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教育经历Education Background
工作经历Work Experience
2000.92004.7
大连理工大学
等离子体物理
博士
1986.91989.7
吉林大学
固体物理
硕士
1989.7至今
物理学院
教师
研究方向Research Focus
社会兼职Social Affiliations
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研究领域
论文成果 More>>
左春彦,高飞,戴忠玲,王友年.高功率微波输出窗内侧击穿动力学的PIC/MCC模拟研究[J],物理学报,2018,22:340-350
左春彦,高飞,戴忠玲,王友年.高功率微波输出窗内侧击穿动力学的PIC/MCC 模拟研究[J],物理学报,2018,67(22):267-278
戴忠玲,董婉,宋远红,王友年. Effect of ion bombardment time on the profile of atomic layer etching[A],2nd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics,2018
董婉,王喜凤,宋远红,戴忠玲,王友年.Effect of plasma uniformity on etching profiles[A],The 71st Annual Gaseous Electronics Conference,2018
董婉,戴忠玲,宋远红,王友年.ALE of SiO2 by alternating CF4 plasma with energetic Ar+ plasma beams[A],7th international conference on microelectronics and plasma technology,2018
Ma, Xiaoqin,Zhang, Saiqian,Dai, Zhongling,Wang, Younian.Study on atomic layer etching of Si in inductively coupled Ar/Cl-2 plasmas driven by tailored bias waveforms[J],PLASMA SCIENCE & TECHNOLOGY,2017,19(8,SI)
专利
一种用于等离子体刻蚀的元胞-水平集联合模拟方法
一种用于等离子体刻蚀的元胞-水平集联合模拟方法
著作成果
计算物理学习指导
大学物理实验（第二版）
大学物理实验
科研项目
双频电容耦合放电等离子体流体动力学数值模拟, 国家自然科学基金项目, 2005/09/01, 完成
基于水平集方法的三维等离子体刻蚀剖面演化规律研究, 2008/07/15-2010/12/31, 完成
脉冲调制等离子体增强原子层刻蚀多尺度研究, 国家自然科学基金项目, 2013/09/25-2017/12/31, 完成
反应离子刻蚀微观不均匀性的跨尺度研究, 国家自然科学基金项目, 2009/09/25-2012/12/31, 完成
四面体网格划分技术合作项目, 企事业单位委托科技项目, 2018/11/13-2020/01/30, 进行
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论文成果
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果[1]左春彦,高飞,戴忠玲,王友年.高功率微波输出窗内侧击穿动力学的PIC/MCC模拟研究[J],物理学报,2018,22:340-350
[2]左春彦,高飞,戴忠玲,王友年.高功率微波输出窗内侧击穿动力学的PIC/MCC 模拟研究[J],物理学报,2018,67(22):267-278
[3]戴忠玲,董婉,宋远红,王友年. Effect of ion bombardment time on the profile of atomic layer etching[A],2nd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics,2018
[4]董婉,王喜凤,宋远红,戴忠玲,王友年.Effect of plasma uniformity on etching profiles[A],The 71st Annual Gaseous Electronics Conference,2018
[5]董婉,戴忠玲,宋远红,王友年.ALE of SiO2 by alternating CF4 plasma with energetic Ar+ plasma beams[A],7th international conference on microelectronics and plasma technology,2018
[6]Ma, Xiaoqin,Zhang, Saiqian,Dai, Zhongling,Wang, Younian.Study on atomic layer etching of Si in inductively coupled Ar/Cl-2 plasmas driven by tailored bias waveforms[J],PLASMA SCIENCE & TECHNOLOGY,2017,19(8,SI)
[7]张赛谦,杨雪,戴忠玲,王友年.反应物输运与Ar/C4F8等离子体中SiO2刻蚀的精度控制[A],第十八届全国等离子体科学技术会议,2017,1
[8]王喜凤,宋远红,戴忠玲,王友年.射频容性耦合SiH4/Ar放电中反转电场及电子能量分布的模拟[A],第十八届全国等离子体科学技术会议,2017,1
[9]戴忠玲,王友年.Study on atomic layer etching of Si in inductively coupled Ar/Cl2 plasmas driven by tailored bias waveforms[J],Plasma Sci. Technol.,2017,19(6):85502-85502
[10]戴忠玲,王友年.Numerical study of atomic layer precision control for SiO2 etching[A],the 70th Annual Gaseous Electronics Conference, November 6-10, 2017, in Pittsburgh, PA, U.S.A.,2017
[11]戴忠玲,王友年.Accuracy control of SiO2 etching in inductively coupled CF4/Ar plasmas[A],1st Asia-Pacific Conference on Plasma Physics, 18-23, 09.2017,2017
[12]Sui Jiaxing,Zhang Saiqian,Liu Zeng,Yan Jun,Dai Zhongling.A Multi-Scale Study on Silicon-Oxide Etching Processes in C4F8/Ar Plasmas[J],PLASMA SCIENCE & TECHNOLOGY,2016,18(6):666-673
[13]Wang Xifeng,Song Yuanhong,Zhao Shuxia,Dai Zhongling,Wang Younian.Hybrid Simulation of Duty Cycle Influences on Pulse Modulated RF SiH4/Ar Discharge[J],PLASMA SCIENCE & TECHNOLOGY,2016,18(4):394-399
[14]戴忠玲,王友年.Simulation of atomic layer etching of Si in inductively coupled argon/chlorine plasmas with tailored bias voltage waveforms[A],2016,51-51
[15]刘佳,阎军,戴忠玲,宋亦旭.C4F8/AR混合气体刻蚀SiO2的多目标优化研究[A],2015中国力学大会,2015,319-320
[16]Dai Zhongling,Wang Younian.Effects of Tailed Pulse-Bias on Ion Energy Distributions and Charging Effects on Insulating Substrates[J],PLASMA SCIENCE & TECHNOLOGY,2015,17(7):560-566
[17]戴忠玲,王友年.Atomic layer etching of SiO2 under Ar/C4F8 plasmas with pulsed bias[A],2015
[18]戴忠玲,王友年.脉冲调制射频放电余辉期直流电压对离子能量分布的调控[A],2015
[19]You Zuowei,Dai Zhongling,Wang Younian.Simulation of Capacitively Coupled Dual-Frequency N-2, O-2, N-2/O-2 Discharges: Effects of External Parameters on Plasma Characteristics[J],PLASMA SCIENCE & TECHNOLOGY,2014,16(4):335-343
[20]Hao Meilan,Dai Zhongling,Wang Younian.Effects of Low-Frequency Source on a Dual-Frequency Capacitive Sheath near a Concave Electrode[J],PLASMA SCIENCE & TECHNOLOGY,2014,16(4):320-323
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当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 专利一种用于等离子体刻蚀的元胞-水平集联合模拟方法
一种用于等离子体刻蚀的元胞-水平集联合模拟方法
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科研项目
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 科研项目双频电容耦合放电等离子体流体动力学数值模拟, 国家自然科学基金, 2005/09/01, 完成
基于水平集方法的三维等离子体刻蚀剖面演化规律研究, 大连理工大学理学学科研究基金项目, 2008/07/15-2010/12/31, 完成
脉冲调制等离子体增强原子层刻蚀多尺度研究, 国家自然科学基金, 2013/09/25-2017/12/31, 完成
反应离子刻蚀微观不均匀性的跨尺度研究, 国家自然科学基金, 2009/09/25-2012/12/31, 完成
四面体网格划分技术合作项目, 2018/11/13-2020/01/30, 进行
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