陈琳简介
性别：男
学位：工学博士
最高学历：博士研究生
职称：讲师
职务：
所在单位：电子科学与工程学院、电工电子实验教学中心
导师类别：硕士生导师
招生学科：080901物理电子学


个人简介
陈琳,男,1980年生,毕业于南京大学物理学系,获微电子学与固体电子学博士学位。2009年起在南京邮电大学电子科学与工程学院工作。教学方面担任电子技术和集成电路技术的授课工作；科研方面，主要方向为Ⅲ-Ⅴ族半导体材料和器件的研究。目前承担南京邮电大学引进人才启动项目一项，参与国家自然科学基金面上项目和青年基金基础上各一项。
研究方向及主要成果
主要研究方向为Ⅲ-Ⅴ族半导体材料和器件。特别致力于氢化物气相外延（HVPE）技术生长GaN材料，曾使用自制氢化物气相外延(HVPE)系统，生长出国内首块2英寸自支撑氮化镓外延片。

近年来，基于宽带隙半导体的电子器件以超过30%的年增长速度发展。宽带隙半导体又称第三代半导体材料，其中以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料在行业中居于基础性的领导地位。这样的成长与多种因素有密切关系，但最主要的是衬底材料的发展。为提高蓝紫光光电器件的运行效率和寿命，对同质外延衬底的需要愈加迫切。当前采用HVPE方法生长GaN厚膜并剥离的方法是获得GaN块状衬底最为可行的手段。因而近年来关于GaN体材料的HVPE制备及优化技术研究成为热点领域。
我在多年实验工作中积累了CVD设备构建、操作以及进行薄膜材料制备和表征的丰富经验。材料是为器件服务的，优秀的材料，其质量最终要在器件上得到体现，因此我们在工作中频繁接触GaN/AlGaN/InGaN基LED、激光器（LD）以及光电探测器件的设计、模拟、生长、封装、测试等环节。宽带隙半导体材料质量的优劣是影响蓝紫光LED器件的发光强度、效率和寿命等参数高低的根本性因素；而器件设计封装工艺又决定了材料性能发挥的程度；当芯片在白光照明领域应用时，出光部件的组装、外围电路的设计配置、供电与散热的处理等环节则将最终显示出新一代半导体照明产品的高亮度、低成本、长寿命、节能环保等时代性的领先优势。

附：近五年代表性成果
1论文
Theeffectoftheannealingonthethermalexpansionbehavioroffree-standingGaNJournalofRareEarths，2007
ThegrowthofGaNfilmsonSisubstratesbyHVPE5thPacificRimInternationalConferenceonAdvancedMaterialsandProcessing，2006
StudyofthedefectsinGaNepitaxialfilmsgrownonSapphirebyHVPEThinfilmphysicsandapplications，

在研项目
1氮化镓薄膜外延生长的动力学研究校引进人才项目NY2090092009.1-2011.124.5万元
2SOI功率器件横向变厚度耐压新技术的机理、工艺和模型研究国家自然科学基金（61076073/F040403）2011.1-2013.1237万元
3Fe3N/GaN纳米复合颗粒微结构及磁性研究国家自然科学基金（61106009/F040104）2012.1-2014.1228万元

专利
1制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法专利号200510095245，2008年1月授权3/11(主要发明人)
2利用氢化物汽相外延方法在硅衬底上生长GaN薄膜专利号200410041443，2007年7月授权3/13
3无掩膜横向外延生长高质量氮化镓专利号200410065676，2007年2月授权3/12
4一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法专利号200410041436，2007年8月授权4/12
联系方式
移动电话：
单位电话：85866408
住宅电话：
Email：cl@njupt.edu.cn备注