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研究方向
Tel:**ext.8170Fax:**Email:chang.liu@whu.edu.cn
办公地点：新物理楼5-426室Homepage：http://physics.whu.edu.cn/show.asp?id=316
学历：
1980－1984：浙江大学无线电电子工程学系电子物理与技术专业学习，获工学学士学位；
1984－1987：浙江大学信息与电子工程学系电子物理与器件专业学习，获工学硕士学位；
1996－1999：德国Augsburg大学物理系，获德国理学博士（Dr.rer.nat.）学位。
工作经历：
2003－现在：武汉大学物理科学与技术学院，珞珈学者?特聘教授，博士生导师；
2001－2003：日本NationalInstituteofAdvancedIndustrialScienceandTechnology(AIST),Researchfellow
2000－2001：葡萄牙NuclearandTechnologicalInstitute博士后；
1996－1999：德国Augsburg大学物理系，获德国DAAD博士生奖学金；
1987－1996：武汉大学物理系助教、讲师；
教学及指导研究生：
主讲弘毅学堂物理班英文“电磁学”、“近代物理前沿讲座”和研究生“离子束与固体相互作用”等课程；指导博士后研究人员、博士生、硕士生和本科毕业论文。现每年在微电子学与固体电子学、物理和材料科学领域招收博士后，硕－博连读生和访问学者3-5人左右，欢迎联系！
主要学术兼职：
中国真空学会理事，工信部半导体照明标准工作组成员，中国核物理学会常务理事，湖北省核学会常务理事，湖北省物理学会理事长，湖北省有突出贡献优秀中青年专家，湖北省光电子产业优秀人才。国家自然科学奖评委，中组部青年千人、拔尖人才、****、工信部电子产业发展基金、973等评审及验收专家，曾任IEEEInternationalSymposiumonPhotonicsandOptoelectronics(SOPO)国际会议主席（2010-2012）,中韩双边基金委联合资助的信息功能薄膜材料会议中方主席（2010-2011）,中韩双边基金委联合资助的低维电子和光子材料与器件会议中方主席（2012-2013）；现任CurrentAppliedPhysics杂志TopicalEditor（半导体器件物理），LeadGuestEditorofNanoscaleResearchLetters以及多个国际学术杂志论文审稿人。
课题组成员：吴昊（博士、副教授）、艾志伟（讲师）、林颖（博士）
在读博士研究生：王远，甘学伟、王威，王正，陈超，徐旸，王霄，张国桢
已毕业博士：2008：梅菲，张蕾；2009：付秋明；2010：彭挺；2011：吴克敏，周忠坡，潘杨；2013：王倜，艾志伟，林颖，韩涛。
已毕业硕士：2006：陈莉，姜慧纯，王颖，韩林；2007：贾顺鹤；2008：刘博，高晶；2009：罗世俊，李莉华；2010：沈铠；2012：安喆。
主持科研项目：
1.国家自然科学基金委国际会议资助项目：第二届中韩低维电子和光子材料与器件，2013；
2.国家自然科学基金委国际会议资助项目：第一届中韩低维电子和光子材料与器件，2012；
3.国家自然科学基金“离子注入制备InN基n-沟道铁电场效应晶体管”，批准号：**，2012-2015；
4.国家科技部国际合作重点项目：用于XXX的环境友好技术，2011-2013；
5.国家自然科学基金“基于纳米结构的金属-绝缘体-金属超大容量电容器”，批准号：**，2011-2013；
6.国家自然科学基金委国际会议资助项目：第五届中韩先进信息功能薄膜研讨会，2010；
7.湖北省自然科学基金“分子束外延制备AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管”，批准号：2009，2009-2010；
8.国家自然科学基金“离子注入GaN绝缘衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管”，批准号：**，2008-2010；
9.参加国家973项目“纳米尺度亚光波长结构的制备、光学性质与器件研究”的子课题—“金属基亚光波长纳米结构的奇异光电性质研究”，批准号：2007CB935304，2007-2010；
10.宽禁带半导体和铁电体材料异质结构研究，中国科学院上海微系统与信息技术研究所开放基金，2008-2009；
11.武汉市科技计划项目“GaN大功率蓝紫色发光二极管外延片研制与应用”，批准号：**7，2007-2009；
12.教育部博士点基金“离子束诱发的宽禁带半导体材料非晶化研究”，批准号：**，2007-2009年；
13.湖北省“十一五”重大科技攻关招标项目“大功率蓝光外延芯片研制”，批准号：2006AA103A01，2006-2008；
14.湖北省“十一五”重大科技攻关招标项目“超高亮度绿光外延芯片研制”，批准号：2006AA103A02，2006-2008；
15.湖北省“十一五”重大科技攻关招标项目“带有静电保护电路的硅片上倒装焊GaN功率芯片的设计、加工和规模化生产”，批准号：2006AA103A03，2006-2008；
16.湖北省光电子产业优秀创新人才资助项目“GaN光电器件研制”，湖北省科技厅2006-2007；
17.武汉市发展与改革委员会“高效节能环保型半导体白光源产业化前期关键技术研发”，2006-2008；
18.国家自然科学基金“离子注入宽禁带半导体（GaN和ZnO）非晶化研究”，批准号：**，2005-2007；
19.教育部新世纪人才基金”宽禁带半导体材料和器件的外延生长及离子注入改性研究”，批准号：NCET-04-0671，2005-2007；
20.湖北省科技攻关重点项目“GaN发光芯片应用研究”，批准号：2004AA101A06，2004-2007；
21.湖北省自然科学基金“离子注入GaN局部非晶化研究”，批准号：2004ABA079，2005-2006；
22.教育部留学回国人员基金“稀土离子掺杂GaN制备白光芯片的理论和实验研究”，批准号：教外司留[2004]527，2005-2006；
23.国家自然科学基金委主任基金“稀土离子注入GaN制备白光芯片”，批准号：**，2004。
SelectedSCIPublications(1997-)：
1.T.Wang,H.Wu,H.Zheng,J.B.Wang,Z.Wang,C.Chen,Y.Xu,andC.Liu*,Nonpolarlightemittingdiodesofm-planeZnOonc-planeGaNwiththeAl2O3interlayer,Appl.Phys.Lett.102,141912(2013).
2.YingLin,XingQiangLiu,TiWang,ChaoChen,HaoWu,LeiLiaoandChangLiu*,Shape-dependentlocalizedsurfaceplasmonenhancedUV-emissionfromZnOgrownbyatomiclayerdeposition,Nanotechnol.24,125705(Mar.7,2013)(5pp)
3.T.Wang,HaoWu,Z.Wang,C.Chen,andC.Liu*,BluelightemissionfromtheheterostructuredZnO/InGaN/GaN,NanoscaleResearchLett.8,99(2013).
4.ZhiWeiAi,YunWu,HaoWu,TiWang,ChaoChen,YangXuandChangLiu*,Enhancedband-edgephotoluminescencefromZnO-passivatedZnOnanoflowersbyatomiclayerdeposition,NanoscaleResearchLett.8,105(2013).
5.T.Wang,H.Wu,Z.Wang,C.Chen,andC.Liu*,ImprovementofopticalperformanceofZnO/GaNp-njunctionswithanInGaNinterlayer,Appl.Phys.Lett.101,161905(2012).
6.T.Wang,HaoWu,Z.Wang,C.Chen,andC.Liu*,UltralowEmissionThresholdLight-EmittingDiodeofNanocrystallineZnO/p-GaNHeterojunction，IEEEElect.DeviceLett.,33,1030(2012).
7.Z.An,F.Q.Liu,Y.Lin,andC.Liu*,Theuniversaldefinitionofspincurrent,Sci.Rep.2,388(2012).
8.T.Wang,H.Wu,C.Chen,andC.Liu*，Growth,optical,andelectricalpropertiesofnonpolarm-planeZnOonp-SisubstrateswithAl2O3bufferlayers,Appl.Phys.Lett.100,011901(2012).
9.YangPan,ZhengWang,TingPeng,KeminWu,HaoWu,C.Liu*,ImprovementofstructuralandelectricalpropertiesofCu2OfilmswithInNepilayers,J.Cryst.Growth,334，46(2011).
10.Z.P.Zhou,S.J.Luo,Y.Wang,Z.WAi,C.Liu*,D.F.Wang,Y.P.Lee,RoomtemperatureferromagnetismandhoppingtransportinamorphousCrNthinfilms,ThinSolidFilms,519，1989(2011).
11.K.M.Wu,T.Han,K.Shen,B.Liu,T.Peng,Y.Pan,H.D.Sun,andC.Liu*,GrowthofverticallyalignedInGaNnanorodarraysonp-TypeSisubstratesforheterojunctiondiodes,J.Nanosci.Nanotechnol.10,8139(2010).
12.Y.Pan,T.Wang,K.Shen,T.Peng,K.M.Wu,W.Y.Zhang,C.Liu*,RapidgrowthandcharacterizationofInNnanocolumnsonInGaNbufferlayersatalowratioofN/In,J.Cryst.Growth313,16(2010).
13.T.Peng,K.Shen,H.Wu,C.Hu,andCLiu*,Room-temperatureferromagnetismandelectricalpropertiesofCu2O/GaNheterostructures,J.Phys.D:Appl.Phys.43,315101(2010).
14.Q.M.Fu,T.Peng,Y.PanandC.Liu*,EffectsofAlN/GaNsuperlatticesonstructuralpropertiesofAl0.45Ga0.55NgrownonAlN/sapphiretemplates,J.Kor.Phys.Soc.,55,2659(2009).
15.H.Wu,J.Yuan,T.Peng,Y.Pan,T.Han,K.Shen,B.R.Zhao,C.Liu*,ControloftheepitaxialorientationandreductionoftheinterfaceleakagecurrentinYMnO3/GaNheterostructure,J.Phys.D-Appl.Phys.18,185302(2009).
16.Yuan,Longyan,Fang,Guojia,Zhou,Hai,Gao,Yihua,Liu,Chang,Zhao,Xingzhong，Suppressionofnear-edgeopticalabsorptionbandinsputterdepositedhafniumoxynitridevianitrogenincorporationandannealing，J.Phys.D–Appl.Phys.,42,145302(2009).
17.Q.M.Fu,T.Peng,C.Liu*,Effectsofreal-timemonitoredgrowthinterruptoncrystallinequalityofAlNepilayergrownonsapphirebymolecularbeamepitaxy,J.Cryst.Growth,311,3553(2009).
18.B.Liu,J.Gao,K.M.WuandC.Liu*，PreparationandrapidthermalannealingofAlNthinfilmsgrownbymolecularbeamepitaxy,SolidStateCommun.149,715(2009).
19.Y.Tian,H.B.Lu,L.Liao,J.C.Li,C.Liu,SynthesisandevolutionofhollowZnOmicrospheresassistedbyZnpowderprecursor,SolidStateCommun.149,456(2009).
20.H.Wu,J.Yuan,T.Peng,Y.Pan,T.Han,andC.Liu*,Temperature-andfield-dependentleakagecurrentofepitaxialYMnO3/GaNheterostructure，Appl.Phys.Lett.94,122904(2009).
21.D.F.Wang,S.Y.Park,Y.S.Lee,T.W.Eom,S.J.Lee,Y.P.Lee,Ch.J.Choi,J.C.Li,andC.Liu,EpitaxialZnMnO/ZnOCoaxialNanocable,CrystalGrowth&Design9,2124(2009).
22.K.M.Wu,Y.Pan,andC.Liu*,InGaNnanorodarraysgrownbymolecularbeamepitaxy:growthmechanism,structuralandopticalproperties,Appl.Surf.Sci.255,6705(2009).
23.Q.M.Fu,T.Peng,F.Mei,Y.Pan,L.LiaoandC.Liu*，RelaxationofcompressivestrainbyinclinedthreadingdislocationsinAl0.45Ga0.55NgrownonAlN/sapphiretemplatesusinggraded-AlxGa1-xN/AlNsuperlattices，J.Phys.D-Appl.Phys.42,035311(2009).
24.H.Li,J.P.Sang,C.Liu,H.B.Lu,J.C.Cao,MicrostructuralstudyofMBE-grownZnOfilmonGaN/sapphire(0001)substrate,CentralEuropeanJPhys.6,638(2008).
25.F.Mei,K.M.Wu,Y.Pan,T.Han,andC.Liu*,J.W.Gerlach,andB.Rauschenbach,StructuralandopticalpropertiesofCr-dopedsemi-insulatingGaNepilayers,Appl.Phys.Lett.93,113507(2008).
26.L.Liao,Z.Zheng,B.Yan,J.X.Zhang,H.Gong,J.C.Li,C.Liu,Z.X.Shen,andT.Yu,Morphologycontrollablesynthesisofalpha-Fe2O31Dnanostructures:Growthmechanismandnanodevicebasedonsinglenanowire,J.Phys.Chem.C112,10784(2008).
27.L.Liao,H.X.Mai,Q.Yuan,H.B.Lu,J.C.Li,C.Liu,C.H.Yan,Z.X.Shen,T.Yu,Ting,SingleCeO2nanowiregassensorsupportedwithPtnanocrystals:Gassensitivity,surfacebondstatesandchemicalmechanism,J.Phys.Chem.C112,9061(2008).HighlightedbyNatureAsiaMaterials06August2008.
28.F.Mei,Q.M.Fu,T.Peng,C.Liu*,M.Z.PengandJ.M.Zhou,GrowthandcharacterizationofAlGaN/GaNheterostructuresonsemi-insulatingGaNepilayersbymolecularbeamepitaxy,J.Appl.Phys.103,094502(2008)
29.F.Ren,G.X.Cai,X.H.Xiao,L.X.Fan,C.Liu,D.J.Fu,J.B.Wang,andC.Z.Jiang,Ionirradiationinducedhollowandsandwichednanoparticles,JAppl.Phys.103,084308(2008).
30.L.Liao,H.B.Lu,M.Shuai,J.C.Li,Y.L.Liu,C.Liu,Z.X.Shen,andTYu,AnovelgassensorbasedonfieldionizationfromZnOnanowires:moderateworkingvoltageandhighstability,Nanotechnol.19,175501(2008).
31.D.F.Wang,S.Y.Park,Y.S.Lee,Y.P.Lee,J.C.Li,andC.Liu，Synthesisandroom-temperatureferromagnetismofZn0.96Mn0.04O/ZnOcoaxialnanocableandZn0.96Mn0.04Ofilm，J.Appl.Phys.103,07D126(2008).
32.B.Liu,Q.M.Fu,K.M.Wu,C.Liu*,StudiesofthegrowthmethodandpropertiesofAlNgrownbyRF-MBE,J.Kor.Phys.Soc.52，S17(2008).
33.L.Zhang,F.Q.Liu,andC.Liu*,Simulationsofvoltage-controlledyellowororangeemmisionfromGaNcodoedwithEuandEr,J.Kor.Phys.Soc.52，S67(2008).
34.J.Gao,B.Liu,Y.Pan,T.Peng,K.M.Wu,C.Liu*,EffectofrapidthermalannealingonthepropertiesofInNepilayers,J.Kor.Phys.Soc.52，S128(2008).
35.T.Peng,Q.M.FuandC.Liu*,DepositionofZnOthinfilmsonGaNsubstrates,J.Kor.Phys.Soc.52，S100(2008).
36.X.H.Xiao,J.X.Xu,F.Ren,C.Liu,C.Z.Jiang,FabricationofAgnanoclustersinsingle-crystalMgObyhigh-energyionimplantation,PhysicaE40,705(2008).
37.L.Han,F.Mei,C.Liu*,C.PedroandE.Alves,ComparisonofZnOthinfilmsgrownbypulsedlaserdepositiononsapphireandSisubstrates,PhysicaE40,699(2008).
38.L.Liao,H.B.Lu,L.Zhang,M.Shuai,J.C.Li,C.Liu,D.J.Fu,andF.Ren，EffectofferromagneticpropertiesinAl-dopedZn1-xCoxOnanowiressynthesizedbywater-assistancereactivevapordeposition,J.Appl.Phys.102,114307(2007).
39.X.H.Xiao,L.P.Guo,F.Ren,J.B.Wang,D.J.Fu,D.L.Chen,Z.Y.Wu,Q.J.Jia,C.Liu,C.Z.Jiang,FormationofmetalnanoparticlesinsilicabythesequentialimplantationofAgandCu,Appl.Phys.A89,681(2007).
40.L.Liao,H.B.Lu,J.C.Li,C.Liu,D.J.Fu,andY.L.Liu,ThesensitivityofgassensorbasedonsingleZnOnanowiremodulatedbyheliumionradiation,Appl.Phys.Lett.,91,173110(2007),selectedfortheNovember5,2007issueofVirtualJournalofNanoscaleScience&Technology.
41.L.Zhang,F.Q.Liu,andC.Liu*,Voltage-controlledvariablelightemissionsfromGaNcodopedwithEu,Er,andTm,Appl.Phys.Lett.91,143514(2007).
42.X.H.Xiao,F.Ren,J.B.Wang,C.Liu,C.Z.Jiang,Formationofalignedsilvernanoparticlesbyionimplantation,Mater.Lett.61,4435(2007).
43.X.H.Xiao,J.Zhu,Y.R.Li,W.B.Luo,B.F.Yu,L.X.Fan,F.Ren,C.Liu,andCZJiang,GreatlyreducedleakagecurrentinBiFeO3thinfilmbyoxygenionimplantation,J.Phys.D-Appl.Phys.40,5775(2007).
44.L.Liao,K.H.Liu,W.L.Wang,X.D.Bai,E.G.Wang,Y.L.Liu,J.C.Li,andC.Liu,MultiwallBoronCarbonitride/CarbonNanotubeJunctionandItsRectificationBehavior,J.Am.Chem.Soc.129,9562(2007).
45.H.Li,J.P.Sang,F.Mei,F.Ren,L.Zhang,C.Liu,ObservationofferromagnetismatroomtemperatureforCr+ionsimplantedZnOthinfilms.Appl.Surf.Sci.253,8524(2007).
46.L.Zhang,F.Q.Liu,C.Liu*,Theinfluenceofexternalelectromagneticfieldonanexcitonspincurrent,J.Phys.Condens.Matter19,346222(2007).
47.L.Zhang,H.C.Jiang,C.Liu*,J.W.Dong,P.Chow,AnnealingofAl2O3thinfilmspreparedbyatomiclayerdeposition,J.Phys.D-Appl.Phys.40,3707(2007).
48.L.Liao,W.F.Zhang,H.B.Lu,J.C.Li,D.F.Wang,C.Liu,D.J.Fu,InvestigationofthetemperaturedependenceofthefieldemissionofZnOnanorods,Nanotechnol.18,225703(2007).
49.L.Liao,Z.Xu,K.H.Liu,W.L.Wang,S.Liu,X.D.Bai,E.G.Wang,J.C.LiandC.Liu,Large-scalealignedsiliconcarbonitridenanotubearrays:Synthesis,characterization,andfieldemissionproperty,J.Appl.Phys.101,114306(2007),selectedfortheJune18,2007issueofVirtualJournalofNanoscaleScience&Technology.
50.L.Liao,J.C.Li,C.Liu,Z.Xu,W.L.Wang,S.Liu,X.D.Bai,E.G.Wang,FieldemissionofGaN-filledcarbonnanotubes:Highandstableemissioncurrent,J.Nanosci.Nanotechnol.7,1080(2007).
51.L.Liao,H.B.Lu,J.C.Li,H.He,D.F.Wang,D.J.Fu,C.Liu,W.F.Zhang,SizedependenceofgassensitivityofZnOnanorods,J.Phys.ChemC111,1900(2007).
52.F.Ren,C.Z.Jiang,C.Liu,J.B.Wang,T.Oku,ControllingthemorphologyofAgnanoclustersbyionimplantationtodifferentdosesandsubsequentannealing,Phys.Rev.Lett.97,165501(2006).
53.F.Mei,C.Liu*,L.Zhang,F.Ren,L.Zhou,W.K.Zhao,Y.L.Fang,MicrostructuralstudyofbinaryTiO2:SiO2nanocrystallinethinfilm,J.Cryst.Growth292,87(2006).
54.X.Z.Shang,S.D.Wu,C.Liu,W.X.Wang,L.W.Guo,Q.HuangandJ.M.Zhou,Lowtemperaturestep-gradedInAlAs/GaAsmetamorphicbuffergrownbymolecularbeamepitaxy,J.Phys.D:Appl.Phys.39,1800(2006).
55.F.Mei,C.Liu*,L.Zhou,W.K.Zhao,Y.L.Fang,J.B.Wang,andY.Y.Ren,EffectofannealingtemperatureonbinaryTiO2:SiO2nanocrystallinethinfilms,J.Kor.Phys.Soc.48,1509(2006).
56.F.Ren,C.Z.Jiang,C.Liu,J.B.Wang,FabricationandannihilationofnanovoidsinCunanoclustersbyionimplantationintosilicaandsubsequentannealing,Appl.Phys.Lett.88,183114(2006).
57.L.Chen,Z.Q.Chen,X.Z.Shang,C.Liu*,S.Xu,Q.Fu,EffectofannealingtemperatureondensityofZnOquantumdots,SolidStateCommun.137,561(2006).
58.L.Liao,J.C.Li,D.F.Wang,C.Liu,M.Z.Peng,J.M.Zhou,SizedependenceofCurietemperatureinCo+ionimplantedZnOnanowires,Nanotechnol.17,830(2006).
59.L.Liao,J.C.Li,D.F.Wang,C.Liu,C.S.Liu,Q.Fu,ElectronfieldemissionstudiesonZnOnanowires,Mater.Lett.59,2465(2005).
60.F.Ren,C.Z.Jiang,C.Liu,D.J.Fu,Y.Shi,InterfaceinfluenceonthesurfaceplasmonresonanceofAgnanoclustercomposite,SolidStateCommun.135,268(2005).
61.L.Liao,J.C.Li,D.F.Wang,C.Liu,C.S.Liu,Q.Fu,L.X.Fan,FieldemissionpropertyimprovementofZnOnanowirescoatedwithamorphouscarbonandcarbonnitridefilms,Nanotechnol.16,985(2005).
62.C.Liu,Q.Fu,J.B.Wang,W.K.Zhao,Y.L.Fang,T.Mihara,M.Kiuchi,StructuralcharacterizationofnanocrystallineTiO2:SiO2powdersandthinfilmat35°C,J.Kor.Phys.Soc.46,S104(2005).
63.L.Liao,J.C.Li,D.H.Liu,C.Liu,D.F.Wang,W.Z.Song,Q.Fu,Self-assemblyofalignedZnOnanoscrews:Synthesis,growth,configurationandfieldemission,Appl.Phys.Lett.86,083106(2005)(Coverimage).
64.L.Liao,D.H.Liu,J.C.Li,C.Liu,Q.Fu,M.S.Ye,SynthesisandRamananalysisof1D-ZnOnanostructureviavaporphasegrowth,Appl.Surf.Sci.240,175(2005).
65.F.Ren,C.Z.Jiang,H.B.Chen,Y.Shi,C.Liu,J.B.Wang,Metalalloyandmonoelementalnanoclustersinsilicaformedbysequentialionimplantationandannealinginselectedatmosphere,PhysicaB-CONDENSEDMATTER353,92(2004).
66.T.Asanuma,T.Matsutani,C.Liu,T.Mihara,andM.Kiuchi,Structuralandopticalpropertiesoftitaniumdioxidefilmsdepositedbyreactivemagnetronsputteringinpureoxygenplasma,J.Appl.Phys.95,6011(2004).
67.T.Matsutani,T.Asanuma,C.Liu,M.Kiuchi,andT.TakeuchiDepositionofSiO2filmsbylow-energyion-beaminducedchemicalvapordepositionusinghexamethyldisiloxane,Surf.Coat.Technol.177-178,365(2004).
68.T.Matsutani,T.Asanuma,C.Liu,M.KiuchiandT.Takeuchi,Ion-assistedchemicalvapordepositionofSi-Cfilmwithorganosiliconprecursor,Surf.Coat.Technol.169-170,624(2003).
69.C.Liu,T.Matsutani,T.Asanuma,andM.Kiuchi,Preparationandcharacterizationofindiumtinoxidefilmsformedbyoxygenionbeamassisteddeposition,SolidStateCommun.126,509(2003).
70.W.K.Zhao,L.Zhou,C.Liu,L.Hu,Y.Fang,andM.Kiuchi,PhotocatalyticactivityofTiO2preparedbyliquidphasedeposition,ActaChim.Sinica61,699(2003).
71.C.Liu,T.Matsutani,T.Asanuma,andM.Kiuchi,Structural,electricalandopticalpropertiesofindiumtinoxidefilmspreparedbylow-energyoxygen-ion-beamassisteddeposition,Nucl.Instr.Meth.B,206,348(2003).
72.T.Matsutani,T.Asanuma,C.Liu,M.Kiuchi,andT.Takeuchi,ComparisonofsurfacemorphologiesofSiO2filmspreparedbyion-beaminducedchemicalvapordepositionandion-beamassisteddeposition,Nucl.Instr.Meth.B,206,343(2003).
73.L.Zhou,C.Liu,W.Zhao,L.Hu,Y.Fang,PhotocatalyticactivityofFe3+-dopedTiO2thinfilmspreparedvialiquidphasedeposition,ChineseJ.Catal.24,359(2003).
74.C.Liu,T.Matsutani,T.Asaluma,K.Murai,M.Kiuchi,E.Alves,andM.Reis,Room-temperaturegrowthofcrystallineindiumtinoxidefilmsonglassusinglowenergyoxygenionbeamassisteddeposition,J.Appl.Phys.93,2262(2003).
75.C.Liu,T.Matsutani,N.Yamamoto,andM.Kiuchi,High-qualityindiumtinoxidefilmspreparedatroometemperaturebyoxygenionbeamassisteddeposition,Europhys.Lett.59,606(2002).
76.C.Liu,E.Alves,A.R.Ramos,M.F.daSilva,J.C.Soares,T.Matsutani,andM.Kiuchi,AnnealingbehaviorandlatticelocationofMn+implantedGaN,Nucl.Instr.Meth.B,191,544(2002).
77.E.Alves,C.Liu,E.B.Lopes,M.F.daSilva,J.C.Soares,J.Soares,C.Boemare,M.J.Soares,andT.Monteiro,StudyofcalciumionimplantedGaN,Nucl.Instr.Meth.B190,625(2002).
78.T.Monteiro,C.Boemare,M.J.Soares,E.Alves,andC.Liu,GreenandredemissioninCaimplantedGaNsamples,PhysicaB308-310,42(2001).
79.C.Liu,A.Wenzel,B.Rauschenbach,E.Alves,A.D.Sequeira,N.Franco,M.F.daSilva,J.C.Soares,andX.J.Fan,AmorphizationofGaNbyionimplantation,Nucl.Instr.Meth.B178,200(2001).
80.E.Alves,C.Liu,J.C.Waerenborgh,M.F.daSilva,andJ.C.Soares,StudyofFeionimplantedGaN,Nucl.Instr.Meth.B,175-177,241(2001).
81.C.Liu,E.Alves,A.Sequera,N.Franco,M.F.daSilva,andJ.C.Soares,FeionimplantationinGaN:damage,annealing,andlatticesitelocation,J.Appl.Phys.90,81(2001).
82.C.Liu,A.Wenzel,J.W.Gerlach,X.J.Fan,andB.Rauschenbach,AnnealingstudyofionimplantedGaN,Surf.Coat.Technol.128-129,455(2000).
83.C.Liu,StructuralCharacterizationofIonImplantedGalliumNitride,Shaker,Aachen,2000(ISBN:3-8265-7107-X).
84.C.Liu,M.Schreck,A.Wenzel,B.Mensching,andB.Rauschenbach,DamagebuildupandremovalinCa-ionimplantedGaN,Appl.Phys.A70,53(2000).
85.A.Wenzel,C.Liu,andB.Rauschenbach,Effectofimplantation-parametersonthestructuralpropertiesofMg-ionimplantedGaN,Mater.Sci.&Eng.B59,191(1999).
86.C.Liu,A.Wenzel,K.Volz,andB.Rauschenbach,Influenceofsubstratetemperatureondamagebuildupandremovalofionimplantedgalliumnitride,Nucl.Instr.Meth.B148,396(1999).
87.W.Limmer,W.Ritter,R.Sauer,B.Mensching,C.Liu,andB.Rauschenbach,Ramanscatteringinion-implantedGaN,Appl.Phys.Lett.72,2589(1998).
88.C.Liu,,B.Mensching,M.Zeitler,K.Volz,andB.Rauschenbach,IonimplantationinGaNatliquid-nitrogentemperature:structuralcharacteristicsandamorphization,Phys.Rev.B57,2530(1998).
89.B.Mensching,C.Liu,B.Rauschenbach,K.Kornitzer,andW.Ritter,CharacterizationofCaandCimplantedGaN,Mater.Sci.&Eng.B50,105(1997).
90.C.Liu,B.Mensching,K.Volz,andB.Rauschenbach,LatticeexpansionofCaandArionimplantedGaN,Appl.Phys.Lett.71,2313(1997).
学术报告（conferencepresentation）：
1．InfluenceofsubstratetemperatureondamageanddopingofionimplantedGaN,11thIonBeamModificationofMaterials(IBMM1998),Amsterdam,Netherland,Sept1-5,1998,invitedtalk(大会报告)
2．StructuralcharacterizationofionimplantedGaN,DepartmentofPhysics,UniversityofLeipzig,invitedtalk,Dec.18,1999.
3．AmorphizationofGaNbyionimplantation,E-MRS2000，Symp.R,oralpresentation2000.
4．Preparationandcharacterizationofindiumtinoxidefilmgrownatroomtemperature,Japan4thSymposiumonBeamScienceandTechnologyforanEmergentNetwork(BESTEN2002),invitedtalk,Osaka,Japan2002.
5．Characterizationofindiumtinoxidefilmspreparedbyoxygenionbeamassisteddeposition,1stAsianSymposiumonIonandPlasmaSurfaceFinishing,oralpresentation,2002。
6．PreparationandcharacterizationofTiO2andTiO2:SiO2nanocrystallinepowdersandthinfilms,11thSino-KoreaJointSymp.onThinFilms,June28-July5,2004,Chengdu,China.
7．Preparationandcharacterizationofnanocrystallinetitaniumandzincoxides,Oct.14,2004,LeibnizInstituteforSurfaceModification,Leipzig,Germany
8．IonimplantationintoGaN:damage,annealingandlatticesitelocation,1stChina-KoreaJointSymp.onWide-BandgapSemiconductors&Spintronics,May11-15,2005,WuhanUniversity,China.
9．AmorphizationandlatticelocationofionimplantedGaN，Singapore-SinoJointSymp.onResearchFrontiersinPhysics,Aug.28-30,2005,NationalUniversityofSingapore.
10．Preparation,characterizationandapplicationofnanooxides,4thInter.Conf.onAdv.Mater.&Dev.(ICAMD),Jeju,Korea,Dec5-7,2005,invitedtalk.
11．IonimplantationintoGaN,SVTAssociates,MN,USA,Feb.7,2006,invitedtalk.
12．LatticelocationofdopantsinGaN,1stKorea-ChinaSymp.onAdvancedFunctionalFilmsforInformation,Jeju,Korea,Sept.20-24,2006,invitedtalk.
13．GrowthandIonimplantationintoGaNmaterialanddevice,HanyangUniversity,Seoul,Korea,Sept.25,2006.invitedtalk.
14．刘昌，范湘军，离子注入GaN,2006年全国荷电粒子源、粒子束学术会议，武汉，2006年10月14-19日，大会邀请报告。
15．梅菲，彭挺，刘昌，分子束外延生长AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，2006年全国真空年会，2006年10月21-24日，西安，电子材料与器件分会报告。
16．刘昌，第三带宽禁带半导体材料和器件，全国集成电路工艺计算机辅助设计系统研讨会，2006年11月28-30日，湖北大学，邀请报告。
17．ReductionofThreadingDislocationsinAlNEpilayersbyInterlayerInterruption,2ndChina-KoreaSymp.onAdvancedFunctionalFilmsforInformation,Jinan,China,July7-10,2007,invitedtalk.
18．Simulationofvoltage-controlledvariablelightemissionsfromGaNcodopedwithEu,Er,andTm,2ndChina-KoreaSymp.onAdvancedFunctionalFilmsforInformation,Jinan,China,July7-10,2007.
19．FabricationofZnO/GaNheterostructureonGaNsubstratebye-beamevaporation,2ndChina-KoreaSymp.onAdvancedFunctionalFilmsforInformation,Jinan,China,July7-10,2007.
20．MBEgrowthofAlNthinfilmsandAlGaN/GaNheterostructures，3rdChina-KoreaJointSymp.onWide-BandgapSemiconductors&Spintronics,Jeju,Korea,Aug.26-29,2007,invitedtalk.
21．离子注入GaN及其在器件中的应用，2007年中国物理年会半导体物理分会邀请报告，2007年9月18-20日，南京大学。
22．EffectofAlN/GaNsuperlatticesonAl0.45Ga0.55NepitaxiallayergrownonAlN/sapphiretemplatesbymolecularbeamepitaxy，Q.M.Fu,T.Peng,Y.Pan,K.M.Wu,andC.Liu,3rdChina-KoreaSymp.onAdvancedFunctionalFilmsforInformation,InhaUniversity,Incheon,Korea,Sept.28–Oct.2,2008.invitedtalk.
23．GrowthofAlGaN/GaNhetero-structuresontransitionmetaldopedGaNtemplates，PhotonicsandOptoElectronicsMeetings(POEM2009)（"SolarCells,SolidStateLightingandInformationDisplayTechnologies(SSID)"）,Wuhan,P.R.China，August8-102009,invitedtalk.
24．PreparationofSemi-InsulatingGaNTemplatesforAlGaN/GaNHeterostructures,1stInternationalSymposiumonPhotonicsandOptoelectronics(SOPO2009),Wuhan,China,Aug.14-16,PlenarySpeech.
25．InvestigationonthefabricationandtransportpropertiesofYMnO3/GaN,4thChina-KoreaSymp.onAdvancedFunctionalFilmsforInformation,Lanzhou,China,Aug.16-21,2009.
26．YMnO3在GaN上的集成生长与漏电性能研究，2009年中国物理年会半导体物理分会邀请报告，2009年9月18-20日，上海交通大学。
27．Cu2O/GaNheterostructures,2ndInternationalSymposiumonPhotonicsandOptoelectronics(SOPO2010),Chengdu,China,Jun.19-21.Oralpresentation.
28．Structural,electrical,opticalandroom-temperatureferromagneticpropertiesofCu2O/GaNhetero-structures，5thChina-KoreaSymp.onAdvancedFunctionalFilmsforInformation,UlsanUniversity，Ulsan,Korea,Aug.17-21,2010.invitedtalk.
29．氮化物高电子迁移率晶体管，中青年科学家威海论坛2011主题：先进材料与核科学技术，2011年7月27-8月2日，山东威海，邀请报告。
30．绝缘GaN衬底制备及HEMT与铁电集成，第九届全国分子束外延学术会议，2011年7月4-8日，哈尔滨，大会邀请报告。
31．武汉大学拔尖人才培养的几点尝试，2011年全国大学物理教学研讨会，2011年10月28-30日，山东济南，大会邀请报告。
32．ALDgrowthofthenon-polarZnOthinfilms，第一届国际ALD应用大会暨第二届中国ALD学术交流会，2012年10月15-16日，上海复旦大学，口头报告。
33．GrowthandopticalpropertiesofZnO/AlN/GaNp-I-njunctions，第一届国际ALD应用大会暨第二届中国ALD学术交流会，2012年10月15-16日，上海复旦大学，口头报告。
34．ZnO/SiandZnO/GaNheterojunctions:structural,electricalandopticalproperties，1stChina-KoreaSymposiumonLowDimensionalElectronicandPhotonicMaterialsandDevices,Guilin,China,Nov.5-9.2012，invitedtalk.
35．NonpolarPlaneZnOFilmsdepositedbyAtomicLayerDeposition，2012CollaborativeConferenceonCrystalGrowth(3CG),HiltonOrlandoatSeaWorld,OrlandoFlorida,USA,Dec.11-14,2012,invitedtalk.
36．StudyonZnO-basedheterojunctions:structural,electricalandopticalproperties,TheWCUKorea-ChinaWorkshoponNitrideSemiconductors2013,SeoulNationalUniversity,Seoul,Korea,July20~23,2013.invitedtalk.
37．ZnO-basedheterojunctions:structural,electricalandopticalproperties，The8thPacificRimInternationalCongressonAdvancedMaterialsandProcessing(PRICM8)，Hawaii,Aug.4-9,2013,oralpresentation.
38．原子层沉积法制备极性、半极性和非极性面ZnO异质结器件，湖北省物理学会2013年年会，2013年8月20-24日，邀请报告。
39．Near-infraredrandomlasingfromm-planeZnO,2ndChina-KoreaSymposiumonLowDimensionalElectronicandPhotonicMaterialsandDevices,Busan,Korea,Aug.26-30,invitedtalk.
40．Growthofpolar,semipolarandnonpolarZnOthinfilmsbyatomiclayerdepositionandstudyonshape-dependentlocalizedsurfacePlasmonenhancedUV-emission，11thInternationalConferenceonNanoScienceandNanoTechnology(ICNST2013),ChosunUniversity,Gwangju,Korea，Nov.7-8,2013,invitedtalk.
专利:
1．Kiuchi,C.Liu,andT.Matsutani,PreparationofTransparentConductingFilms,JapanesePatentNo.:2002-180762
2．刘昌，梅菲，一种GaN绝缘或半绝缘外延层的制备方法，专利批准号：ZL**7.2，授权公告日：2009年2月25日
3．刘昌，张蕾，梅菲，刘福庆，一种电致发光二极管的制备方法，ZL**6.4，授权公告日：2009年5月14日
4．刘昌，付秋民，刘博，一种高质量AlN薄膜的制备方法，专利批准号：ZL**1.3授权公告日：2011年8月17日
5．刘昌，王倜，吴昊，陈超，一种在硅衬底上生长m面ZnO的方法，ZL**7.2，授权公告日：2014年2月18日
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