高楠




 

        




联系方式
邮　箱
gaon@jlu.edu.cn
办公室
吉林大学唐敖庆楼C314室　
研究方向
低维金刚石理论计算
实验室
吉林大学唐敖庆楼C314室　
主　页
http://teachers.jlu.edu.cn/gaonan

个人简历
2005.9-2009.6 吉林大学  材料科学与工程学院 金属材料工程 工学学士
2009.9-2014.6 吉林大学 材料科学与工程学院 材料学 工学博士 导师：李建忱、蒋青
2016.4-2018.1 吉林大学电子技术与工程学院 博士后 合作导师：卢革宇
2018.4-至今 吉林大学超硬材料国家重点实验室 讲师




研究兴趣
功能材料结构、电学等性能的理论预测、调控与设计；低维材料在先进半导体器件等领域的应用






荣誉奖励


 



代表性论文


1. N. Gao, Y. F. Zhu, Q. Jiang, Formation of arsenene p-n junctions via organic molecular adsorption. J. Mater. Chem. C, 5, 7283, 2017.


2. N. Gao, G. Y. Lu, Z. Wen, Q. Jiang, Electronic structure of silicene: effects of the organic molecular adsorption and substrate. J. Mater. Chem. C, 5, 627, 2017.


3. N. Gao, J. C. Li, Q. Jiang, Tunable band gaps in silicene/MoS2 heterobilayers. Phys. Chem. Chem. Phys. 16, 11673, 2014.


4. N. Gao, W. T. Zheng, Q. Jiang, Density functional theory calculations for two-dimensional silicene with halogen functionalization. Phys. Chem. Chem. Phys. 14, 257, 2012.


5. N. Gao, J. C. Li, Q. Jiang, A comparable study of structural and electrical transport properties of Al and Cu nanowires using first-principle calculations, Appl. Phys. Lett., 103, 263108, 2013.


6. N. Gao, J. C. Li, Q. Jiang, Bandgap opening in silicene: effect of substrates. Chem. Phys. Lett., 592, 222, 2014.