Zhou, L R Zhang and Q Hou, “Study of helium evolution in nanocrystalline titanium films by slow positron beam analysis ”,Journal of Physics: Conference Series (2011) 262, 012017-1-4.
[5]周宇璐，李仁顺， 张宝玲，邓爱红，侯氢，“材料中He深度分布演化的Monte Carlo模拟研究”，物理学报 (2011) 60(6), 060702-1-6.
[6] Zhou Yu-Lu, Hou Qing, Wang Jun, Deng Ai-Hong, “Diffusion-growth ofhelium cluster in materials”, Chinese Physics Letters (2009) 26(9), 090202-1-4.
[7] A. H. Deng, P. Master, Y. W. Zhao and L. Y. Lin, “ Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP” , Journal of Applied Physics, 93. 930-932.(2003).
[8] A. H. Deng, Y. Y. Shan, C. D. Beling, and S. Fung, "Application of positron annihilation lifetime technique to the study of deep level transients in semiconductors", Journal of Applied Physics , 91, 3931-3933 (2002).
[9] Y. Y. Shan, A. H. Deng, C. C. Ling , S. Fung, C. D. Beling, Y. W. Zhao, S. Fung, , T. N. Sun, and N. F. Sun , "Positron annihilation study of compensation defects responsible for conduction-type conversions in LEC-grown InP", Journal of Applied Physics, 91,1998 (2002).
[10] C. C. Ling, A. H. Deng, C. D. Beling and S. Fung, "Positron lifetime spectroscopic studies of as grown 6H-silicon carbide", Applied physics A, 70, 33-38(2000).
[11] A. H. Deng, B. K. Panda, S. Fung and C. D. Beling, "Positron lifetime analysis using the matrix inverse Laplace transformation method", Nuclear Instruments and Methods in physics Research, B 140, 3-4, 439-448(1998).
[12] C. D. Beling, A. H. Deng, Y. Y. Shan , Y. W. Zhao, S. Fung, N. F. Sun, T. N. Sun and X. D. Chen, "Positron lifetime study of compensation defects in undoped semi-insulating InP", Physical Review B, 58, 20, 13648-13653(1998).
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