徐永兵微电子与光电子学系 博导



个人简历
徐永兵，1965年生于江苏南通如东，南京大学物理系学士、硕士及博士，英国利兹大学博士，剑桥大学博士后，南京大学（Nanjing University）-约克大学（York University）自旋电子学国际联合研究中心主任（Co-Director），“计划”国家特聘专家（Distinguished Concurrent Professor），国家重大研发计划（973）首席科学家、国家自然科学基金重大仪器研制项目负责人。在英国Leeds大学（研究助理）、英国国家同步辐射实验室（团队领导）、剑桥大学卡文迪许实验室（高级研究员，博导)、约克大学（纳米技术首席终身教授）工作多年。
徐永兵教授专长于先进电子材料与器件、自旋电子学、自旋存储芯片（MRAM,SpinFET）、超快材料科学的研究，在Prog.Mater.Sci.,Sci.Adv.,Phys. Rev. Lett., Nat. Comm., Adv. Mater., Nano Letter, ACS Nano 等SCI学术期刊上发表研究论文300多篇，申请及授权相关专利30余项，是零磁场下STT 效应 (STT-MRAM)及自旋芯片材料（SpinFET）的开创者之一。 2000年获英国国家工程和物理科学研究部杰出科学奖EPSRC Advanced Fellowship Award，为当年剑桥大学唯一入选者。任英、中、美十多所著名大学组成的世界大学联盟WUN“自旋电子学”重大国际合作项目执行委员会主席，是美国自然科学基金评审委员会委员，欧洲科学基金评审委员会委员，英国物理协会委员会委员，英国科技部十年规划委员会委员，是五次国际自旋电子学会议的大会主席。 同时担任国际著名出版社Elsevier综述刊物《Current Opinion in Solid State and Material Science》编辑，国际著名出版社Taylor and Francis 《Spintronic Materials and Technology》及《Electronic Materials and Devices》丛书主编，以及Springer重大参考书《Handbook of Spintronics》的主编。
出版论著：
[1]Yongbing Xu and Sarah Thompson, “Spintronic Materials and Technology”, Taylor & Francis Group, LLC, ISBN: , Publication Date: 10/26/2006
[2]Yongbing Xu, David Awschalom, and Junsaku Nitta, “Handbook of Spintronics”, Two Volumes, Springer, ISBN 978-94-007-6892-5, Published, 2016.
[3] Wenqing Liu, Yongbing Xu,Spintronic 2D Materials: Fundamentals and Applications, Elsevier,ISBN: 45, Published, 2019.

研究方向
先进电子材料与器件、自旋电子学、自旋存储芯片（MRAM,SpinFET）、超快材料科学、分子束外延生长，纳米制造等。

主要课程
徐永兵教授讲授以下课程（中英文）：
Advanced Information Storage（先进信息存储）
Spintronics （自旋电子学概论）
Solid State Physics（固体物理）
Nanoelectronics（纳米电子学）
Nanofabrication & NanoMeasurements（纳米制造）
High Frequency and High Speed Electronics（高频高速电子学）

代表成果
[1] “Hybrid spintronic materials: Growth, structure and properties”, Wenqing Liu, Ping Kwan Johnny Wong, and Yongbing Xu, Progress in Materials Science, 99 27-105(2019)（Five Years Impact Factor: 33.19）
[2] Experimental Observation of Dual Magnetic States in Topological Insulators,Wenqing Liu,Yongbing Xu,Liang He,Gerrit van der Laan,Rong Zhang,Kang Wang, Science Advances, 5 , eaav2088 (2019)
[3] Ultrafast orbital-oriented control of magnetization in half-metallic La0.7Sr0.3MnO3 films,Bo Liu, Wei Niu,Yongda Chen,Xuezhong Ruan, Zhixiong Tang, Xuefeng Wang,Wenqing Liu Liang He,Yao Li, Jing Wu, Shaolong Tang, Jun Du, Rong Zhang, and Yongbing Xu, Advanced Materials, vol. (2019)
[4] High-resolution patterning of solution-processable materials via externally engineered pinning of capillary bridges, Shunpu Li, Young Tea Chun, Shuo Zhao, Hyungju Ahn, Docheon Ahn, Jung Inn Sohn, Yongbing Xu, Pawan Shrestha, Mike Pivnenko, and Daping Chu, Nature communications, vol.9 393 (2018).
[5] “A robust and tuneable mid-infrared optical switch enabled by bulk Dirac fermions”, Chunhui Zhu, Fengqiu Wang, Yafei Meng, Xiang Yuan, Faxian Xiu, Hongyu Luo, Yazhou Wang, Jianfeng Li, Xinjie Lv, Liang He, Yongbing Xu, Junfeng Liu, Chao Zhang, Yi Shi, Rong Zhang, Shining Zhu, Nature communications, vol.8 14111 (2017)
[6] “High‐Mobility Sm‐Doped Bi2Se3 Ferromagnetic Topological Insulators and Robust Exchange Coupling”, Chen, Taishi; Liu, Wenqing; Zheng, Fubao; Gao, Ming; Pan, Xingchen; van der Laan, Gerrit; Wang, Xuefeng; Zhang, Qinfang; Song, Fengqi; Wang, Baigeng; Xu, Yongbing, Advanced Materials, 27 33 4823-4829 (2015)
[7] “Planar carbon nanotube-graphene hybrid films for high-performance broadband photodetectors”, Liu, Yuanda; Wang, Fengqiu; Wang, Xiaomu; Wang, Xizhang; Flahaut, Emmanuel; Liu, Xiaolong; Li, Yao; Wang, Xinran; Xu, Yongbing; Shi, Yi; Zhang, Rong, Nature communications 6. 8589 (2015)
[8] “Atomic-Scale Magnetism of Cr-Doped Bi2Se3 Thin Film Topological Insulators”, Liu, Wenqing; West, Damien; He, Liang; Xu, Yongbing; Liu, Jun; Wang, Kejie; Wang, Yong; van der Laan, Gerrit; Zhang, Rong; Zhang, Shengbai, ACS Nano, 9 10 10237-10243 (2015).
[9] “Enhancing magnetic ordering in Cr-doped Bi2Se3 using high-TC ferrimagnetic insulator”, Wenqing Liu, Liang He, Yongbing Xu, Koichi Murata, Mehmet C Onbasli, Murong Lang, Nick J Maltby, Shunpu Li, Xuefeng Wang, Caroline A Ross, Peter Bencok, Gerrit van der Laan, Rong Zhang, Kang L Wang, Nano letters, Vol. 15, page 764 (2014).
[10] “Ferromagnetic Interfacial Interaction and the Proximity Effect in a Co2FeAl/(Ga,Mn)As Bilayer”, Nie, SH; Chin, YY; Liu, WQ; Tung, JC; Lu, J; Lin, HJ; Guo, GY ; Meng, KK ; Chen, L Zhao, JH; Xu, YB, Phys. Rev. Lett., Volume: 111 Issue: 2, 027203, (2013).
[11] “Direct observation of a bulklike spin moment at the Fe/GaAs(100)-4x6 interface”, J. S. Claydon, Y.B. Xu, M. Tselepi, J.A.C. Bland, G. van der Laan, Phys. Rev. Lett., 93 (3) JUL 16, 037206-037209 (2004).
[12] “Direct observation of domain wall scattering in patterned Ni80Fe20 and Ni nanowires by current-voltage measurements”, S. Lepadatu and Y. B. Xu, Phys. Rev. Lett., 92 (12), 127201-127204 (2004).



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