徐跃简介
性别：男
学位：工学博士
最高学历：博士研究生
职称：副教授
职务：
所在单位：电子科学与工程学院、电工电子实验教学中心
导师类别：硕士生导师
招生学科：080903微电子学与固体电子学


个人简介
江苏省南京市人，工学博士，现为南京邮电大学电子科学与工程学院副教授，硕士生导师。近年来，作为主要研究人员参与并完成了国防重大探索项目，国家自然科学基金，江苏省科技支撑项目，江苏省自然科学基金等多个项目。目前主持江苏省自然科学基金面上项目和江苏省高校自然科学基金面上项目各1项，横向课题和校级课题各2项，作为主要研究人员，正在参与973国家重点研究计划课题和国家自然科学基金青年基金各1项。迄今为止，以第一作者在Sensors、Solid-StateElectronics、IETCircuit,Devices&Systems、MicroelectronicsReliability、ChinesePhysicsLetters、ChineseJournalofSemiconductors、电路与系统学报等国际、国内权威期刊和国际会议上发表论文近30篇，其中SCI收录7篇，EI收录4篇。目前已获美国发明专利授权1项，中国发明专利授权3项，正在申请1项国际发明专利和十余项国内发明专利。
研究方向及主要成果
主要研究方向：CMOS模拟集成电路设计，CMOS片上传感器芯片设计，非挥发性存储器可靠性研究等。
主要成果：
1.论文：
[1]YueXu,Hong-binPan.AnimprovedequivalentsimulationmodelforCMOSintegratedHallplates,Sensors,(11),6284-6296,2011.（SCI收录）
[2]YueXu,Hong-binPan,Shun-zhuanHeandLiLi.AHighlySensitiveCMOSDigitalHallSensorforLowMagneticFieldApplications.Sensors,12(2),2162-2174,2012.（SCI收录）
[3]YueXu,FengYan,Dun-JunChen,YiShi,Yong-GangWang,Zhi-GuoLi,FangYang,JoshuaWang.InvestigationofImpactofShallowTrenchIsolationonSONOSTypeMemoryCells,Solid-StateElectronics,54(12):1644-1649,2010.（SCI,EI收录）
[4]XuYue,YanFeng,ChenDun-Jun,ShiYi,WangYong-Gang,LiZhi-Guo,YANGFanandJos-Hua.ImprovedProgrammingEfficiencythroughAdditionalBoronImplantationatActiveAreaEdgein90nmLocalizedCharge-TrappingNon-VolatileMemory,ChinesePhysicsLetters,27(6):067201-1-3,2010.（SCI收录）
[5]YueXu,FengYan,Zhi-GuoLi,FanYang,Jian-guangChang,Yong-GangWang.InvestigationofSTIEdgeEffectonProgrammingDisturbinLocalizedChargeTrappingSONOSFlashMemoryCells.MicroelectronicReliability,2012(52):1337-1341.（SCI,EI收录）
[6]YueXu,Chun-boWua,Xiao-liJi,FengYan,YiShi.Animprovedmultilevelcellprogrammingtechniquefor4-bits/celllocalizedtrappingSONOSmemorydevices,MicroelectronicReliability,(53),118-122,2013.（SCI,EI收录）
[7]YueXu,Hong-binPan,Shun-zhuanHeandLiLi.AMonolithicH-BridgeBrushlessDCVibrationMotorDriverwithaHighlySensitiveHallSensorin0.18μmCMOStechnology,IETCircuit,Devices&Systems,(7),204-210,2013.（SCI,EI收录源期刊）
[8]XuYue.ReducingtheinfluenceofSTIonSONOSmemorythroughoptimizingaddedboronimplantationtechnology,ChineseJournalofSemiconductors,31(9):094003-1,2010.（EI收录）
[9]ZhaoFeiFei,XuYue,GuoYuFeng.AfullyIntegratedSinglePhotonAvalancheDiodeDetectorin130nmCMOSTechnology.20123rdInternationalConferenceonDigitalManufacturingandAutomation,2012,pp.54-57.（EI收录）
[10]YueXu,Fei-FeiZhao.ASimplifiedSimulationModelforCMOSIntegratedHallDevicesWorkingatLowMagneticFieldCircumstance,10thIEEEInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology(ICSICT),2010,pp.1925–1927.（EI收录）
[11]YueXu,Chun-boWu,Xiao-liJi,FengYan.An3-bitmultilevelcellprogrammingmethodinnitridememorydevices.11thIEEEInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology(ICSICT),Shanghai,2012,pp.1-3.（EI收录）
[12]XuYue,PanHongbin,HeShuzhuan,ZhaoMaoandShiYi.AHighlySensitiveHallSensorforBrushlessDCMotor.ProceedindsoftheThirdInternationalSymposiumonTestAutomation&Instrumentation,pp.446-450,Xiamen,2010.
[13]徐跃，杨英强,无刷直流振动电机驱动电路设计.微电子学，第40卷，第3期,354-357页，2010.
[14]徐跃,杨英强,1V高线性度2.4GHzCMOS低噪声放大器,电路与系统学报,第14卷，第4期,97-100页，2009.

2.已获授权的发明专利：
[1]Methodforoperatingahighdensitymulti-levelcellnon-volatileflashmemorydevice,patent:US8,462,556B1,dataofpatent:Jun.11,2013.(第1发明人）
[2]一种十字型CMOS集成磁传感器的电路仿真模型，2012.11，中国，ZL201110191728.3.(第1发明人）
联系方式
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单位电话：85866403
住宅电话：
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