【基本信息】
所在部门： 电子科技大学微电子与固体电子学院
职　　称：副教授
出生年月：1984年03月
电子邮件：zkzhou@uestc.edu.cn
办公电话：
手机号码：无
ＱＱ号码：无
MSN号码：无

【个人简介】
周泽坤，男，副教授，生于1984年，中共党员，博士研究生学历，博士学位。于2010年访问比利时欧洲微电子设计中心进行纳米级集成电路研究；于2014年赴美国德克萨斯州德州农工大学进行电气与计算机工程专业博士后深造。长期作为IEEETrans.CircuitsSyst.I、IEEETrans.CircuitsSyst.II、IEEETransactionsonIndustrialElectronics、IEEETransactionsonPowerElectronics、MicroelectronicsJournal、InternationalJournalofElectronics等国外高水平期刊及会议的审稿人，多次受邀为国际会议TPC成员。

【研究方向】
1．模拟/射频/微波/毫米波集成电路设计
2．通信专用集成电路与系统集成芯片（SOC）设计

【在研项目】
1．高性能基准源架构及设计方法研究，国家自然科学基金项目，项目负责人
2．硅基GaN功能集成与硅工艺融合技术研究，国家重大专项课题，项目第3主研人
3．片上动态电压缩放功率变换器环路补偿技术的研究与实现，国家自然科学基金项目，项目第2主研人
4．提高SoC供电精度的CMOS低压差线性稳压器关键技术研究，国家自然科学基金项目，项目第2主研人
5．高压同步整流控制IC及应用技术研究，四川省科技计划项目，项目第2主研人

【完成项目】
1．SM9A68抗辐照效应分析及对照，公司横向合作，项目负责人，2014年12月完成。
2．硅基高速光电探测器，公司横向合作，项目第2主研人，2014年11月完成。
3．电源管理ICNCT3283委托开发设计合约书，公司横向合作，项目第2主研人，2014年12月完成。
4．电源管理IC委托开发设计合约书，公司横向合作，项目第2主研人，2014年1月完成。
5．LED背光驱动芯片技术开发，公司横向合作，项目第2主研人，2013年12月完成。
6．基于能量优化的电源管理技术研究，国家科技重大专项，项目第3主研人，2013年10月完成。
7．SOI高压器件场控体电场降低REBULF理论与新结构，国家自然科学基金项目，项目第3主研人，2013年12月完成。
8．APD读书电路技术开发，公司横向合作，项目第4主研人，2014年12月完成。
9．节能&汽车电子产品设计，国家科技重大专项，项目第5主研人，2013年12月完成。
10．数字辅助射频、功率集成技术研究，国家科技重大专项，项目第6主研人，2011年06月完成。

【学术专著】
1．集成电路电源完整性分析与管理，电子工业出版社，2013年11月，第3作者

【发表论文】
1．A1.6-V25-μA5-ppm/℃Curvature-CompensatedBandgapReference.IEEETrans.CircuitsSyst.I,Apr.2012,(SCI收录),第1作者
2．ACMOSVoltageReferenceBasedonMutualCompensationofVtnandVtp.IEEETrans.CircuitsSyst.II,Jun.2012,(SCI收录),第1作者
3．AResistorlessCMOSVoltageReferenceBasedonMutualCompensationofVTandVTH.IEEETrans.CircuitsSyst.II,Sep.2013,(SCI收录),第1作者
4．A3.2ppm/℃Curvature-CompensatedBandgapReferencewithWideSupplyVoltageRange.MicroelectronicsJournal,Nov.2012,(SCI收录),第1作者
5．A1.6-V17-μA5.2-ppm/°Cbandgapreferencewithmutativecurvaturecompensation.InternationalJournalofElectronics,Apr.2012,(SCI收录),第1作者
6．AResistorlessCMOSBandgapReferencewithLowTemperatureCoefficientandHighPSRR.InternationalJournalofElectronics,Oct.2012,(SCI收录),第1作者
7．Modellingandanalysisofahigh-performanceClassDaudioamplifierusingunipolarpulse-width-modulation.InternationalJournalofElectronics,Feb.2012,(SCI收录),第1作者
8．Anovelprecisioncurvature-compensatedbandgapreference.JournalofSemiconductors,Jan.2010,(EI收录),第1作者
9．A2.2-V2.9-ppm/℃BiCMOSbandgapvoltagereferencewithfulltemperature-rangecurvature-compensation.JournalofSemiconductors,Jul.2010,(EI收录),第1作者
10．AHigh-PerformanceCurrentSensingCircuitwithFull-PhaseSamplingCapability.IEEEInternationalConferenceonASIC,Oct.2013,(EI收录),第1作者

【获奖情况】
1．A1.6-V25-μA5-ppm/℃Curvature-CompensatedBandgapReference论文曾获IEEE机构IEEECDSBestStudentPaperAward奖项。
2．《微电子电路设计》课程曾获四川省精品课程奖项。