副教授
入职时间：2015-08-31
所在单位：机电工程学院
学历：研究生(博士后)
办公地点：机电楼A526
性别：男
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学位：博士学位
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个人简介张磊，中南大学机电工程学院副教授，硕导。
研究方向为微纳光电子器制造及性能研究，主要包括：忆阻器，光电探测器等。
发表学术论文20余篇，包括《Journal of Alloys and Compounds》、《Appl Phys Lett》、《Sci Rep》、《Applied surface Science》、《Advanced electronic materials》等国际知名期刊论文。主持国家自然科学基金项目、湖南省自然科学基金项目等4项，参与国家重点基础研究发展计划（973计划）、国家科技重大专项、国家自然科学基金重点项目。





教育经历 [1] 2006.9-2010.6
哈尔滨师范大学 理学学士学位 | 大学本科毕业
[2] 2012.9-2015.6
东北师范大学 理学博士学位 | 博士研究生毕业

工作经历 [1] 2020.11-2021.2
中南大学 | 副教授

[2] 2018.5-2020.11
中南大学 | 机电工程学院 | 讲师

[3] 2015.7-2018.5
中国科学院物理研究所 | 表面国家重点实验室 | 博士后


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论文成果 当前位置: 中文主页 >> 论文成果
[1]Lei Zhang, Hao Yu, Cancheng Xiao, Jiawei Si, Haiyang Xu, Wenhui Zhu,* and Liancheng Wang*, Building Light Stimulated Synaptic Memory Devices for Visual Memory Simulation: Adv. Electron. Mater
[2]jiawei Si Lei Zhang, Influence of Al content on ZnO/Al bilayer-structure ultraviolet photodetector: Semiconductor Science and Technology
[3]Jiawei Si Lei zhang, Amorphous gallium oxide (a-Ga2O3)-based high-temperature bendable solar-blind ultraviolet photodetector: Semiconductor Science and Technology, 2021
[4]Wenhui Zhu, Jiawei Si, Lei Zhang, Tao Li, Wenqing Song, Yuting Zhou, Jiahao Yu, Rui Chen, Yexin Feng and Liancheng Wang, Growth of GaN on monolayer hexagonal boron nitride by chemical vapor deposition for ultraviolet photodetectors: Semiconductor Science and Technology, 2020, 35: 125025
[5]Lei Zhang, Hao Yu, Lingxing Xiong, Jiawei Si, Liancheng Wang, and Wenhui Zhu, Flexible and thermally stable resistive switching memory in a Ta/TaO x/stainless steel structure: Semiconductor Science and Technology, 2020
[6]Wenhui Zhu, Lingxing Xiong, Jiawei Si, Zelin Hu, Xiang Gao, Linyun Long, Tao Li, Rongqiao Wan, Lei Zhang*, and Liancheng Wang*, Influence of Deposition Temperature on Amorphous Ga2O3 Solar-blind Ultraviolet Photodetector: Semiconductor Science and Technology, 2020, 35: 055037
[7]Lei Zhang, Cheng Wu, Jun Liu, Xiaoning Zhao, Zhongqiang Wang, Haiyang Xu, Liancheng Wang, Yichun Liu, The nature of lithium-ion transport in low power consumption LiFePO4 resistive memory with graphite as electrode: physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters, 2018, 12 (**)
[8]Lei Zhang, Liancheng Wang, Xiaoning Zhao, Multilevel resistive switching in pn heterostructure memory: Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2019, 19 (130)
[9]Lei Zhang, Hao Yu, Lingxing Xiong, Wenhui Zhu, Liancheng Wang, The modification of ultraviolet illumination to resistive switching behaviors in Ga2O3 memory device: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, 30 (8629)
[10]L. Zhang, H. Y. Xu, Z. Q. Wang, W. Z. Liu, J. G. Ma, and Y. C. Liu, p-NiO/n+-Si single heterostructure for one diode-one resistor memory applications: Journal of Alloys and Compounds, 2017, 721 (520)

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[1]构建光探测-存储功能复合忆阻器及其人工视觉记忆仿生研究,在研
[2]设计并构建基于p-i-n异质结构新型忆阻器,在研

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