
图1、基于离子凝胶调控技术的石墨烯场效应晶体管器件示意图


图2、不同化学势μ和光子能量下的THG信号强度
研究团队揭示了跃迁通道间的干涉效应在石墨烯非线性光学效应中的主导作用,澄清了之前国际上不同课题组在三阶非线性光学系数上分歧的来源,并且指出了通过化学势来大范围调控石墨烯非线性光学效应的途径。与此同时,本研究工作制备出了国际上首个基于石墨烯三阶非线性光学效应的电光器件,电学的调控比可达几个数量级。鉴于近年来石墨烯在大面积低成本生长制备方面的重大突破,这一电光调控机制有望为石墨烯产业提供一种杀手锏级别的高端应用。
我所郭春雷中美联合光子实验室的程晋罗副研究员,为此项研究工作提供了理论支持。
原文链接:https://www.nature.com/articles/s41566-018-0175-7