张纪才，男，研究员，硕士生导师。

　　个人简介：
　　2005年毕业于中国科学院半导体研究所，获博士学位。2005至2006年，在以色列Technion-Israel Institute of Technology从事博士后研究，利用MOCVD技术生长GaN量子点及其多层结构。2006至2010年在日本Nagoya Institute of Technology做讲师研究员，参加了NGK insulators公司的AlGaN基深紫外LED的研发工作。2010年初到日本的Mie University从事AlN的高温HVPE生长工作。2010年底加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，任研究员，硕士生导师。

　　主要科学贡献：
　　利用MOCVD技术，首次报道了在非常粗糙AlN表面实现GaN量子点的生长结果；深入研究了AlGaN基深紫外LED生长和制备工艺，提出了多种器件结构和器件测试研究方法，所获得的265 nm器件的出光功率为当时世界上最好的结果之一；研究了离子注入对GaN光电性质的影响，首次同时在高温退火后的C离子注入GaN中观察到纳米金刚石晶粒和纳米石墨晶粒；提出了一种测量多量子阱中各种位错密度的方法，研究了不同位错对多量子阱发光的影响。先后参加了国家自然科学基金、国家自然科学基金及香港研究资助局联合基金、日本的“大口径Si基板上的四元合金氮化物基的发光及电子器件的研究”、 “高効率光?功率器件材料的开发”等科研项目，承担了以色列高等教育委员会博士后基金项目。在Appl. Phys. Lett., J. Appl. Cryst.，J. Appl. Phys., IEEE J. Quantum. Electron.等杂志上发表论文30余篇。

　　拟招生方向：
　　宽禁带半导体材料与器件物理

　　联系方式：
　　Tel：0512-62872639
　　E-mail:jczhang2010@sinano.ac.cn

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