个人简介：
高国营，副教授，博士生导师，中共党员。2008年获得华中科技大学凝聚态物理博士学位，并留校工作。曾获湖北省优秀博士学位论文奖(2009)、校华中****荣誉称号(2012)和英国皇家物理学会高被引中国作者(2019)。主要从事自旋电子学和热电子学的研究，已经以第一/通讯作者在Nanoscale, PRB, APL和NJP等刊物发表论文70多篇(包括ESI高被引论文2篇和年度研究亮点论文1篇)，被包括Science, PRL, Phys. Rep.和Nat. Rev. Mater.等论文引用2300多次，H指数25，单篇被引用100次以上的论文7篇。先后主持教育部博士点基金和国家自然科学基金(青年、面上)等项目。目前担任Scientific Reports编委(凝聚态物理领域)。长期担任Nanoscale, APL, NJP和JPCL等20多个国内外SCI期刊的审稿人/仲裁人，荣获2020年度Chinese Physics B优秀评阅人。先后到日、韩、美、德、意、加等国开展学术交流。已经指导博士毕业生4名，硕士毕业生8名。
个人主页：http://faculty.hust.edu.cn/gaoguoying/zh_CN/index.htm
办公室：逸夫科技楼南412；邮箱：guoying_gao@mail.hust.edu.cn
研究方向：
1)自旋输运，低维磁性；2)热电输运；3)量子功能材料与器件
代表作：
1)Y. Feng, N. Liu andG. Gao*,“Spin transport properties in Dirac spin gapless semiconductors Cr₂X₃with high Curie temperature and large magnetic anisotropic energy”,Appl. Phys. Lett.118, 112407 (2021).
2)X. Wu,G. Gao?,L. Hu and D. Qin, “2D Nb₂SiTe₄and Nb₂GeTe₄: promising thermoelectric figure of merit and gate-tunable thermoelectric performance”,Nanotechnology32, 245203 (2021).
3)Y. Feng, X. Wu andG. Gao?, “High tunnel magnetoresistance based on 2D Dirac spin gapless semiconductor VCl₃”,Appl. Phys. Lett.116, 022402 (2020).
4)Y. Feng, X. Wu, L. Hu andG. Gao?, “FeCl₂/MoS₂/FeCl₂van der Waals junction for spintronic applications”,J. Mater. Chem. C8, 14353 (2020).
5)C. Wang, G. Ding, X. Wu, S. Wei andG. Gao?, “Electron and phonon transport propertiesof layered Bi₂O₂Se and Bi₂O₂Te from first-principles calculations”,New J. Phys.20, 123014 (2018).
6)J. Han andG. Gao?, “Large tunnel magnetoresistance and temperature-driven spin filtering effect based on the compensated ferrimagnetic spin gapless semiconductor Ti₂MnAl”,Appl. Phys. Lett.113, 102402 (2018).
7)J. Han, Y. Feng, K. Yao andG. Gao?, “Spin transport properties based on spin gapless semiconductor CoFeMnSi”,Appl. Phys. Lett.111, 132402 (2017).
8)G. Ding, J. Chen, K. Yao andG. Gao?, “Enhanced thermoelectric properties of layered ZrS₂by orbital engineering”,New J. Phys.19, 073036 ( 2017).
9)G. Ding, J. Carrete, W. Li,G. Gao?and K. Yao, “Ultralow lattice thermal conductivity in topological insulator TlBiSe₂”,Appl. Phys. Lett.108, 233902 (2016).
10)G. Gao?, G. Ding, J. Li, M. Wu, K. Yao and M. Qian, “Monolayer MXenes:promising half-metals and spin gapless semiconductors”,Nanoscale8, 8986 (2016).
讲授课程：
凝聚态物理前沿、大学物理（二）、大学物理（一）、实验、物理实验（二）、物理实验（一）、物理实验（一）绪论