大连理工大学物理学院导师教师信息介绍简介-秦福文

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本站小编 Free考研考试/2020-03-28

副教授硕士生导师
主要任职：无
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：博士
在职信息：在职
所在单位：物理学院
学科：凝聚态物理
办公地点：大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室2号楼304
联系方式：qfw@dlut.edu.cn
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同专业硕导
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个人简介

1994年7月至今，在大连理工大学物理学院工作，为大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室固定研究人员。作为主要参与者，参加了大连理工常州研究院有限公司和大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室联合申请的常州市重大公共技术服务平台—“材料表面工程技术与装备创新服务平台”建设。
1994年和2000年作为主要参与者，先后完成了两代电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）设备的设计和建造工作；2007年1月至6月作为项目负责人为北京一公司设计建造了ECR-PEMOCVD设备，并提供了氮化硅薄膜的室温沉积工艺。
2005年1月至2007年12月作为项目负责人完成了两项国家自然基金项目和一项辽宁省教育厅项目。1996年今，作为主要参加者还参与了氮化镓（GaN）基半导体材料PEMOCVD低温生长方面的五项国家自然科学基金项目、一项国家八六三项目（No.715-011-0033）和一项国家重大基础研究（973）专项项目等, 在ECR-PEMOCVD设备的设计制造、GaN薄膜的低温生长及光电特性研究方面有扎实的理论基础和丰富的实践经验。
2004年至今已指导硕士研究生24人，协助指导博士生5人，协助指导硕士研究生6人。学生在读期间将学习和掌握半导体物理、半导体器件物理及微电子工艺的相关理论知识，并能熟练操作ECR-PEMOCVD、磁控溅射等薄膜生长大型设备，深入学习和掌握GaN等半导体薄膜的制造工艺与机理。毕业生就业去向多是大连英特尔、北京中芯国际、华为、京东方、昆山龙腾光电、大连德豪光电、北京北方微电子等与集成电路、微电子器件、半导体光电、液晶、OLED制造相关的高新企业及研究机构等。

主持或参加科研项目及人才计划项目情况（按时间倒序排序）：
1、国家自然科学基金面上项目，**、SiC MOS器件界面缺陷及其钝化研究、2015/01-2018/12、79万元、在研、参加。
2、国家自然科学基金面上项目，**、GaN纳米线阵列的晶体缺陷控制及其光学特性、2012/01-2014/12、25万元、已结题、参加。
3、国家自然科学基金主任基金，**、AlN/自持金刚石厚膜结构高频声表面波滤波器的研制、2011/01-2011/12、10万元、已结题、参加。
4、国家自然科学基金面上项目，**、掺锰InGaN稀磁与中间带半导体薄膜的制备与特性、2010/01-2010/12、10万元、已结题、主持。
5、国家自然科学基金面上项目，**、GaN基稀磁半导体量子点的自组织生长与特性、2004/01-2006/12、24万元、已结题、主持。
6、国家自然科学基金面上项目，**、自组装GaN量子点结构的ECR-PAMOCVD生长与特性、2000/01-2002/12、15.3万元、已结题、参加。
7、国家863项目，863-715-011-0033，立方GaN及GaN基蓝绿光激光材料的ECR等离子体辅助低温生长、1997/01-2000/12、60万元、已结题、参加。
8、国家自然科学基金面上项目，**、GaN膜的ECR等离子体辅助MOCVD生长与特性研究、1996/01-1998/12、11.5万元、已结题、参加。
近年来发表的研究论文：
[1] Qin FuWen, Zhong Miaomiao, Liu Yuemei, Wang Hui, Bian Jiming, Wang Chong, Zhao Yue, Zhang Dong, Li Qinming. Growth of high c-orientated crystalline GaN films on amorphous Cu/glass substrates with low-temperature ECR-PEMOCVD，Journal of Materials Science: Materials in Electronics，2014，25（2）：969-973。
[2] Qin Fuwen, Zhong Miaomiao, Wang Chong, Liu Yuemei, Bian Jiming, Wang Enping, Wang Hui, Zhang Dong. Deposition and characteristics of GaN films on Ni metal substrate by ECR-PEMOCVD，Journal of Materials Science: Materials in Electronics,2013,24（12）：5069-5074
[3] Qin Fuwen, Zhang Dong, Bai Yizhen, Ju Zhenhe, Li Shuangmei, Li Yucai, Pang Jiaqi, Bian Jiming. Deposition and properties of highly c-oriented of InN films on sapphire substrates with ECR-plasma-enhanced MOCVD，Rare Metals，2012，31（2）：150-153。
[4] Liu Yuemei, Qin Fuwen, Zhang Dong, Bian Jiming, Zhao Yue, Wang Enping, Wang Shuai, Zhong Miaomiao, Ju Zhenhe. Low-temperature growth of highly c-oriented GaN films on Cu coated glass substrates with ECR-PEMOCVD, Journal of Crystal Growth, 2013, 368：92-96
[5] Duan Zhongwei, Qin Fuwen, Lin Guoqiang, Bian Jiming, Zhang Dong, Wang Enping. Effect of temperature on GaN films deposited on graphite substrates at low-temperature，Applied Surface Science,2013,280：909-913
[6] Wang Enping, Bian Jiming, Qin Fuwen, Zhang Dong, Liu Yuemei, Zhao Yue, Duan Zhongwei, Wang Shuai. Effect of TMGa flux on GaN films deposited on Ti coated on glass substrates at low temperature, Chinese Science Bulletin，2013，58（30）：3617-3623
[7] Zhao Yue, Qin Fuwen, Bai Yizhen, Ju Zhenhe, Zhao Yan, Zhang Xiaohui, Li Shuangmei, Zhang Dong, Bian Jiming, Li Yang. Low temperature synthesis of GaN films on ITO substrates by
ECR-PEMOCVD，Vacuum，2013，92：77-80
[8] Liu W.F., Luo Y. L., Sang Y.C., Bian J.M., Zhao Y., Liu Y.H., Qin Fuwen. Adjusted surface work function of InN films annealed at vacuum and at high-pressure N-2 conditions，Materials
Letters, 2013, 95：135-138。
[9] Zhang Dong, Qin Fuwen, Bai Yizhen, Bian Jiming, Li Shuai, Pan Li, Zhi Anbo, Liu Xinglong, Jiang Xin. Effect of buffer layer on the structural and morphological properties of GaN films grown with ECR-PEMOCVD，Diamond and Related Materials, 2012, 21：88-91
[10] Zhi Anbo, Qin Fuwen, Zhang Dong, Bian Jiming, Yu Bo, Zhou Zhifeng, Jiang Xin. Low-temperature growth of highly c-oriented InN films on glass substrates with ECR-PEMOCVD, Vacuum, 2012, 86（8）：1102-1106
[11]Zhang Dong，Qin Fuwen, Bai Yizhen, Bian Jiming, Li Shuai, Pan Li, Zhi Anbo, Liu Xinglong, Jiang Xin. Effect of buffer layer on the structural and morphological properties of GaN films grown with ECR-PEMOCVD, Diamond and Related Materials, 2012, 21（0）：88-91。
[12] Zhi Anbo, Qin Fuwen, Zhang Dong, Bian Jiming, Yu Bo, Zhou Zhifeng, Jiang Xin. Low-temperature growth of highly c-oriented InN films on glass substrates with ECR-PEMOCVD, Vacuum, 2012, 86（8）：1102-1106
[13] Liu Bingbing, Wang Dejun, Qin Fuwen. Enhanced TiC-SiC Ohmic contacts by ECR hydrogen plasma pretreatment and low-temperature post-annealing, Applied Surface Science, 2015, 355（20）：59-63
[14] Zhong, M.M., Qin Fuwen, Liu Y.M., Wang C., Bian J.M., Wang E.P., Wang H., Zhang D., Low-temperature growth of high c-orientated crystalline GaN films on amorphous Ni/glass substrates with ECR-PEMOCVD，Journal of Alloys and Compounds，2014，583：39-42
[15] Zhu Qiaozhi, Qin Fuwen, Li Wenbo，Wang Dejun. Electrical and physical properties of 4H-SiC MOS interface with electron cyclotron resonance microwave nitrogen plasma post-oxidation annealing, Physica B: Condensed Matter, 2014, 432：89-95
授权发明专利
[1] 秦福文，林国强，刘勤华，金属基片垂直GaN基LED芯片及其制备方法，2014.12.17，中国，ZL 2012 1 **.9。
[2] 秦福文，林国强，刘勤华，采用金属基片制备垂直GaN基LED芯片的设备，2014.12.17，中国，ZL 2012 1 **.8。

教育经历

1998.3--2004.4
大连理工大学材料学博士

1991.9--1994.7
吉林大学半导体物理与半导体器件物理硕士

1987.9--1991.7
辽宁大学光学学士

工作经历

2004.1--至今
物理与光电工程学院副教授
1994.7--2003.12
电气工程与应用电子技术系副教授

研究方向

氮化镓（GaN）薄膜在金属衬底上的等离子体增强低温生长研究
石墨烯改性金属衬底上的GaN低温生长研究
二硫化钼（MoS2）薄膜的生长及后续GaN薄膜的低温生长研究

团队成员

林国强团队

李晓娜

秦福文

马春雨

林国强

研究领域

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论文成果More>>

Yang, Chao,Yin, Zhipeng,Zhang, Fanglong,Su, Yan,Qin, Fuwen,Wang, Dejun.Synergistic passivation effects of nitrogen plasma and oxygen plasma on improving the interface quality and bias temperature instability of 4H-SiC MOS capacitors[J],Applied Surface Science,2020,513
王宁,马春雨,胡金娟,王佳琳,秦福文,张庆瑜.MoS_2/GO-g-C_3N_4-ZnO三元复合纳米材料的制备及可见光光催化性能研究[J],功能材料,2019,09:9006-9012
Yi, X. Y.,Ma, C. Y.,Yuan, F.,Wang, N.,Qin, F. W.,Hu, B. C.,Zhang, Q. Y..Structural, morphological, photoluminescence and photocatalytic properties of Gd-doped ZnO films[J],THIN SOLID FILMS,2017,636:339-345
Jing, S.,Bai, Y.,Qin, F.,Xiao, J..Bias effects on AlMgB thin films prepared by magnetron sputtering[J],SURFACE ENGINEERING,2017,33(8):592-596
Li, Wenbo,Wang, Dejun,Pan, Yan,Yang, Fei,Li, Ling,Wang, Fangfang,Zheng, Liu,Xia, Jinghua,Qin, Fuwen,Wang, Xiaolin,Li, Yongping,Liu, Rui.Passivation effects of phosphorus on 4H-SiC (0001) Si dangling bonds: A first-principles study[J],CHINESE PHYSICS B,2017,26(3)
Li, Xiaoxuan,Bian, Jiming,Wang, Minhuan,Miao, Lihua,Liu, Hongzhu,Qin, Fuwen,Zhang, Yuzhi,Luo, Yingmin.Realization of nitride-oxide based p-n heterojunctions with the n-VO2/p-GaN/sapphire structure[J],MATERIALS RESEARCH BULLETIN,2016,77:199-204

专利More>>

柔性透明聚酰亚胺衬底上的氮化铟镓薄膜及其制备方法
镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法
一种柔性聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法
一种石墨烯增强表面的燃料电池用高性能双极板及其制备方法
一种β－碳化硅薄膜的制备方法
一种降低SiC MOS界面态密度的表面预处理方法

著作成果

暂无内容

科研项目More>>

ECR-PECVD低温沉积系统, 企事业单位委托科技项目, 2006/12/28-2007/06/30, 完成
隐栅薄膜太阳能电池片检测分析, 企事业单位委托科技项目, 2012/11/26-2014/12/31, 完成
AlN/自持金刚石膜结构高频SAW滤波器的研制, 省、市、自治区科技项目, 2008/01/01-2011/08/09, 完成
掺锰InGaN稀磁与中间带半导体薄膜的制备与特性, 国家自然科学基金项目, 2009/09/25-2010/12/31, 完成
SiC MOS器件近界面氧化物缺陷与阈值电压漂移抑制技术研究, 国家自然科学基金项目, 2018/08/16, 进行
高性能高品质金属双极板表面改性量产工艺开发, 国家科技部 , 2016/07/01, 进行

研究领域

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论文成果

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[1] Yang, Chao,Yin, Zhipeng,Zhang, Fanglong,Su, Yan,Qin, Fuwen,Wang, Dejun.Synergistic passivation effects of nitrogen plasma and oxygen plasma on improving the interface quality and bias temperature instability of 4H-SiC MOS capacitors[J],Applied Surface Science,2020,513
[2] 王宁,马春雨,胡金娟,王佳琳,秦福文,张庆瑜.MoS_2/GO-g-C_3N_4-ZnO三元复合纳米材料的制备及可见光光催化性能研究[J],功能材料,2019,09:9006-9012
[3] Yi, X. Y.,Ma, C. Y.,Yuan, F.,Wang, N.,Qin, F. W.,Hu, B. C.,Zhang, Q. Y..Structural, morphological, photoluminescence and photocatalytic properties of Gd-doped ZnO films[J],THIN SOLID FILMS,2017,636:339-345
[4] Jing, S.,Bai, Y.,Qin, F.,Xiao, J..Bias effects on AlMgB thin films prepared by magnetron sputtering[J],SURFACE ENGINEERING,2017,33(8):592-596
[5] Li, Wenbo,Wang, Dejun,Pan, Yan,Yang, Fei,Li, Ling,Wang, Fangfang,Zheng, Liu,Xia, Jinghua,Qin, Fuwen,Wang, Xiaolin,Li, Yongping,Liu, Rui.Passivation effects of phosphorus on 4H-SiC (0001) Si dangling bonds: A first-principles study[J],CHINESE PHYSICS B,2017,26(3)
[6] Li, Xiaoxuan,Bian, Jiming,Wang, Minhuan,Miao, Lihua,Liu, Hongzhu,Qin, Fuwen,Zhang, Yuzhi,Luo, Yingmin.Realization of nitride-oxide based p-n heterojunctions with the n-VO2/p-GaN/sapphire structure[J],MATERIALS RESEARCH BULLETIN,2016,77:199-204
[7] Liu, Bingbing,Qin, Fuwen,Wang, Dejun.Passivation of SiO2/4H-SiC interface defects via electron cyclotron resonance hydrogen-nitrogen mixed plasma pretreatment for SiC surface combined with post-oxidation annealing[J],APPLIED SURFACE SCIENCE,2016,364:769-774
[8] 秦福文,王德君.碳化硅MOS器件氧化层界面附近碳存在形式的理论研究进展[J],智能电网,2016,6(1):12-17
[9] 王晓琳,刘冰冰,秦福文,王德君.氮氢混合等离子体处理对SiC MOS电容可靠性的影响[J],固体电子学研究与进展,2016,36(1):71-77
[10] Zhao, J.,Qin, F.,Bai, Y.,Zhao, Y..GaN Films deposited on ITO coated glass[J],SURFACE ENGINEERING,2015,31(7):534-539
[11] 李慧,吴爱民,张文兰,陆文琪,秦福文,董闯.线形同轴耦合微波等离子体诊断及硅薄膜制备[J],哈尔滨工程大学学报,2015,36(3):423-426
[12] 汤斌,李文波,刘冰冰,刘道森,秦福文,王德君.电子回旋共振氮等离子体氧化后退火对4H-SiC MOS电容TDDB特性的影响[J],固体电子学研究与进展,2015,35(2):191
[13] 刘冰冰,秦福文,王德君.氢氮等离子体表面预处理改善SiO2/SiC界面特性[A],第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议,2015,118-119
[14] 秦福文,王德君.Enhanced TiC/SiC Ohmic contacts by electronic cyclotron resonance hydrogen plasma pretreatment and low temperature post-annealing[J],Applied Surface Science,2015,355(11):59-63
[15] Bai, Y. Z.,Qin, F. W.,Zhao, Y.,Zhao, J..Effect of deposition pressure on mechanical properties of Al-Mg-B thin films[J],SURFACE ENGINEERING,2014,30(12):900-904
[16] Bian, Jiming,Qin, Fuwen,Zhang, Dong,Liu, Weifeng.Low-temperature ECR-PEMOCVD deposition of high-quality crystalline gallium nitride films: A comparative study of intermediate layers for growth on amorphous glass substrates[J],MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,2014,26(1):182-186
[17] Bian Jiming,Ma Xiaowen,Sun Jingchang,Zhang Zhikun,Wang Yuxin,Qin Fuwen,Luo Yingmin,Zhang Yuzhi,Fu Xianping.ZnO Films on Transferable and Low Thermal Resistance Graphite Substrate Grown by Ultrasonic Spray Pyrolysis[J],JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY-MATERIALS SCIENCE EDITION,2014,29(3):428-432
[18] Liu, Bingbing,Huang, Lingqin,Zhu, Qiaozhi,Qin, Fuwen,Wang, Dejun.Chemical and electronic passivation of 4H-SiC surface by hydrogen-nitrogen mixed plasma[J],APPLIED PHYSICS LETTERS,2014,104(20)
[19] Bian, Ji Ming,Qin, Fu Wen,Zhong, Miao Miao.Influence of nitridation time on the characteristics of GaN films deposited on ni metal substrate by ECR-MOCVD[A],2014 International Conference on Frontiers of Advanced Materials and Engineering Technology, FAMET 2014,2014,912-914:210-213
[20] Qin, Fu-Wen,Zhong, Miao-Miao,Liu, Yue-Mei,Wang, Hui,Bian, Ji-Ming,Wang, Chong,Zhao, Yue,Zhang, Dong,Li, Qin-ming.Growth of high c-orientated crystalline GaN films on amorphous Cu/glass substrates with low-temperature ECR-PEMOCVD[J],JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS,2014,25(2,SI):969-973

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专利

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[1]柔性透明聚酰亚胺衬底上的氮化铟镓薄膜及其制备方法
[2]镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法
[3]一种柔性聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法
[4]一种石墨烯增强表面的燃料电池用高性能双极板及其制备方法
[5]一种β－碳化硅薄膜的制备方法
[6]一种降低SiC MOS界面态密度的表面预处理方法
[7]采用金属基片制备垂直GaN基LED芯片的设备
[8]金属基片垂直GaN基LED芯片及其制备方法
[9]一种采用金属基片制备垂直GaN基LED芯片的设备
[10]ZnO-GaN复合衬底GaN发光器件及其制备方法
[11]一种β－碳化硅薄膜的制备方法
[12]一种降低SiO<sub>2</sub>/SiC界面态密度的方法
[13]一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法

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著作成果

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科研项目

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[1]ECR-PECVD低温沉积系统, 2006/12/28-2007/06/30, 完成
[2]隐栅薄膜太阳能电池片检测分析, 2012/11/26-2014/12/31, 完成
[3]AlN/自持金刚石膜结构高频SAW滤波器的研制, 辽宁省高等学校科研计划项目, 2008/01/01-2011/08/09, 完成
[4]掺锰InGaN稀磁与中间带半导体薄膜的制备与特性, 国家自然科学基金, 2009/09/25-2010/12/31, 完成
[5]SiC MOS器件近界面氧化物缺陷与阈值电压漂移抑制技术研究, 国家自然科学基金, 2018/08/16, 进行
[6]高性能高品质金属双极板表面改性量产工艺开发, 国家重点研发计划, 2016/07/01, 进行
[7]纳米硅在硅基薄膜太阳能电池中的应用研究, 辽宁省自然科学基金, 2011/04/07-2013/09/30, 完成
[8]SiC MOS器件界面缺陷及其钝化研究, 国家自然科学基金, 2014/09/01, 完成
[9]物料分拣控制系统研究与设计, 2014/05/10-2017/05/09, 进行

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教学资源

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授课信息More>>

大学物理A1 /2019-2020 /春学期 /56课时 /3.5学分 /**
大学物理A1 /2019-2020 /春学期 /56课时 /3.5学分 /**
大学物理A1 /2019-2020 /春学期 /56课时 /3.5学分 /**
大学物理A1 /2019-2020 /春学期 /56课时 /3.5学分 /**
微电子技术概论 /2019-2020 /秋学期 /48课时 /3.0学分 /**
微电子技术概论 /2019-2020 /秋学期 /48课时 /3.0学分 /**

教学成果

2017年校优秀教学成果三等奖
2015年校教学质量优良奖

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授课信息

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本科生课程

课程名称学年学期学时学分课程号大学物理A1 2019-2020 春学期 56 3.5 ** 大学物理A1 2019-2020 春学期 56 3.5 ** 大学物理A1 2019-2020 春学期 56 3.5 ** 大学物理A1 2019-2020 春学期 56 3.5 ** 微电子技术概论 2019-2020 秋学期 48 3 ** 微电子技术概论 2019-2020 秋学期 48 3 ** 大学物理A1 2018-2019 春学期 56 3.5 ** 大学物理A1 2018-2019 春学期 56 3.5 ** 大学物理A1 2018-2019 春学期 56 3.5 ** 大学物理A1 2017-2018 春学期 56 3.5 ** 大学物理A1 2017-2018 春学期 56 3.5 ** 大学物理A1 2017-2018 春学期 56 3.5 **

教学成果

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[1]2017年校优秀教学成果三等奖
[2]2015年校教学质量优良奖

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学术荣誉

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科研奖励

校教学成果奖三等奖

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