姓名张仁刚性别男职称副教授
最终学历博士研究生工作单位理学院应用物理系
最终学位博士毕业院校中科院高能物理研究所
毕业专业凝聚态物理联系电话**
电子邮件whzrg@126.com通信地址武汉科技大学应用物理系
学术兼职
研究方向1. 薄膜材料先进制备技术与工艺2. 半导体薄膜材料制备、光电特性与应用3. 半导体薄膜生长机理与微结构
一级学科材料科学与工程/物理学
二级学科低维无机非金属材料/半导体物理
主要著作
主要科研项目(1)教育厅科研计划项目：原位硫化生长ZnS纳米薄膜的物理性质；(2)省重点实验室项目：ZnS薄膜热硫化制备与物理性质；(3)校基金项目：梯度硫化制备结构可控ZnS纳米薄膜的光学性质研究。
主要论文已发表论文20多篇，其中主要代表性论文：1.张仁刚，卓雯，王玉华，彭顺金，陈克亮，徐千山. 退火对硫化方法制备 ZnS 薄膜特性的影响. 人工晶体学报, 2013,42(6):1154-1158 2.张仁刚，卓雯，刘继琼，王红军，高恒. ZnO薄膜在硫蒸气中热硫化后结构和光学特性. 人工晶体学报, 2012, 41(6): 1700-17043.RG Zhang, BY Wang, L Wei. Influence of RF power on the structure of ZnS thin films grown by sulfurizing RF sputter deposited ZnO. Materials Chemistry and Physics, 2008 112: 557-5614.RG Zhang, BY Wang, L Wei. Sulfidation growth and characterization of nanocrystalline ZnS thin films. Vacuum, 2008 82: 1208-12115.RG Zhang, BY Wang, H Zhang, L Wei. Influence of sulfidation ambience on the properties of nanocrystalline ZnS films prepared by sulfurizing the as-sputtered ZnO films. Applied Surface Science, 2005 245(1-4): 340-345 6.RG Zhang, BY Wang, H Zhang, L Wei. The structure and optical properties of the nanocrystalline ZnS films prepared by sulfurizing the as-deposited ZnO films. Applied Surface Science, 2005 241(3-4): 435-4417.RG Zhang, BY Wang, DY Wan, L Wei. Effects of the sulfidation temperature on the structure, composition and optical properties of ZnS films prepared by sulfurizing ZnO films. Optical Materials, 2004 27(3): 419-4238.张仁刚, 王宝义, 张辉, 马创新, 魏龙. 不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性. 物理学报, 2005 54(5): 2389-2393
主要获奖情况