王科微电子与光电子学系 博导



个人简历
2000年毕业于南京大学，2003年获香港大学硕士，2007年获英国Strathclyde大学博士。
2008-2013日本立命馆大学历任日本学术振兴会JSPS博士后及高级研究员（名西研究室Nanishi Lab）；
2013-2016日本千叶大学副教授（吉川研究室Yoshikawa Lab）；
2016-2018日本国立理化学研究所（RIKEN）研究员（平山量子光器件研究室Hirayama Lab）；
2018年起南京大学电子学院教授，RIKEN客座研究员。
长期从事半导体光电材料与器件的前沿研究，主要包括宽禁带氮化物半导体的材料外延生长，物性分析，新型光电器件，尤其是氮化物分子束外延生长（MBE）技术。在Appl. Phys. Lett.、Phys. Rev. B.、Scientific Reports、Appl. Phys. Express. 等重要学术刊物上发表SCI 论文34篇，EI论文4篇，其中第一及通讯作者21篇。为Appl. Phys. Lett.、J. Appl. Phys.、Appl. Phys. Express.、AIP Advance, Opt. Express 等学术刊物的审稿人。做国际会议邀请报告10余次、演讲30余次。主持国家自然科学基金项目一项，在日期间主持日本学术振兴会项目两项，参与日本学术振兴会、日本科学技术振兴机构等大型项目七项，对氮化物半导体的一些前沿难题进行了深入研究，涵盖高铟组分InGaN和高铝组分AlGaN 的MBE生长机制、p-型掺杂控制、材料物性、超晶格、太阳电池等。近年重点研究AlGaN深紫外发光器件，以及GaAs系和GaN系量子级联激光器等。

研究方向

氮化物半导体分子束外延生长（MBE）技术
氮化物纳米结构、量子阱、超晶格等物理与器件
AlGaN材料及深紫外发光器件（DUV-LED)
传统GaAs系量子级联激光器（QCL）及新型GaN系QCL

主要课程
信息电子学前沿实验-原子层磊

代表成果
1. Li Wang, Tsung-Tse Lin, Ke Wang*, Thomas Grange, Stefan Birner & Hideki Hirayama, “Short-period scattering-assisted terahertz quantum cascade lasers operating at high temperatures”, Scientific Reports 9, 9446 (2019)
2. T.T. Lin, L. Wang, K. Wang*and H. Hirayama, “Optimization of terahertz quantum cascade lasers by suppressing carrier leakage channel via high-energy state”, Appl. Phys. Express.11, 112702 (2018)
3. Ke Wang, T. Grange, T. T. Lin, L. Wang, Z. Jéhn, S. Birner, J. Yun, W. Terashima and H. Hirayama, “Broadening mechanisms and self-consistent gain calculations for GaN quantum cascade laser structures”, Appl. Phys. Lett.113, 061109 (2018)
4. K. Wang, T. T. Lin, L. Wang, W. Terashima, and H. Hirayama, “Controlling loss of waveguides for potential GaN terahertz quantum cascade lasers by tuning the plasma frequency of doped layers”, J. J. Appl. Phys.57, 081001 (2018)
5. K. Wang,D. Imai, K. Kusakabe, A. Yoshikawa, “Leak path passivation by in-situ Al-N for InGaN solar cells operating at wavelengths up to 570 nm”, Appl. Phys. Lett.108, 092105(2016)
6. K. Wang, D. Imai, K. Kusakabe, A. Yoshikawa, “Proposal of leak path passivation for InGaN solar cells to reduce the leakage current”, Appl. Phys. Lett.108, 042108(2016)
7. K. Wang, T. Araki, M. Takeuchi, E. Yoon, Y. Nanishi, “Selective growth of N-polar InN through an in situ AlN mask on a sapphire substrate", Appl. Phys. Lett. 104, 032108 (2014)
8. K. Wang, T. Araki, K. M. Yu, T. Katsuki, M. A. Mayer, E. Alarcon Llado, J. W. Ager III, W. Walukiewicz and Y. Nanishi, “P-type InGaN across the entire alloy composition range”, Appl. Phys. Lett. 102, 102111 (2013)
9. K. Wang,N. Miller, R. Iwamoto, T. Yamaguchi, M. A. Mayer, T. Araki, Y. Nanishi, K. M. Yu, E. E. Haller, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, “Mg doped InN and confirmation of free holes in InN”, Appl. Phys. Lett. 98., 042104 (2011)
10. K. Wang,K. P. O’Donnell, B. Hourahine, R. W. Martin, I. M. Watson, K. Lorenz, and E. Alves, “Luminescence of Eu ions in AlxGa1-xN across the entire alloy composition range”, Physical. Review. B. 80,125206 (2009)
11. K. Wang,R.W. Martin, E. Nogales, P.R. Edwards, K.P. O’Donnell, K. Lorenz, E. Alves, and I.M. Watson, “Cathodoluminescence of rare earth implanted AlInN”, Appl. Phys. Lett. 89, 131912 (2006)
12. K. Wang, R.W. Martin, K.P. O'Donnell, V. Katchkanov, E. Nogales, K. Lorenz, E. Alves, S. Ruffenach and O. Briot, “Selectively excited photoluminescence from Eu-implanted GaN”, Appl. Phys. Lett. 87,112107 (2005)



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