兰睿

副教授

材料及成型系

材料科学与工程学院




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dutrlan@just.edu.cn

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材料学院219

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个人简介
兰睿，女，1983年1月生；工学博士，副教授。
2007年10月获得日本文部科学省奖学金，到日本东京工业大学硕博连读，于2012年3月获得工学博士学位。2011年1月获得日本理工学振兴会研究助成基金。2012年4月-2013年3月在德国亚琛工业大学做博士后。在《J Appl Phys》，《Jpn J Appl Phys》《J Electron Mater》等SCI收录杂志上发表第一作者论文多篇。主持完成国家自然科学基金（No.**）、江苏省自然科学基金（BK**）；获2014年江苏省双创计划--境外世界名校博士项目资助。学术型、专业型硕士研究生指导教师。





研究方向
1.相变存储材料
2.热电薄膜材料
3.高熵合金涂层
4.半导体材料




教育经历

2012/04-2013/03 德国亚琛工业大学 物理系 博士后
2009/10-2012/03 日本东京工业大学 材料工学系 博士
2007/10-2009/03日本东京工业大学 材料工学系 硕士
2005/09-2007/09 中国科学院金属研究所 钛合金研究室 硕士研究生
2001/09-2005/07 大连理工大学 材料学院 学士




课程教学
《材料科学基础C》
《传热和传质基本原理》
《专业英语》
《材料科学与工程前沿（全英文）》
《材料科学与工程概论（全英文）》
《材料表面与界面（全英文）》






?§????é?1??? 1、国家自然科学基金青年项目，课题号**、元素掺杂GST相变存储薄膜的热传导性能与机理研究，2015/01-2017/12，主持。
2、江苏省自然科学基金青年项目，课题号BK**、N掺杂GST相变存储薄膜的热传导机理研究，2014/07-2017/6，主持。
3、江苏省“双创人才”，2014年





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科研团队

获奖动态

教学随笔

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科研项目

专利成果

论文著作 1.Lan R., Endo R., Kuwahara M., Kobayashi Y. and Susa M.Thermal and Electrical Conductivity of Ge₁Sb₄Te₇Chalcogenide Alloy,Journal of Electronic Materials,46 (2017) 955–960.
2.Lan R., Endo R., Kuwahara M., Kobayashi Y. and Susa M.Density measurement of solid and molten Sb2Te3chalcogenide alloy by sessile drop method，High Temperatures-High Pressures，46（2017）219-229.
3. Lan R., Endo R., Kuwahara M., Kobayashi Y. and Susa M. Electrical and heat conduction mechanisms of GeTe alloy for phase change memory application, J. Appl. Phys. 112 (2012) 053712-1-6.
4.Lan R., Endo R., Kuwahara M., Kobayashi Y. and Susa M. Thermal conductivities and conduction mechanisms of Sb-Te Alloys at high temperatures, J. Appl. Phys. 110 (2011) 023701-1-11.
5. Lan R., Endo R., Kuwahara M., Kobayashi Y. and Susa M. Thermal Conductivity Measurements of Solid Sb2Te3by Hot-Strip Method, Jpn. J Appl. Phys. 49(2010) 078003-1-2.











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