姓 名：缪向水
职称：教授（教育部“****”****、国务院享受政府特殊津贴专家）
专业方向：信息存储材料及器件

个人简介：
光电信息学院副院长、微电子学院副院长、信息存储材料及器件研究所所长、蔡少棠忆阻器研究中心主任；
华中科技大学校学术委员会委员、市政府第八届决策咨询委员会委员、湖北省集成电路产业发展专家咨询委员会副主任；
先进存储器湖北省重点实验室主任、湖北省微电子工程研究中心主任、湖北省薄膜材料检测技术工程实验室技术委员会主任。

学习工作经历：
1982年至1986年 华中工学院（现华中科技大学）电子材料与元器件专业本科生；
1986年至1989年 华中理工大学（现华中科技大学）电子材料与元件专业硕士研究生；
1994年至1996年 华中理工大学（现华中科技大学）电子材料与元器件专业博士研究生；
1989年至1996年 任华中理工大学（现华中科技大学）助教、讲师、副教授；
1996年至1997年 任香港城市大学副研究员、研究员；
1997年至2007年 任新加坡国立大学/国家数据存储研究院首席研究工程师、4级科学家；
2007年至现在 任华中科技大学教授、博士生导师。

学术兼职：
中国存储器产业联盟副理事长、中国半导体三维集成制造产业联盟副理事长、中国仪表功能材料学会副理事长、中国微米纳米技术学会常务理事、中国真空学会薄膜专委会副主任委员。

学科专业：
(1)电子科学与技术专业/微电子学与固体电子学方向；
(2)集成电路科学与工程专业/先进存储器方向；
(3)电子信息专业/集成电路工程硕士或软件工程硕士方向(专业学位）
(4)人工智能专业/认知计算与类脑智能方向
联系方式：
电话：
Email: miaoxs@ hust.edu.cn
办公地点：华中科技大学光电信息大楼D732
主要成果：
主要从事三维相变存储器、忆阻器、类脑智能计算、逻辑运算等信息存储材料及器件方向的研究。近年来主持承担了国家重点研发计划项目、国家02重大专项子课题、国家863重大项目子课题、863面上项目、国家国际科技合作项目、国家自然科学基金项目等科研项目。已发表论文300余篇，获得美国发明专利授权7项，授权中国发明专利69项。
科研获奖：
（1）“薄膜材料热特性测试技术及仪器”,湖北省技术发明一等奖，2020年
（2）“Superlattice-like rewritable phase-change optical media”, National Technology Award(Singapore)新加坡国家技术奖(年度唯一)，2004年
（3）“加固光盘技术研究”，国家科技进步奖，1998年
（4）“宽温光记录材料工艺研究”，国家科技进步奖，1992年
代表性著作和论文（2019-2020）：
（1）《忆阻器导论》，缪向水等，科学出版社
（2）Recent advances on neuromorphic devices based on chalcogenide phase-change materials，Advanced Functional Materials，2020
（3）Recent progress on memristive convolutional neural networks for edge intelligence, Advanced Intelligent Systems，2020（https://doi.org/10.1002/aisy.）
（4）In-Memory Hamming Weight Calculation in a 1T1R Memristive Array，Advanced Electronic Materials，2020
（5）Low-Power Artificial Neurons Based on Ag/TiN/HfAlOx/Pt Threshold Switching Memristor for Neuromorphic Computing，IEEE Electron Device Letters, 2020
（6）Stickier”-Surface Sb2Te3 Templates Enable Fast Memory Switching of Phase Change Material GeSb2Te4 with Growth-Dominated Crystallization，ACS Applied Materials & Interfaces，2020
（7）Controlled memory and threshold switching behaviors in a heterogeneous memristor for neuromorphic computing, Advanced Electronic Materials，2020
（8）High-Precision Symmetric weight update of memristor by gate voltage ramping method for convolutional neural network accelerator，IEEE Electron Device Letters, 2020
（9）Functional Demonstration of a Memristive Arithmetic Logic Unit (MemALU) for In‐Memory Computing, Advanced Functional Materials,Volume 29,?Issue 49, ** (2019)
（10）Nanochannel-Based Transport in an Interfacial Memristor Can Emulate the Analog Weight Modulation of Synapses，Nano Letters, 19, 7, 4279-4286( 2019)
（11）Neuronal dynamics in HfOx/AlOy-based homeothermic synaptic memristors with low-power and homogeneous resistive switching, Nanoscale, 11, 237-245(2019)
（12）LiSiOX-Based Analog Memristive Synapse for Neuromorphic Computing, IEEE Electron Device Letters, vol. 40, issue 4, pp. 542-545 (2019)
（13）Implementation of All 27 Possible Univariate Ternary Logics With a Single ZnO memristor, IEEE Trans Electron Device, 66:11, 4710-4715 (2019)
（14）Coexistence of digital and analog resistive switching with low operation voltage in oxygen-gradient HfOx memristors, IEEE Electron Device Letters 40, 1068 (2019)
（15）Ab Initio Simulation of Ta2O5: A high symmetry ground state phase with application to interface calculation, Annalen der Physik 531, ** (2019)
（16）Reconfigurable Boolean Logic in Memristive Crossbar: The Principle and Implementation, IEEE Electron Device Letters, Volume: 40 , Issue: 2 , 200 - 203, (2019 )
（17）An electro-photo-sensitive synaptic transistor for edge neuromorphic visual systems, Nanoscale 11, 17590 (2019)
（18）Alleviating Conductance Nonlinearity via Pulse Shape Designs in TaO? Memristive Synapses, IEEE Transactions on Electron Devices, 66, 810 (2019).
（19）Optimal Tuning of Memristor Conductance Variation in Spiking Neural Networks for Online Unsupervised Learning, IEEE Transactions on Electron Devices, 66 (6), 2844 (2019)
（20）Gate Modulation of Excitatory and Inhibitory Bilingual Synaptic Plasticity in a Low-Temperature Polysilicon Thin Film Synaptic Transistor, ACS Applied Electronic Materials, 1(1), 132-140,(2019).
（21）Resistance Drift Suppression Utilizing GeTe/Sb2Te3 Superlattice-Like Phase-Change Materials, Advanced Electronic Materials, **, 2019.
（22）Ultra-low Program Current and Multilevel Phase Change Memory for High Density Storage Achieved by a Low Current SET Pre-operation, IEEE Electron Device Lett., 40(10), 1595, 2019.
（23）Isolating hydrogen in hexagonal boron nitride bubbles by a plasma treatment, NATURE COMMUNICATIONS, 10, 2815 (2019)
授权专利共76项，其中授权美国专利7项
（1） 缪向水，童浩，程晓敏, MULTI-LAYER PHASE CHANGE MATERIALS, 2017.1.10,美国，US **
（2） 缪向水，李祎，钟应鹏，NON-VOLATILE LOGIC DEVICE BASED ON PHASE-CHANGE MAGNETIC MATERIALS AND LOGIC OPERATION METHOD THEREOF，2017.1.10，美国，US **
（3） 缪向水，李祎，钟应鹏，许磊，ASSOCIATIVE MEMORY CIRCUIT，2017.2.7，美国，US **
（4） 缪向水，李祎，钟应鹏，许磊、，孙华军，程晓敏，NONVOLATILE LOGIC GATE CIRCUIT BASED ON PHASE CHANGE MEMORY，2016.6.14，美国，US **
（5） 缪向水，周亚雄，李祎，孙华军，NON-VOLATILE BOOLEAN LOGIC OPERATION CIRCUIT AND OPERATION METHOD THEREOF，2016.10.28，美国，US **
（6） 缪向水，李祎，钟应鹏，许磊，孙华军，徐小华，JOINT SHORT-TIME AND LONG-TIME STORAGE DEVICE AND STORAGE METHOD THEREOF，2016.8.16，美国，US **
（7） 刘群、张涛、缪向水、李祎、周亚雄，Memristor-based processor integrating computing and memory and method for using the processor，2018.07.10，美国，US**