吴秀梅副教授简历
作者：物理系文章来源：本站原创点击数：1809更新时间：2013/1/22
吴秀梅：女，博士，副教授，硕士生导师。在Appl.Phys.Lett.等国际核心期刊共发表学术论文30余篇，申请发明专利3项。全文被Phys.Rev.Lett.、MaterialsToday、AppliedPhys.Lett.等著名SCI期刊引用近120次，其中他引近80次。联系方式：江苏省南京市江宁区东南大学物理系田家炳南楼309邮编：211189电话：025-52090600-6309Email:xiumeiwu@seu.edu.cn主要研究领域：薄膜物理学，铁磁薄膜的外场效应，低维材料的可控生长主要研究经历：2012年5月-至今，东南大学物理系，副教授2007年6月-2012年4月，东南大学物理系，讲师2002年9月-2007年5月，南京大学固体微结构物理国家重点实验室，博士1998年9月-2002年9月，河南师范大学，物理与电子工程学院，学士主持的科研项目：1.“Fe3O4/BaTiO3磁电复合薄膜的应力效应研究”，国家自然科学基金青年科学基金项目，（2012/1-2014/12）,主持2.“Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜应力效应的理论研究”国家自然科学基金理论物理专项，（2011.01-2011.12），主持3.“BaTiO₃-CoFe₂O₄磁电复合薄膜材料应力效应的研究”南京大学固体微结构物理国家重点实验室开放课题，（2011.04-2013.03），支持4.“应力对多铁性薄膜性能影响的研究”，南京大学固体微结构物理国家重点实验室开放课题，（2009.04-2011.03），主持5.“应力与温度效应协同作用对Bi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂铁电薄膜材料性能影响的研究”，东南大学创新基金，（2011.01-2012.12）主持6.“多铁性磁电材料性能及应力效应的研究”，东南大学预研基金，（2010.07-2011.07）主持已发表部分论文及申请专利：[30]WuXM,ZhaiY,XuMXandKanY,“AnnealingtemperatureandultravioletirradiationeffectontheferroelectricpropertiesofBi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂thinfilms”,J.Nanosci.Nanotechnol.12，6567（2012）[29]WuXM,ZhaiY,XuMXandKanY;“EffectsofultravioletirradiationandsoaktimeontheleakagecurrentofBi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂thinfilms”,Phys.StatusSolidiC9,1,85–88(2012)[28]吴秀梅，翟亚，戴玉蓉，陈华，对薄膜提供外加原位应力的装置及其对应力值的测量方法，发明专利，申请号：201210402449.1，申请日：20121019[27]吴秀梅，翟亚，孙弘扬，欧慧灵，四氧化三铁与钛酸铋掺镧复合磁电薄膜的制备方法，发明专利，申请号：201210532448.9，申请日：20121211[26]WuXM,,DongS,ZhaiY,XuMX,KanY,TestingfieldandannealingtemperaturedependenceofleakagepropertiesinBi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂thinfilms”,ThinSolidFilms,519,2376(2011).[25]WuXM,ChenH,ZhaiY,LuXM,LiuYF,andZhuJS,”EffectsofswitchingpulsewidthandstressonpropertiesofBi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂thinfilms”,Chin.Phys.B.19,036802(2010).[24]WuXM,KanY,LuXM,ZhuJS,andZhaiY,”AnnealingtemperatureeffectoninternalstrainandferroelectricpropertiesofBi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂thinfilms”,Ferroelectrics,400,263(2010).[23]ChenH,WuXM,YangWX,“ModulatedTerahertzTransmissionthroughSub-WavelengthCuGratingbyLiquidWater”，Chin.Phys.Lett.27,010701(2010).[22]LiuYF,KanY,LuXM,CaiW,WuXB,WuXM,WangXF,BoHF,HuangFZ,ZhuJS，“StressimpactondielectricpropertiesofBi_3.15Nd_0.85Ti₃O₁₂films”，Appl.Phys.Lett.96,072902(2010).[21]WuXM,ZhaiY,KanY,LuXM,ZhuJS，“MechanicalstressinducedvoltageshiftinpolycrystallineBi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂thinfilms”，J.Appl.Phys.106,084105(2009).[20]WuXM,LuXM,,LiuYF,HuangFZ,ZhuJS，“StressanditsrelatedeffectsonthefatiguebehaviorofBi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂thinfilms”，SolidStateCommun.149,205(2009).[19]KanY,LiuYF,MiethO,BoHF,WuXM,LuXM,EngLM.andZhuJS，“MechanicalstressinducedpolarizationreorientationinpolycrystallineBi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂films”，Phys.Lett.A374,360(2009).[18]HuangFZ,LuXM,WangZ,XuS,WuXM,ZhuJS，“ImprovedelectricpropertiesofNd-dopedBiFeO₃thinfilmspreparedbymetalorganicdecompositionmethod”，Integr.Ferroelectr.96,112(2008).[17]LuZL,MoZR,ZouWQ,WangS,YanGQ,LiuXC,LinYB,XuJP,LvLY,WuXM,XiaZH,XuMX,ZhangFM,DuYW，“Room-temperatureferromagnetisminp-type(Mn,N)-codopedZnOthinfilmsachievedbythermaloxidationofsputteredZn₃N₂Mnfilms”，J.Phys.D:Appl.Phys.41,115008(2008).[16]LiLB,LuXM,ChenQD,WuXM,ZhuJS，“ThermodynamicanalysisofstresseffectonBi₄Ti₃O₁₂films”J.ApplPhys.103,034112(2008).[15]HuangFZ,LuXM,LinWW,CaiW,WuXM,KanY,SangH,ZhuJS，“MultiferroicpropertiesanddielectricrelaxationofBiFeO₃/Bi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂double-layeredthinfilms”，Appl.Phys.Lett.90,252903(2007).[14]WuXM,LuXM,KanY,HuangFZ,MaJ,andZhuJS，“CoeffectofsizeandstressinBi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂thinfilms”，Appl.Phys.Lett.89,122910(2006).[13]WuXM,HuangFZ,LuXM,WangX,KanY,MaJ,CaiW,ZhuJS，“Field-dependentferroelectricpropertiesofBLTthinfilmsunderdifferentstress”，Integr.Ferroelectr.85,175(2006).[12]WuXM,LuXM,GuoY,WuXS,CaiHL,ZhuJS，“StresseffectonBi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂thinfilms”，Integr.Ferroelectr.79,47(2006).[11]吴秀梅，吕笑梅，朱劲松，“应力对铋系铁电薄膜性能影响研究的进展”，物理学进展26,490(2006).[10]HuangFZ,LuXM,LinWW,WuXM,KanY,andZhuJS，“EffectofNddopantonmagneticandelectricpropertiesofBiFeO₃thinfilmspreparedbymetalorganicdepositionmethod’,Appl.Phys.Lett.89,242914(2006).[9]WangY,ZhuC,WuXM,LiuJM,”Temperature-dependentfatiguebehaviorsofferroelectricBi_4-xLa_xTi₃O₁₂thinfilms”，Integr.Ferroelectr.79,37(2006).[8]KanY,LuXM,WuXMandJinsongZhu，“DomainreversalandrelaxationinLiNbO₃singlecrystalsstudiedbypiezoresponseforcemicroscope”，Appl.Phys.Lett.89,262907(2006).[7]WuXM,LuXM,ChenAP,YinY,MaJ,LiW,KanY,QianD,andZhuJS，“StresseffectsonferroelectricandfatiguepropertiesofNd-andLa-dopedBi₄Ti₃O₁₂thinfilms”，Appl.Phys.Lett.86,092904(2005).[6]LuXM,WuXM,LiLB,QianD,LiW,YeYD,WuXS,ZhuJS，“SwitchingpropertiesofNd-andLa-dopedBi₄Ti₃O₁₂thinfilmsunderappliedstress”，Phys.Rev.B.72,212103(2005).[5]LiLB,WuXM,LuXM,ZhuJS，“EffectofexternalmechanicalstressonthedomainstructureofPb(Zr_0.35Ti_0.65)O₃thinfilms”，SolidStateCommun.135,703(2005).[4]GuJ,SuD,WuXM,SongCH,LiW,LuXM,ZhuJS，“Structuralandferroelectricpropertiesofyttriumsubstitutedbismuthtitaniumthinfilms”，ThinSolidFilms492,264(2005).[3]朱劲松，吕笑梅，杨震，吴秀梅，“薄膜电学性能测量中提供外加原位应力的装置及使用方法”，创新性发明专利，专利号：200410041050.0(2004.06.22)，中国[2]MaJ,LouJ,SuD,WuXM,SongCH,LuXM,ZhuJS，“StructuralandferroelectricpropertiesofBi_4-xY_xTi₃O₁₂films”，Integr.Ferroelectr.65,105(2004).[1]WuXM,,LiW,MaJ,QianD,LuXM,ZhuJS，“StressimpactinNddopedBi₄Ti₃O₁₂thinfilms”，Integr.Ferroelectr.65,13(2004).
文章录入：wanglin责任编辑：王琳

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