南京信息工程大学电子与信息工程学院导师教师师资介绍简介-刘向

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本站小编 Free考研考试/2021-03-28

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个人简介
刘向，2016年获得法国雷恩一大微电子博士（2013年获得东南大学电子工程硕士）。曾任中科院国家纳米中心助理研究员，法国科学院（CNRS）微晶体管微传感器中心助理研究员。现任南京信息工程大学电子与信息工程学院副研究员，以及南京市留学择优资助人才，南京市高层次创新创业（321）人才，江苏省电子学会青年科学家俱乐部，中关村信息谷新动能转换顾问专家。目前，申请4项发明专利，2项已授权。同时，已发表SCI/EI论文30余篇，其中以第一作者在中科院一区SCI期刊发表5篇，二区期刊8篇。作为项目申报人，主持国家自然科学基金，江苏省自然科学基金，江苏省优势学科，江苏省高校面上基金，南京市留学择优人才资助，南京市高层次创新创业等项目超过350万元。
目前主持项目如下：

国家自然科学基金（青年）
国家基金委
28万
2019年

江苏省自然科学研发计划（青年）
江苏省科技厅
20万
2019年

江苏省高校自然科学面上基金
江苏省教育厅
5万
2018年

南京市择优留学人才项目（B）
南京市人社局
5万
2019年

南京市高层次创新创业人才
南京市科技局
100万
2019年

江苏省电子学会青年科技人才
江苏省电子学会
3万
2019年

指导互联网+创业大赛江苏省三等奖
江苏省教育厅
2.5万
2019年

指导国家大学生创业重点项目
国家教育部
5万
2019年

指导江苏省大学生创新一般项目
江苏省教育厅
0.6万
2019年

社会兼职

泰州信息产业专家库专家

江苏省电子学会优博苑

中关村信息谷首席顾问专家

教育经历
2010.9-2013.6
东南大学 | 无硕士研究生毕业

2014.9-2017.1
法国雷恩第一大学 | 电子 | 工学博士 | 博士研究生毕业

研究方向
微纳集成的光电互联器件及电路系统

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基本信息
教师姓名：刘向
职称：副研究员（高校）
所在单位：电子与信息工程学院

个人简介
刘向，2016年获得法国雷恩一大微电子博士（2013年获得东南大学电子工程硕士）。曾任中科院国家纳米中心助理研究员，法国科学院（CNRS）微晶体管微传感器中心助理研究员。现任南京信息工程大学电子与信息工程学院副研究员，以及南京市留学择优资助人才，南京市高层次创新创业（321）人才，江苏省电子学会青年科学家俱乐部，中关村信息谷新动能转换顾问专家。目前，申请4项发明专利，2项已授权。同时，已发表SCI/EI论文30余篇，其中以第一作者在中科院一区SCI期刊发表5篇，二区期刊8篇。作为项目申报人，主持国家自然科学基金，江苏省自然科学基金，江苏省优势学科，江苏省高校面上基金，南京市留学择优人才资助，南京市高层次创新创业等项目超过350万元。
目前主持项目如下：

国家自然科学基金（青年）
国家基金委
28万
2019年

江苏省自然科学研发计划（青年）
江苏省科技厅
20万
2019年

江苏省高校自然科学面上基金
江苏省教育厅
5万
2018年

南京市择优留学人才项目（B）
南京市人社局
5万
2019年

南京市高层次创新创业人才
南京市科技局
100万
2019年

江苏省电子学会青年科技人才
江苏省电子学会
3万
2019年

指导互联网+创业大赛江苏省三等奖
江苏省教育厅
2.5万
2019年

指导国家大学生创业重点项目
国家教育部
5万
2019年

指导江苏省大学生创新一般项目
江苏省教育厅
0.6万
2019年

科学研究
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论文成果 More>>
刘向. Narrow-Band QD-Enhanced PIN Metal-Oxide Heterostructure Phototransistor with the Assistance of Printing Processes .ADVANCED OPTICAL MATERIALS ,8 (4) :8p
刘向. Infrared phototransistor induced by MoS2 quantum dots encapsulated in lead iodide perovskite .IEEE Electron Device Letters ,40 (5) :746-749
刘向. High sensitive solar blind phototransistor based on ZnO nanorods/IGZO heterostructure annealed by laser .Materials Letters ,228 (-) :451-455
刘向. Photo-modulated thin film transistor based on dynamic charge transfer within quantum-dots-InGaZnO interface .APPLIED PHYSICS LETTERS ,101 (11) :文献号：113501
刘向. A highly sensitive and fast graphene nanoribbon/CsPbBr3 quantum dot phototransistor with enhanced vertical metal oxide heterostructures .NANOSCALE ,10 (21) :10182-10189
刘向. Highly sensitive visible and near-infrared photo-FET based on PbS quantum dots embedded in the gate insulator .2016 10th International Conference on Sensing Technology, ICST ，IEEE (0) :1
刘向. A FET Structure Field Emission Device With High-Speed Pulse Signal Control .IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS ,34 (4) :550-552
刘向. High-Performance Ge Quantum Dot Decorated Graphene/Zinc-Oxide Heterostructure Infrared Photodetector .ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES ,7 (4) :2452-2458
刘向. Graphene nanomesh photodetector with effective charge tunnelling from quantum dots .NANOSCALE ,7 (9) :4242-4249
刘向. High Efficiency Light-Emitting Transistor with Vertical Metal–Oxide Heterostructure .Small ,14 (22) :文献号: **

科研项目
高性能低功耗的光电晶体管探测器的研究 ,国家自然科学基金项目主持人

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基本信息
教师姓名：刘向
职称：副研究员（高校）
所在单位：电子与信息工程学院
个人简介
刘向，2016年获得法国雷恩一大微电子博士（2013年获得东南大学电子工程硕士）。曾任中科院国家纳米中心助理研究员，法国科学院（CNRS）微晶体管微传感器中心助理研究员。现任南京信息工程大学电子与信息工程学院副研究员，以及南京市留学择优资助人才，南京市高层次创新创业（321）人才，江苏省电子学会青年科学家俱乐部，中关村信息谷新动能转换顾问专家。目前，申请4项发明专利，2项已授权。同时，已发表SCI/EI论文30余篇，其中以第一作者在中科院一区SCI期刊发表5篇，二区期刊8篇。作为项目申报人，主持国家自然科学基金，江苏省自然科学基金，江苏省优势学科，江苏省高校面上基金，南京市留学择优人才资助，南京市高层次创新创业等项目超过350万元。
目前主持项目如下：

国家自然科学基金（青年）
国家基金委
28万
2019年

江苏省自然科学研发计划（青年）
江苏省科技厅
20万
2019年

江苏省高校自然科学面上基金
江苏省教育厅
5万
2018年

南京市择优留学人才项目（B）
南京市人社局
5万
2019年

南京市高层次创新创业人才
南京市科技局
100万
2019年

江苏省电子学会青年科技人才
江苏省电子学会
3万
2019年

指导互联网+创业大赛江苏省三等奖
江苏省教育厅
2.5万
2019年

指导国家大学生创业重点项目
国家教育部
5万
2019年

指导江苏省大学生创新一般项目
江苏省教育厅
0.6万
2019年

论文成果
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[1] Narrow-Band QD-Enhanced PIN Metal-Oxide Heterostructure Phototransistor with the Assistance of Printing Processes ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 8(4): 8p
[2] Infrared phototransistor induced by MoS2 quantum dots encapsulated in lead iodide perovskite IEEE Electron Device Letters, 40(5): 746-749
[3] High sensitive solar blind phototransistor based on ZnO nanorods/IGZO heterostructure annealed by laser Materials Letters, 228(-): 451-455
[4] Photo-modulated thin film transistor based on dynamic charge transfer within quantum-dots-InGaZnO interface APPLIED PHYSICS LETTERS, 101(11): 文献号：113501
[5] A highly sensitive and fast graphene nanoribbon/CsPbBr3 quantum dot phototransistor with enhanced vertical metal oxide heterostructures NANOSCALE, 10(21): 10182-10189
[6] Highly sensitive visible and near-infrared photo-FET based on PbS quantum dots embedded in the gate insulator 2016 10th International Conference on Sensing Technology, ICST ，IEEE, 1
[7] A FET Structure Field Emission Device With High-Speed Pulse Signal Control IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 34(4): 550-552
[8] High-Performance Ge Quantum Dot Decorated Graphene/Zinc-Oxide Heterostructure Infrared Photodetector ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 7(4): 2452-2458
[9] Graphene nanomesh photodetector with effective charge tunnelling from quantum dots NANOSCALE, 7(9): 4242-4249
[10] High Efficiency Light-Emitting Transistor with Vertical Metal–Oxide Heterostructure Small, 14(22): 文献号: **
[11] Dual-gate phototransistor with perovskite Quantum dots-PMMA photosensing nanocomposite insulator IEEE Electron Device Letters, 38(9): 1270-1273

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