王建峰博士，副研究员，生于1979年10月，2001年保送到武汉大学物理系攻读博士学位，2002年到中科院半导体研究所联合培养，从事“Si基GaN材料生长及应力研究”。2006年毕业，获理学博士学位。
　　在博士学位攻读期间，独立研制了原位应力测试系统，系统的研究了GaN材料在生长过程中的应力演变过程，在Appl. Phys. Lett.等杂志上发表论文数篇。2006年10月加入苏州纳米技术与纳米仿生研究所，2008年5月被聘为副研究员。
　　主要从事氮化镓晶片的研究及产业化开发工作。

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