姓 名 盖艳琴 性 别 女
出生年月 1980年3月 籍贯 海阳市
民 族 汉族 政治面貌 中共党员
最后学历 博士研究生 最后学位 理学博士
技术职称 副教授 导师类别 硕导
行政职务 Email yqgai@cumt.edu.cn
工作单位 中国矿业大学材料与物理学院 邮政编码 221116
通讯地址 江苏省徐州市大学路1号中国矿业大学南湖校区
单位电话 **
个人主页


个人简介
盖艳琴 女 1980.03，山东烟台人，中共党员，中国矿业大学材料与物理学院,副教授, 硕导。
主要从事的研究领域：
（1）宽带隙半导体掺杂改性的理论研究，包括n,p型掺杂，光催化材料设计；
（2）二维材料基非贵金属单原子电催化材料理论设计；
主要学术成果、学术荣誉：
（1）荣获 2017 年度国家自然科学奖二等奖，获奖的项目名称是“新型半导体深能级掺杂机制研究”（第二完成人）；
（2）江苏省2018 年青蓝工程优秀青年骨干教师；
（3）江苏省第五期“333 高层次人才培养工程”培养对象；
（4）荣获2017年江苏省高校第十届基础物理教师上好一堂课竞赛一等奖 ；
（5）以第一(通讯)作者在 PRL、PRB、APL 等期刊发表 SCI 论文 10多篇，其中高被引 SCI 论文 1 篇。
从事教学情况：
讲授《大学物理》、《量子力学》、《半导体器件原理》、《大学物理实验》等本科生课程。
教育经历：
1999.09-2003.07， 鲁东大学， 物理学院， 理学学士；
2003.09-2006.07，吉林大学，物理学院，理学硕士；
2006.09-2009.07，中科院长春光机所、中科院北京半导体所、理学博士。
工作经历：
2009.07--今，中国矿业大学材料与物理学院 教师；
2014.09-2015-06， 中国科技大学安徽微尺度国家实验室，访问****；
2018.10-2019.10，美国劳伦斯伯克利国家实验室，访问****。
代表性教学和科研项目：
[1] 2010.9-2013.9 项目名称：晶格缺陷对ZnO中磁性影响的理论研究，校基本科研业务费项目 主持（已结题）；
[2] 2011.1-2011.12 项目名称：能带调控提高ZnOp型掺杂效率的理论研究，国家自然科学基金-理论物理专款 主持（已结题）；
[3] 2012.1-2014.12 项目名称：晶格缺陷对ZnO基d0铁磁体中所起作用的理论研究，国家自然科学基金-青年科学基金 主持（已结题）；
[4] 2017.1-2019.12 项目名称：宽带隙类石墨烯材料掺杂改性的应力调控校学科前沿科学研究专项面上项目 主持（在研）；
[5] 2018.01-2018.12 项目名称：大学物理“课程思政”示范项目，主持 （已结题）。
[6] 2018.07-2020.7项目名称:校级教改项目《数值模拟辅助《量子力学》教学的探索与研究》主持（在研）；
代表性论文，专著：
[1] Y.Q.Gai, J.P.Jiang, Y.X.Wu, et al. Strain Manipulated Magnetic Properties in ZnO and GaN Induced by Cation Vacancy. Journal of Electronic Materials. 45 (2016) 3300-3306.
[2] Y.Q.Gai, J.P.Jiang, Y.X.Wu, et al.Can singly charged oxygen vacancies induce ferromagnetism in biaxial strained ZnO?Physica Scripta. 91(2016) 045801
[3] Y.Q.Gai, J.P.Jiang, Y.X.Wu, et al. Isotropic strains tuned hole-mediated ferromagnetism in nitrogen-doped ZnO. Physics Letters A. 380(2016) 465-469
[4]. Y.Q. Gai, J.B. Li, S.S. Li, et al. Design of Narrow-Gap TiO2: A Passivated Codoping Approach for Enhanced Photoelectrochemical Activity. Physics Review Letter(2009), 102, 036402.
[5]. Y.Q. Gai, J.B. Li, S.S. Li, et al., Design of shallow acceptors in ZnO through novel compensated donor-acceptor complexes: A density functional calculation. Physical Review B，(2009), 80, 153201.
[6]. Y.Q. Gai, H.W. Peng, and J.B. Li, Electronic Properties of Nonstoichiometric PbSe Quantum Dots from First Principles. Journal of Physical Chemistry C(2009), 113 (52): 21506-21511.
[7]. Y. Q. Gai, B. Yao, Z. P. Wei, et al. Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO. Applied Physics Letters, 2008, 92, 062110.
联系方式：Email: yqgai@cumt.edu.cn
通讯地址：江苏省徐州市中国矿业大学南湖校区 材料与物理学院 A506 221006
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研究领域
宽带隙半导体材料掺杂改性的理论研究，稀磁半导体，光催化、电催化机理研究
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科研项目
1、主持 国家自然科学基金—科学部主任专项基金项目“能带调控提高ZnOp型掺杂效率的理论研究”（**）
2、主持 国家自然科学基金—青年科学基金项目“晶格缺陷在ZnO基d⁰铁磁体中所起作用的理论研究”（**）
3、主持 中国矿业大学青年科研基金 项目“半导体合金Zn_1-xBe_xO中缺陷和掺杂的理论研究”（2009A047）
4、主持 中国矿业大学“启航计划”科研基金项目“半导体合金Zn_1-xBe_xO中缺陷和掺杂的理论研究”
5、主持 中国矿业大学教育部“理科专项基金”项目“晶格缺陷对ZnO中磁性影响的理论研究” （2010LKWL03）
6、参与 国家重大基础研究计划（973）子课题项目“ZnO的能带、掺杂与极化的理论研究” （2011CB302003-1）

发表论文
1. Yanqin Gai, Jingbo Li, Shu-Shen Li, et al. Design of Narrow-Gap TiO2: A Passivated Codoping Approach for Enhanced Photoelectrochemical Activity. Physics Review Letter, 2009, 102, 036402.
2. Yanqin Gai, Jingbo Li, Shu-Shen Li, et al., Design of shallow acceptors in ZnO through novel compensated donor-acceptor complexes: A density functional calculation. Physical Review B，2009, 80, 153201.
3. Yanqin Gai, Haowei Peng, and Jingbo Li, Electronic Properties of Nonstoichiometric PbSe
Quantum Dots from First Principles. Journal of Physical Chemistry C, 2009, 113 (52): 21506-21511.
4. Y. Q. Gai, B. Yao, Z. P. Wei, et al. Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO. Applied Physics Letters, 2008, 92, 062110.
5．Yanqin Gai, Jingbo Li, Bin Yao, and Jian-Bai Xia. The bipolar doping of ZnS via native defects
and external dopants. Journal of Applied Physics, 2009, 105, 113704.
6. Y. Q. Gai，B. Yao，Y. F. Li，et al, Inffuence of hydrostatic pressure on the native point defects
in wurtzite ZnO: Ab initio calculation. Physics Letters A, 2008, 372 (30), 5077.
7. Y. Q. Gai，B. Yao, Y. M. Lu, et al. Electronic and optical properties of ZnO thin film under
in-plane biaxial strains: Ab initio calculation. Physics Letters A, 2007, 372, Issue 1, 72.
8. Yanqin Gai, Jingbo Li, et al., Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations. J. Phys. D: Appl. Phys. 2009, 42 155403.
9.Ping Ma, Yanqin Gai, Junxi Wang, et al. Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN Multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O₂. Applied Physics Letters, 2008, 93,102112. 【本人为通讯作者】

教学活动
承担《量子力学》《半导体器件物理》《大学物理A(1)》，《大学物理A(2)》及《大学物理B》的本科教学工作。
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