【基本信息】
所在部门： 通信工程学院
职 称：副教授
出生年月： 1974年07月
电子邮件：ljwu@cuit.edu.cn
办公电话：
手机号码：
ＱＱ号码：
MSN号码：
【个人简介】
吴丽娟，女，副教授，生于1974年，中共党员，研究生学历，博士学位。
【研究方向】
1．模拟/射频/微波/毫米波集成电路设计
2．通信专用集成电路与系统集成芯片（SOC）设计
3．集成电路封装与测试技术
【在研项目】
1．基于SOI 的横向SJ等效耐压层理论及新结构，国家自然科学青年基金项目，项目负责人。
2．电荷型高压 SOI SJ LDMOS，四川省教育厅项目，项目负责人。
3．新型功率器件与集成技术，成都信息学院青年学术带头人科研基金，项目负责人。
4．新型功率器件模型与新结构研究，成都信息工程学院引进人才科研启动，项目负责人。
【完成项目】
1．射频功率器件研究，成都信息工程学院院级项目，项目负责人，2009年7月完成。
【发表论文】
[1] SOI SJ High Voltage Device with Linear Variable Doping Interface Thin Silicon Layer, 《ELECTRONICS LETTERS》, 1st March, Vol. 48, No. 5,2012 (SCI: 027; EI: 481 ) ，第一作者
[2] PB-SON RFLDMOS characteristics analysis. COMPEL - 《The International Journal for Computation and Mathematics in Electrical and Electronic Engineering》, Vol.29, No. 2, 2010 (SCI: 025; EI: 318 )，第一作者
[3] Novel high-voltage powerdevicebasedonself-adaptiveinterfacecharge. 《Chin. Phys. B》, Vol.20, No.2, 027101(1-8) 2011 (SCI: 063; EI: 051) ，第一作者
[4] A -188 V 7.2 ??mm2 P-channel high voltage device formed on an epitaxy-SIMOX substrate. 《Chin. Phys. B》, Vol.20, No. 8, 087101(1-8), 2011 (SCI: 049; EI: 67)，第一作者
[5] A novel partial-SOI high voltage P-channel LDMOS with interface accumulation holes. 《 Chin. Phys. B》, Vol.20, No.10, 2011 (SCI: 058; EI: 201**) ，第一作者
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成都信息工程大学通信工程学院导师教师师资介绍简介-吴丽娟副教授
本站小编 Free考研考试/2021-10-02
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