卢继武，博士，教授，博士生导师，湖南浏阳人。湖南大学设计艺术学院学术委员会委员，智能装备模块负责人，主讲《物联网硬件与设计创新》、《模块专题设计》、《创意编程与设计》等课程。
电邮 >> Jiwu_lu@hnu.edu.cn
研究方向 工业互联网和物联网中边缘计算与芯片设计，
微能源采集系统
功率半导体器件制备与集成电路仿真设计
本科及研究生主讲课程模块专题设计、物联网硬件与设计创新、创意编程与设计、新产品开发（全英文），半导体集成电路发展与前沿技术（通识课），物联网边缘智能硬件设计及实现
学术及社会兼职 2019年-至今，湖南省工业设计协会智能设计分会会长
2015年-至今，湖南省电工学会委员；
2011年-至今，IEEE电子器件协会会员；
2018年-至今，工信部芯火双创基地（平台）专家导师；
2018年-至今，长沙集成电路设计化基地创业专家导师；
2019年-至今，长沙市新一代半导体集成电路产业链工业特派员；
多家国际期刊的审稿人：IEEE Transaction on Electron Device，IEEE Transaction on Device and Materials Reliability，Journal of Solid State Electronics 审稿人
主要科研项目 2020年-至今：主持“轨道交通车载电池运维芯片、算法季智能云管理系统研发”， 湖南省高新技术产业科技创新引领计划
2020年-至今：主持国家自然科学基金面上项目“碳化硅功率MOSFET的栅氧质量可靠性研究”)
2019年-至今：主持湖南省湖湘高层次人才聚焦工程-创新人才
2019-至今，主持国家级“梯次利用动力电池应用场景分析及再利用寿命和经济评估技术研究”项目；
2019-至今，参与国家级“基于人工智能与多尺度计算的低功耗相变存储器设计”；
2017-至今，参与湖南省科技计划重大专项“SiC关键装备和电力电子器件技术研发及产业化”项目）；
2018-至今，主持与长沙经开区企业--长翔直饮水公司的“在线支付与状态监测系统”项目的横向课题；
代表性学术成果人才奖励：
2019年湖南省湖湘高层次人才聚焦工程-创新人才；
2002-2005 获DAAD奖学金前往德国Siegen大学攻读硕士
教育与学术经历
浙江大学物理学学士毕业；
德国锡根（Siegen）大学应用物理系硕士；
荷兰屯特（Twente）大学电子信息工程学系半导体器件组攻读博士；
美国国家标准与技术院（NIST）先进CMOS研究所担任客座研究员；
2015-年至今：湖南大学
科研
本人自10多年前在欧美留学工作开始，即一直从事先进互补型金属-氧化物-半导体（CMOS）集成电路相关的研究，包括器件可靠性电路测试，超快速电路的设计与测试、微能源芯片。
博士阶段“微能源集成芯片”给物联网中的无线网传感器进行自供电充电，效率比传统的自供电系统高100倍；该工作先后被80家网络媒体报道，5家纸媒报道，其中包括荷兰国内最大的报纸。其相关的后续的改进技术已经申请国内专利。
在美国国家标准局主导研发的“快速测试电路测试系统”打破了当时的器件电学性能测试速度的世界记录，第一次得到器件在真实CPU中工作状态的电学特性参数。其相关的后续的改进技术已经在国内获得专利，目前正在国内进行了成果产业化转化。
到目前发表业界顶级学术论文30余篇，其中SCI/EI收录20余篇；多次在国际电子器件领域的国际顶级会议IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM）、IEEE VLSI Symposia报告研究成果。
代表性论文如下
J. Lu, W. Liu, d. W. Van, C. H. M, A. Y. Kovalgin, Y. Sun, R. E. I. Schropp, J. Schmitz*, Above-CMOS a-Si and CIGS solar cells for powering autonomous microsystems, IEEE Electron Devices Meeting, U.S.A, San Francisco, 2010,12.02~12.05
J. W. Lu, C. Vaz, J. P. Campbell, and J. T. Ryan, "Device-level PBTI-induced timing jitter increase in circuit-speed random logic operation," IEEE VlSI Technology, 2014, pp. 1-2.
Yanyan Zhang, Ran Cheng, Dong Yi, Jiwu Lu*， Yi Zhao，“Thermal Conductivity Characterization of Ultra-thin Silicon Film Using Ultra-fast Transient Hot Strip Method” Chinese Physics B，2019，（accepted, RefNo. 190469）
J. Liu, M. Shi, J. Lu*, and M. P. Anantram, "Analysis of electrical-field-dependent Dzyaloshinskii-Moriya interaction and magnetocrystalline anisotropy in a two-dimensional ferromagnetic monolayer," Physical Review B, vol. 97, p. 054416, 02/16/ 2018
J. B. Sun and J. W. Lu*, "Interface Engineering and Gate Dielectric Engineering for High Performance Ge MOSFETs," Advances in Condensed Matter Physics, p. 9, 2015
J. Lu, G. Jiao, C. Vaz, and J. P. Campbell, "PBTI-Induced Random Timing Jitter in Circuit-Speed Random Logic," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 61, pp. 3613-3618, 2014.
G. F. Jiao#, J. W. Lu#, J. P. Campbell, and J. T. Ryan, "Device-Level Experimental Observations of NBTI-Induced Random Timing Jitter," Device & Materials Reliability IEEE Transactions on, vol. 14, pp. 972-977, 2014. （#co-first author）
J. Lu#, W. Liu, A. Y. Kovalgin, Y. Sun and J. Schmitz*, "Integration of Solar Cells on Top of CMOS Chips—Part II: CIGS Solar Cells," IEEE Transactions on Electron Devices, 2011, 58(8):2620-2627
J. Lu#,, A. Y. Kovalgin, K. H. M. V. D. Werf, R. E. I. Schropp and J. Schmitz*, Integration of Solar Cells on Top of CMOS Chips Part I: a-Si Solar Cells, IEEE Transactions on Electron Devices, 2011, 58(7): 2014-2021.
G. F. Jiao#, J. W. Lu#, J. P. Campbell, J. T. Ryan, K. P. Cheung, C. D. Young, Bersuker, G, "Circuit speed timing jitter increase in random logic operation after NBTI stress," IEEE International Reliability Physics Symposium, 2014, pp. 6B.1.1-6B.1.4（#co-first author）
产学研合作相关工作

本人在国外就与恩智浦（NXP），英特尔（Intel）、三星（Samsung）、台积电（TSMC）展开过科研合作；在中国与集成电路的领军企业中芯国际（SMIC）展开合作，并与其CEO邱慈云、执行副总裁李序武有过深入沟通；在湖南省与国科微电子等集成电路相关企业展开了深度合作。具体如下：
2019年-至今，任长沙市2019年新一代半导体与集成电路产业链“工业科技特派员”
2019年，与国科微电子联合申报国家自然科学基金区域创新发展联合基金“多源导航融合理论与高精度可信定位芯片”项目；助力产学研合作；
2018年12月27日，经市集成电路产业链办公室牵线，组织湖南大学至长沙集成电路设计产业化基地、湖南国科微电子股份有限公司、湖南天羿领航科技有限公司、长沙韶光半导体有限公司、长沙芯连心智慧系统有限责任公司开展产学研交流会（http://www.csicc.net/news/78.html）；
2018-至今，与长沙经开区公司丹芬瑞公司在物联网(IoT)应用及芯片领域签署合作协议，双方开展深入合作，助力两公司产业升级；
2015-2017，中芯国际 “14nm FinFET器件工艺研发”，并与时任CEO邱慈云、执行副总裁李序武深入沟通探讨产业未来发展趋势；
2011-2014年，在美国国家标准与技术院与英特尔（Intel）、三星（Samsung）、台积电（TSMC）合作研究“超微缩芯片器件的可靠性寿命及其性能提升机理”项目；
2007–2011，与荷兰STW基金(等同于中国的“863”计划) 博士项目及恩智浦（NXP）合作完成基于“太阳能电池的应用于IOT（物联网）的微能源芯片集成”项目。