针对这一科学问题,中科院苏州纳米所张子旸课题组与中科院半导体所刘峰奇、王占国实验室合作利用调制掺杂的多层量子点结构,打破了传统半导体宽光谱光源中输出光谱宽度与输出功率相互制约的关系,成功地研制出了近红外波段高输出功率>20 mW、同时宽光谱 >130 nm的量子点SLD (如图1所示);随后又利用子带间跃迁的量子级联材料为增益介质,采用宽谱光源与光放大器单片集成的器件结构,实现了国际上第一支室温连续工作的中红外量子级联SLD(如图2所示),这一进展填补了中红外波段室温连续工作半导体宽光谱光源的空白。这些研究成果为提高目前近红外OCT系统的性能,实现多年前理论预言的中红外OCT系统奠定了材料及器件基础。
以上结果发表在Light: Science & Applications 7, 17170 (2018), 相关论文链接:https://www.nature.com/articles/lsa2017170 。 该工作得到了国家自然科学基金,国家重点研发计划和青年****资助。
![](http://www.sinano.ac.cn/xwdt/kydt/201804/W020180404593326349433.jpg)
图1 调制掺杂自组织量子点J型波导SLD结构示意图、光谱和P-I曲线
![](http://www.sinano.ac.cn/xwdt/kydt/201804/W020180404593326347262.jpg)
图2 室温连续工作的中红外量子级联SLD结构及发光示意图