王伟简介
性别：男
学位：工学博士
最高学历：博士研究生
职称：副教授
职务：
所在单位：电子科学与工程学院、电工电子实验教学中心
导师类别：硕士生导师
招生学科：080901物理电子学


个人简介
王伟（1964年5月－），男，副教授。毕业于东南大学，获生物医学工程专业工学博士学位。现在南京邮电大学电子科学与工程学院从事纳电子器件的科研教学工作，主要研究方向是纳电子器件量子输运的建模仿真。现主持一项江苏省高校自然科学研究面上项目“Graphene-based新型自旋场效应管研究（No10KJD510006）”，另外，作为主要参加者参与一项江苏省高校自然科学研究面上项目“新型石墨烯材料结构及量子自旋霍尔效应研（No10KJD510005）”。近年来，在国内外学术刊物上发表论文30余篇,其中包括IEEETransactionsonElectronDevices，SolidStateElectronics，SuperlatticesandMicrostructures等国际核心期刊。
研究方向及主要成果
研究方向：纳电子学，图像处理
近期发表的主要学术论文
[1]WeiWang,NingGu,J.P.Sun,andP.Mazumder.GateCurrentModelingofHigh-kStackNanoscaleMOSFETs.SolidStateElectronics2006,50(9):1489-1494.（Sci,Ei收录）
[2]WeiWang,JianhuiLiao,JianpingSun,andNingGu.Simulationoftheelectricalcharacteristicsofaone-dimensionalquantumdotarray.SuperlatticesandMicrostructures,2008,44(6):721-727.（Sci,Ei收录）
[3]J.P.Sun,WeiWang,ToruToyabe,NingGu,andPinakiMazumder.ModelingofGateCurrentandCapacitanceinNanoscale-MOSStructures,IEEETransactionsonElectronDevices2006,53(12):2950-2957.（Sci,Ei收录）
[4]WangWei,SunJianping,andGuNing.ModelingofGateTunnelingCurrentforNanoscaleMOSFETswithHigh-kGateStacks,ChineseJournalofSemiconductors,2006,27(7):1170-1176.（Ei收录）
[5]WeiWang,J.P.Sun,ToruToyabe,NingGu,andPinakiMazumder.Modelingofhigh-kgatestackoftunnelbarrierinnonvolatilememoryMOSstructure,IEEEnano2008,8thIEEEConferenceonNanotechnology,2008:3-5.（Ei收录）
[6]王伟,黄岚,张宇,李昌敏,张海黔,顾宁,沈浩瀛,陈堂生,郝丽萍,彭力,赵丽新.用分子自组装技术制备的单电子器件的MonteCarlo模拟.物理学报,2002,51(1):63-67.（Sci,Ei收录）
[7]王伟,张海黔,顾宁.随机背景极化电荷对单电子电路影响的分析.固体电子学研究与进展,2003,23(1):14-17.（Ei收录）
[8]王伟,孙建平,顾宁.基于氧化铪的栅介质纳米MOSFET栅电流模型.固体电子学研究与进展,2006,26(4):436-440.（Ei收录）
[9]王伟,孙建平,徐丽娜，顾宁.减少纳米MOS器件栅电流的研究分析.电子器件,2006,29(3):617-619.（Ei收录）
[10]王伟,孙建平,顾宁.纳米级MOSFET隧穿栅电流量子模型.微电子学.2006,36(5):622-625.
[11]王伟,孙建平,顾宁.纳米双栅MOSFET的量子格林函数模拟.东南大学学报,2006,36(6):917-919.（Ei收录）
[12]王伟，孙建平，顾宁.高k介质纳米MOSFET栅电流和电容模型.南京邮电大学学报,2006,26(6):6-10.（Ei收录）
[13]王伟,孙建平,顾宁.纳米MOS器件栅泄漏电流的模拟分析，第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议论文集，2007:740-742.
[14]王伟，廖建辉，孙建平，顾宁.一维纳米颗粒链电学特性的格林函数模拟，2007纳米和表面科学与技术全国会议论文集，2007:79-79.
[15]王伟.纳米MOS器件的设计模型.电气电子教学学报,2006,28(10):57-60.
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