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职 称
学 历
E-mailwangz@whu.edu.cn
研究方向
姓名：王柱
职务/职称：教授（博士生导师）
地址：武汉大学物理科学与技术学院
电话：**（O），**(M)，QQ**
E-mail：wangz@whu.edu.cn
一、学历和教育：
1999复旦大学现代物理所，博士。
2001-2002德国马丁.路德大学材料中心，访问教授
2008-2009加州大学伯克利分校客座教授
承担的课程：辐射物理与辐射防护，微电子与固体电子材料微结构，核物理前沿讲座，近代物理专题，微机接口实验，普通物理，普通物理实验，半导体物理II等课程。
二、研究方向：
近年来主要从事核材料、半导体材料中的各种缺陷的性质以及缺陷的运动变化规律研究。设计建立了第一台符合多普勒展宽谱仪。先后主持国家计委、国家自然科学基金、湖北省自然科学基金等科研课题多项；合作科研成果先后获得湖北省自然科学奖一等奖、获钟振强科研成果奖、武汉大学教学成果奖，指导的学生硕士论文获得湖北省优秀硕士论文。近年来在国际知名学术刊物发表论文60余篇。具体研究方向为：
核材料；微电子与固体电子材料微结构；正电子湮没谱学及应用；高能光子探测器。
三、科学研究：
近期的科研项目：
1.国家自然科学基金：“用正电子湮没谱学研究辐照缺陷的自修复机理”，项目负责人。2013-2016年；
2.中央高校基本科研业务费专项：“聚变条件下强辐射防护设计”，项目负责人，2010-2012年；
2.国家自然科学基金：“用高分辨数字式正电子寿命谱研究AlN、ZnO等半导体中的缺陷”。项目负责人。2008-2010年；
3.美国能源部基金：“先进反应堆合金的辐照诱导相分离和相稳定”，项目参加人。2007-2010年；
4.辐射物理及技术教育部重点实验室课题：“锑化镓材料辐照缺陷研究”，项目负责人。2005-2006年；
5.重离子加速器国家实验室开放课题：“锑化镓p型导电机理研究”，项目负责人。2004-2005年；
6.国家自然科学基金：“用二维符合多普勒展宽谱研究GaSb等半导体的缺陷及缺陷化学环境”。项目负责人。2004-2006年；
7.湖北省自然科学基金：“双探头符合多普勒展宽谱仪研制及在新型光电子功能材料中的应用”。项目负责人。2004-2006年；
8.国家自然科学基金：“沸石中半导体纳米团簇材料的正电子研究”。主要参加者。2002-2004年
9.湖北省自然科学基金重点项目：“用正电子湮没研究先进材料中纳米尺度的微结构”。主要参加者。2002-2004年；
10.武汉大学科研启动项目：“正电子湮没技术在半导体材料研究中的应用”，项目负责人，2000-2003年
四、出版的教材专著：
《材料现代测试技术》岳文海主编，武汉工业大学出版社
五、发明专利：
1.流化床法还原碳化一次制备硬质合金复合粉，
专利号：ZL**.6,已经转让、实施。
2.一种移动式数字正电子寿命谱仪
专利号：**0.4
3.正电子平均寿命分解程序，
专利号：**8.6
4.一种简化数字符合多普勒展宽谱仪
专利号:**9.2
六、主要奖励：
1、获2001年钟正强奖，科研二等奖.
2、湖北省自然科学奖“用正电子微探针研究先进材料纳米尺度结构”，一等奖。2003年.
3、武汉大学教学成果二等奖“理科非物理专业(大学物理)课程的改革与实践”2004年.
4、湖北省优秀硕士学位论文“用符合多普勒展宽谱研究原生GaSb中的缺陷”2005年.
七、近年发表的部分论文
1.Room-temperatureferromagnetisminhydrogenatedZnOnanoparticles
XudongXue,LiangliangLiu,ZhuWangandYichuWu
J.Appl.Phys.115,033902(2014)
2.DefectsprofilesinAgIonImplantedMoStudiedbySlowPositronBeam
ZhuWang*,PengfeiTai,FengshouTian,LiangliangLiu,ChunqingHe
SLOPOS13，Sep15-20,2013,Munich,Germany
3.Self-healingmechanismofirradiationdefectsnearΣ=11(113)grainboundaryincopper
LiangliangLiua,ZhengTangb,WeiXiaoc,ZhuWanga,*
MaterialsLetters,Volume109,15October2013,Pages221–224
4.EffectofHydrogenonO2AdsorptionandDissociationonaTiO2Anatase(001)Surface
LiangliangLiu,ZhuWang,ChunxuPan,WeiXiao,*andKyeongjaeCho
ChemPhysChem2013,14,996–1002
5.PlasticDeformationofNanocrystallineZincInvestigatedbyPositronAnnihilationLifetimeSpectroscopy
ZHOUKai(周凯)，LIHui(李辉)，WANGZhu(王柱)
CHIN.PHYS.LETT.Vol.30,No.5(2013)057804
6.Effectsofoxidedistributedingrainboundariesonmicrostructurestabilityofnanocrystallinemetals
KaiZhou,HuiLi,JinBiaoPang,ZhuWang*
JournalofPhysics:ConferenceSeries443(2013)012020
7.ThermalstabilityofnanocrystallineCustudiedbypositronannihilationlifetimespectroscopyandx-raydiffraction
KaiZhou,HuiLi,JinBiaoPang,ZhuWang
PhilosophicalMagazine,Vol.92,No.16,1June2012,2079–2088
8.ThermalstabilityofgrainboundariesinnanocrystallineZnstudiedbypositronlifetimespectroscopy
KaiZhou,HuiLi,JinBiaoPang,ZhuWang
PhysicaB,407,(2012)1219–1222
9.Correlationbetweendislocationsandvacancy-defectsstudiedbyPositronAnnihilationSpectroscopy
PANGJinbiao,LIHui,ZHOUKai,WANGZhu
PlasmaScienceandTechnology,Vol.14(7),(2012)pp650-655
10.Thermalstabilityofdefectsinplasticallydeformedsiliconstudiedbypositronlifetimespectroscopy
Jin-BiaoPang,HartmutSLeipner,ReinhardKrause-Rehberg,ZhuWang,KaiZhouandHuiLi
Semicond.Sci.Technol.27(2012)035023(7pp)
11.Defectpropertiesofas-grownandelectron-irradiatedTe-dopedGaSbstudiedbypositronannihilation.
LiHui,ZhouKai,PangJingbiao,ShaoYundong,WangZhu,ZhaoYouwen.
SemiconductorScienceandTechnology.2011,26,075016(6pp)(SCI)
12.InvestigationofmicrostructurethermalevolutioninnanocrystallineCu
KaiZhou,HuiLi,JinBiaoPang,ZhuWang*
PhysicaB,V406(2011)760-765
13.Asimplifieddigitalpositronlifetimespectrometerbasedonafastdigitaloscilloscope
LiHui,ShaoYundong,ZhouKai,PangJingbiao,WangZhu
NuclearInstrumentsandMethodsinPhysicsResearch,A2011,625,29-34(SCI)
14.Proton-irradiationinduceddefectsinTe-dopedGaSbstudiedbyphotoluminescenceandpositronannihilationspectroscopy
KaiZhou,HuiLi,ZhuWang
ModernPhysicsLettersB,Vol.24,No.27(2010)2733-2739
15.Protonirradiation-induceddefectsinundopedGaSbstudiedbypositronlifetimespectroscopyandphotoluminescence
HUILI;ZHUWANG*;KAIZHOU;JINGBIAOPANG;JUNYUKE;YOUWENZHAO
Journalofoptoelectronicsandadvancedmaterials,Volume11.（2009）Pp.1122-1126
16.DefectsinelectronirradiationTe-dopedGaSbstuduedbypositronlifetimespectroscopy
H.LI,J.Y.Ke,J.B.Pang,B.WangandZ.Wang*
MateralsScienceForum,Vol607(2009)p140
17.Defectstudyofas-grownsinglecrystalZnObypositron
KeJunyu,LiHui,PangJinbiao,DaiYiqun,WangZhu*andZhaoYouwen
MateralsScienceForum,Vol607(2009)p143
18.DefectconfigurationsinGe-SchalcogenideglassesstudiedbyRamanscatteringandpositronannihilationtechnique
LinCG,TaoHZ,WangZ*,etal.(*correspondingauthor)
JOURNALOFNON-CRYSTALLINESOLIDSVol:355no:7pp:438-440,MAR152009
19.CompositionaldependenceoftheopenvolumeofGeSxglassesstudiedbypositronannihilationspectroscopy
BingWang,HaizhengTao,ChangguiLin,ZhuWang*(*correspondingauthor)
OptoelectronicsandAdvancedMaterials-RapidCommunicationsVol.2,No.2,February2008,p.63–66
20.IdentificationofvacanciesinelectronirradiatedGaSbbyCoincidenceDopplerBroadeningSpectroscopy
Y.D.Shao,Z.Wang*,Y.Q.Dai,Y.W.Zhao,F.Y.Tang(*correspondingauthor)
MaterialsLetters61(2007)1187–1189
