一、个人基本情况姓名：汪礼胜
性别：男
学位：博士
职称：副教授
所在系：物理系
电子邮件：wang_lesson@whut.edu.cn
联系电话：
二、教育背景与工作经历
教育背景：
2011.09-2015.06，华中科技大学光学与电子信息学院博士
2003.09-2006.08，核工业西南物理研究院硕士
1995.09-1999.06，中国地质大学（武汉）数理学院学士
工作经历：
2006.09-至今武汉理工大学理学院物理系讲师/副教授
2017.09-2018.08美国北卡大学夏洛特分校电子与计算机系访问****
2005.11-2006.08核工业西南物理研究院工程师
1999.07-2003.08安徽工程大学助教
三、研究方向
（1）新型纳米金属-氧化物-半导体(MOS)器件建模与模拟；
（2）高k栅介质/化合物半导体MOS器件与工艺；
（3）新型高效太阳能电池。
四、教学研究
长期从事大学物理、物理实验教学教研工作，承担和参与了多项教研项目，发表教研论文多篇。
五、科学研究
承担和参与了多项科研项目，在国际学术期刊上发表SCI论文20余篇，其中代表性论文：
1)L. S. Wang, J. P. Xu, L. Liu, H. H. Lu, P. T. Lai, and W. M. Tang, Interfacial and electrical properties of InGaAs metal-oxide-semiconductor capacitor with TiON/TaON multilayer composite gate dielectric. Applied Physics Letters, 2015, 106 (12): 123504.
2)Li-Sheng Wang, Jing-Ping Xu, Lu Liu, Han-Han Lu, Pui-To Lai, and Wing-Man Tang, Plasma-nitrided Ga₂O₃(Gd₂O₃) as interfacial passivation layer for InGaAs metal-oxide-semiconductor capacitor with HfTiON gate dielectric. IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 62 (4): 1235-1240.
3)Li-Sheng Wang, Jing-Ping Xu, Lu Liu, Yuan Huang, Han-Han Lu, Pui-To Lai, and Wing-Man Tang, Influences of remote Coulomb and interface-roughness scatterings on electron mobility of InGaAs nMOSFET with high-k stacked gate dielectric. IEEE Transactions on Nanotechnology, 2015, 14 (5): 854-861.
4)Li-Sheng Wang, Jing-Ping Xu, Lu Liu, Wing-Man Tang, Pui-To Lai, Nitrided HfTiON/Ga₂O₃(Gd₂O₃) as stacked gate dielectric for GaAs MOS applications. Applied Physics Express, 2014, 7 (6): 061201.
5)Li-Sheng Wang, Lu Liu, Jing-Ping Xu, Shu-Yan Zhu, Yuan Huang, and Pui-To Lai, Electrical properties of HfTiON gate-dielectric GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor with AlON as interlayer. IEEE Transactions on Electron Devices, 2014, 61 (3): 742-746.
6)L. S. Wang, J. P. Xu, S. Y. Zhu, Y. Huang, P. T. Lai, Improved interfacial and electrical properties of GaAs metal-oxide-semiconductor capacitors with HfTiON as gate dielectric and TaON as passivation interlayer, Appl. Phys. Lett. 2013,103(9): 092901.