王学锋微电子与光电子学系 博导



个人简历
王学锋，教授，博士生导师，国家优秀青年基金获得者(2018)，教育部新世纪优秀人才(2012)。2002年于武汉理工大学材料学院获学士学位，2007年于香港中文大学电子工程系获博士学位，2008年在澳大利亚悉尼大学从事博士后研究，2009年在香港中文大学做访问****，2010年入职南京大学，2014年聘为教授。
近年来围绕先进自旋电子材料与器件、薄膜异质结、量子输运等方向开展了多项原创科学研究。作为项目负责人先后主持国家自然基金、JWKJW项目等8项。在Nat. Nanotechnol., Nat. Commun., Adv. Mater., JACS, Nano Lett., ACS Nano等著名期刊上发表SCI论文90余篇，其中第一/通讯作者论文50余篇，SCI总引用1800余次，H因子22。参编《量子物理》教材一部，合作撰写《半导体科学与技术》等专著章节4篇，以第一发明人申请/授权国家发明专利8项。曾获中国建材联合会科学技术奖一等奖等奖项。
已培养博士6名、硕士9名。所培养的研究生多人获“国家奖学金”等荣誉，毕业学生去向包括著名大学与科研院所、著名半导体与IT类企业。热忱欢迎有志科研的优秀同学加盟LIFF！

ResearcherID
课题组网页：信息功能薄膜与自旋电子器件实验室(LIFF)

研究方向
(1) 功能薄膜
(2) 拓扑电子器件
(3) 微波及自旋电子器件

主要课程
量子物理与通信（本科生）；信息电子学前沿实验（本科生）；自旋电子学概论（研究生）

代表成果
(1) B. Liu, W. Niu, Y. D. Chen, X. Z. Ruan, Z. X. Tang, X. F. Wang*, W. Q. Liu, L. He, Y. Li, J. Wu, S. L. Tang, J. Du, R. Zhang, Y. B. Xu*, Ultrafast orbital-oriented control of magnetization in half-metallic La0.7Sr0.3MnO3 films, Adv. Mater.31, ** (2019).
(2) M. H. Zhang, H. Q. Wang, K. J. Mu, P. D. Wang, W. Niu, S. Zhang, G. L. Xiao, Y. Q. Chen, T. Tong, D. Z. Fu, X. F. Wang*, H. J. Zhang*, F. Q. Song*, F. Miao, Z. Sun, Z. C. Xia, X. R. Wang, Y. B. Xu, B. G. Wang, D. Y. Xing, R. Zhang, Topological phase transition-induced triaxial vector magnetoresistance in (Bi1-xInx)2Se3 nanodevices, ACS Nano12, 1537-1543 (2018).
(3) W. Niu, Y. Zhang, Y. L. Gan, D. V. Christensen, M. V. Soosten, E. J. Garcia-Suarez, A. Riisager, X. F. Wang*, Y. B. Xu, R. Zhang, N. Pryds, Y. Z. Chen*, Giant tunability of the two-dimensional electron gas at the interface of Al2O3/SrTiO3, Nano Lett.17, 6878-6885 (2017).
(4) X. F. Wang*, X. C. Pan, M. Gao, J. H. Yu, J. Jiang, J. R. Zhang, H. K. Zuo, M. H. Zhang, Z. X. Wei, W. Niu, Z. C. Xia, X. G. Wan, Y. L. Chen, F. Q. Song*, Y. B. Xu, B. G. Wang, G. H. Wang, R. Zhang*, Evidence of both surface and bulk Dirac bands and anisotropic nonsaturating magnetoresistance in ZrSiS, Adv. Electron. Mater.2, ** (2016). Cover Image paper; Highlighted by MaterialsViews.
(5) M. H. Zhang, X. F. Wang*, S. Zhang, Y. Gao, M. Gao, X. Q. Zhang, Z. H. Yu, F. Q. Song, J. Du, X. R. Wang, L. He, Y. B. Xu, R. Zhang, Unique current-direction-dependent ON-OFF switching in BiSbTeSe2 topological insulator-based spin valve transistors, IEEE Electron Device Lett.37, 1231 (2016).
(6) T. S. Chen, W. Q. Liu, F. B. Zheng, M. Gao, X. C. Pan, G. van der Laan, X. F. Wang*, Q. F. Zhang*, F. Q. Song*, B. G. Wang, B. L. Wang, Y. B. Xu, G. H. Wang, R. Zhang, High-mobility Sm-doped Bi2Se3 ferromagnetic topological insulators and the robust exchange coupling, Adv. Mater.27, 4823 (2015).
(7) X. F. Wang*, F. Q. Song*, Q. Chen, T. Y. Wang, J. L. Wang, P. Liu, M. R. Shen, J. G. Wan, G. H. Wang, J. B. Xu, Scaling dopant states in a semiconducting nanostructure by chemically resolved electron energy-loss spectroscopy: A case study on Co-doped ZnO,J. Am. Chem. Soc.132, 6492 (2010).
(8) Z. H. Zhang, X. F. Wang, J. B. Xu, S. Muller, C. Ronning, Q. Li*, Evidence of intrinsic ferromagnetism in individual dilute magnetic semiconducting nanostructures, Nature Nanotechnol.4, 523-527 (2009).
(9) X. F. Wang, J. B. Xu*, B. Zhang, H. G. Yu, J. Wang, X. X. Zhang, J. G. Yu, Q. Li, Signature of intrinsic high-temperature ferromagnetism in cobalt-doped zinc oxide nanocrystal, Adv. Mater.18, 2476 (2006).
(10) 陈植芸，王学锋，《量子物理：学习现代物理的基本方法》，高等教育出版社，ISBN: 978-7-04-041449-3 (2015).




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