个人基本信息

冯秋菊 副教授
导师级别:硕导
学科：凝聚态物理
职务:
社会兼职:

联系方式

通信地址：
电子邮件：qjfeng@dlut.edu.cn
办公电话：
办公地点：

个人简介

冯秋菊，女，博士，辽宁师范大学物理与电子技术学院副教授，硕士生导师。主要从事半导体光电材料与器件的相关研究工作。2006年获中科院长春光学精密机械与物理研究所凝聚态物理专业博士学位。2010年6月大连理工大学博士后流动站出站。作为负责人主持国家自然科学基金一项、中国博士后科学基金项目一项及辽宁省博士科研启动一项，作为主要成员参与国家自然科学基金项目2项、中科院所创新项目1项和2项辽宁省自然科学基金和辽宁省教育厅创新团队基金项目及辽宁省微纳米技术及系统重点实验室、微系统与微制造辽宁省高校重点实验室开放基金课题的研究，并取得了一些创新性的成果。至今在国内外学术期刊发表学术论文40余篇，其中以第一作者和通讯作者发表论文20余篇，申请发明专利14项，其中第一发明人8项。

个人学习经历

1997/09－2001/07年，哈尔滨师范大学，物理系，学士
2001/09－2006/03年，中科院长春光学精密机械与物理研究所，硕博连读

个人工作经历

2006－至今，辽宁师范大学物理与电子技术学院，讲师、副教授，并于2010年在大连理工大学物理与光电工程学院博士后流动站出站。

研究工作概况

代表性论文：
1. Qiu-Ju Feng, Hong-Wei Liang, Yi-Ying Mei, Jia-Yuan Liu, C. C. Ling, Peng-Cheng Tao, De-Zhu Pan and Yu-Qi Yang, ZnO single microwire homojunction light emitting diode grown by electric field assisted chemical vapor deposition, J. Mater. Chem. C, 2015, 3, 4678—4682.
2. Qiuju Feng, JiayuanLiu, JiayinLu, YiyingMei, ZheSong, PengchengTao, Dezhu Pan, YuqiYang, MengkeLi, Fabrication and characterization of single ZnO microwire Schottky light emitting diodes, Materials Science in Semiconductor Processing 40(2015)436–438.
3. Q.J. Feng, S. Liu, Y. Liu, H.F. Zhao, J.Y. Lu, K. Tang, R. Li, K. Xu, H.Y. Guo, Influence of Sb doping on the structural, optical and electrical properties of p-ZnO thin films prepared on n-GaN/Al2O3 substrates by a simple CVD method, Materials Science in Semiconductor Processing, 2015, 29: 188-192.
4.冯秋菊，许瑞卓，郭慧颖，徐坤，李荣，陶鹏程，梁红伟，刘佳媛，梅艺赢，衬底位置对化学气相沉积法制备的磷掺杂p型ZnO纳米材料形貌和特性的影响，物理学报，2014,63,168101.
5. HW Liang, QJ Feng *, XC Xia, R Li, HY Guo, K Xu, PC Tao, YP Chen, GT Du, Room temperature electroluminescence from arsenic doped p-type ZnO nanowires/n-ZnO thin film homojunction light-emitting diode, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2014, 25（4）: 1955-1958.
6. Qiu Ju Feng, Jue Wang, Shuang Liu, Rui Zhuo Xu, Kai Tang, Yang Liu, Jia Yin Lu, Meng Ke Li, Fabrication and characterization of highly ordered phosphorus-doped ZnO nanocombs, Journal of Physics and Chemistry of Solids，2013，74（3）: 476-479.
7. 冯秋菊，蒋俊岩，唐凯，吕佳音，刘洋，李荣，郭慧颖，徐坤，宋哲，李梦轲，CVD法制备p-ZnO薄膜/n-Si异质结发光二极管及其性能研究，物理学报，2013,62,057802.
8. Pengcheng Tao，Qiuju Feng*, Junyan Jiang, Haifeng Zhao, Ruizhuo Xu, Shuang Liu, Mengke Li, Jingchang Sun, Zhe Song, Electroluminescence from ZnO nanowires homojunction LED grown on Si substrate by simple chemical vapor deposition, Chemical Physics Letters, 2012, 522: 92-95.
9. Feng Qiu-Ju，Jiang Jun-Yan，Tao Peng-Cheng，Liu Shuang，Xu Rui-Zhuo，Li Meng-Ke，Sun Jing-Chang，The Fabrication and Characterization of Well Aligned Petal-Like Arsenic-Doped Zinc Oxide Microrods, Chinese Physics Letters, 2011, 28（10）: 108103-1-108103-3.
10. 冯宇，冯秋菊*，王珏，蒋俊岩，陶鹏程，刘爽，许瑞卓，李梦轲，宋哲，孙景昌，Sb掺杂大尺寸ZnO纳米棒的制备及其特性研究，无机化学学报，2011,27,1245-1248.
11. Q.J. Feng, L.Z. Hu, H.W. Liang, Y. Feng, J. Wang, J.C. Sun, J.Z. Zhao, M.K. Li, L. Dong, Catalyst-free growth of well-aligned arsenic-doped ZnO nanowires by chemical vapor deposition method, Applied Surface Science, 2010, 257（3）: 1084-1087.
12. Q.J. Feng, D.Z. Shen, J.Y. Zhang, B.H. Li, Z.Z. Zhang, Y.M. Lu, X.W. Fan, Room temperature ferromagnetic properties of ZnFeO thin films prepared by thermal oxidation of ZnFeS thin films, Materials Chemistry and Physics 112 (2008) 1106–1109.
13. Q. J. Feng, D. Z. Shen, J. Y. Zhang, B. S. Li, H. W. Liang, B. H. Li, Y. M. Lu, X. W. Fan, Ferromagnetic FeSe: structural, electric and magnetic properties, Applied Physics Letters, 2006, 88（1）: 012505-1-012505-3.
14. Q. J. Feng, D. Z. Shen, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, Y. C. Liu, X. W. Fan, Influence of Fe content on the structural and optical properties of ZnFeS thin films. Materials Chemistry and Physics 2006, 96(1):158-162.
15. Q. J. Feng, D. Z. Shen, J. Y. Zhang, H. W. Liang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, X. W. Fan, Highly aligned ZnS nanorods grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition. Journal of Crystal Growth, 2005, 285(4), 561-565.
16. Q. J. Feng, D. Z. Shen, J. Y. Zhang, C. X. Shan, Y. M. Lu, Y. C. Liu, X. W. Fan, High oriented FeSe thin film on GaAs(100) substrate prepared by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2004, 279: 435-439.
申请发明专利：
1、 通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法及其装置，申请号:20**
2、 采用简单化学气相沉积法制备Sb掺杂p型ZnO薄膜的方法，申请号: 5X
3、 单根ZnO微米线同质结发光二极管的制备方法，申请号¬: 20**
4、 一种p型ZnO纳米线的制备方法，专利号：7.2
5、 一种逆压电纳米半导体发电机，专利号：3.0
6、 用离子体辅助MOCVD设备制备硫化锌纳米线的方法，专利号：9.1
7、 一种高居里温度FeSe薄膜的制备方法，申请专利号: 7.9
8、 铁掺杂的硫化锌薄膜生长制备方法，申请专利号:8.7