专利单位:黑龙江省科学院大庆分院
专利类型:发明专利
授权时间:2013.08.07
专利号:ZL201110455921.3
主要发明人:阚侃,崔宝玉,张广鑫,田媛,尤秋实,刘喆
专利介绍:一种碳材料改性多孔聚合物电解质膜的制备方法,它涉及一种聚合物电解质膜的制备方法。本发明要解决现有的多孔聚合物电解质膜存在离子电导率低、锂离子迁移数小和电化学稳定性差的问题。方法:一、制备多孔聚合物膜,二、浸泡处理,即得到碳材料改性多孔聚合物电解质膜。优点:离子电导率达到10-3S/cm数量级、锂离子迁移数为0.80~0.95、电化学稳定窗口为5.5V~6.0V。本发明主要用于制备碳材料改性多孔聚合物电解质膜。
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