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姓名 |
蒋建忠 |
性别 |
男 |
出生年月 |
1972.5.2 |
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职称 |
副教授 |
职务 |
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联系方式 |
E-mail:jjzwxjn@163.com 手机： |
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教育背景 |
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学术兼职 |
无 |
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研究方向 |
气液微纳米化技术与装备，机械加工先进制造技术、摩擦学与表面工程。 |
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在研项目 |
1、“新型甲醇汽油细分子化装置的研发”企业横向 2、“细分子富氧水制备装置的制造”企业横向 3、“气液微纳米化工业循环水冷却装置”企业横向 4、省产学研前瞻性联合研究项目“基于高通量超重力旋流技术的高效油水分离器研制” |
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学术成果与奖励 |
参加完成国家自然科学基金1项、江苏省自然科学基金项目2项，主持省产学研前瞻性联合研究项目1项，江南大学重大自主科研基金项目1项。获轻工联合会科技进步二等奖、无锡市科技进步三等奖各1项，2012年入选无锡市东方硅谷创业领军人才。 |
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近期成果 |
研究成果细分子化富氧水制备技术与装备，气液微纳米化空气冷却水技术与装备处于国内领先地位，目前进入产业化阶段。 |
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近期论文 |
[1]A New Model for the Indentation Depth of a Particle into the Wafer Surface in Chemical Mechanical Polishing Process[J]. International Journal of Comprehensive Engineering Part C: 2012, Aug. 1. (EI) [2]Jiang Jianzhong, Zhao Yongwu, Luo Jianbin. A chemical mechanical polishing model based on the viscous flow of the amorphous layer[J]. Wear , 2008 (265) :992–998. (SCI) [3] 蒋建忠,赵永武,雒建斌. 一种基于非晶层粘性流动的机械化学抛光模型[J]. 中国机械工程, 2006,17( 24):2540-2546. (EI) [4] 蒋建忠,赵永武. 机械化学抛光过程单分子层材料吸附去除机理分析及建模[J]. 哈尔滨工业大学学报, 2006,38. (EI) [5] 蒋建忠,袁晓林.赵永武.CMP过程磨粒压入芯片表面深度的影响因素分析.中国机械工程. 2011,22(15): 1783-1787. (CSCD核心) [6] 蒋建忠,袁晓林.赵永武. CMP材料去除机制的研究进展. 润滑与密封.2011, 36(5): 101-105（CSCD） |
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