张有为

同专业硕导
个人信息Personal information

副研究员 硕士生导师
性别：男
在职信息：在职
所在单位：物理学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：理学博士学位
毕业院校：复旦大学
学科：精密测量物理
微电子学与固体电子学


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个人简介Personal profile

张有为，男，华中科技大学副研究员，硕士生导师。2016.1毕业于复旦大学，获得微电子学与固体电子学博士学位，之后赴瑞典乌普萨拉大学从事博士后研究工作，2018年5月加入华中科技大学物理学院引力中心。主要从事半导体器件工艺、二维材料场效应晶体管、光电探测器、气体传感器等方面的研究。相关工作已发表SCI期刊论文14篇，其中包含中科院一区Top期刊论文3篇（ACS Nano，Small，Advanced Optical Materials）、物理学科2015年度...
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教育经历Education experience

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工作经历Work experience

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社会兼职Social affiliations

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研究方向Research focus

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团队成员Research group

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科学研究 中文主页 - 科学研究


研究领域
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论文成果
[1] Youwei Zhang.Competing mechanisms for photocurrent induced at the monolayer-multilayer graphene junction.Small.2018,14(24):**
[2] Youwei Zhang.Extending the Spectral Responsivity of MoS2 Phototransistors by Incorporating Up-conversion Microcrystals.Advanced Optical Materials.2018,6(21):**
[3] Youwei Zhang.On Valence-Band Splitting in Layered MoS2.ACS NANO.2015,9(8):8514-8519
[4] Youwei Zhang.Photothermoelectric and photovoltaic effects both present in MoS2.Scientific Reports.2015,5:7938
[5] Youwei Zhang.Thickness Considerations of Two-Dimensional Layered Semiconductors for Transistor Applications.Scientific Reports.2016,6:29615


专利
[1] 基于多层-单层石墨烯结的太赫兹探测器及制备方法
[2] 基于TMDCs－SFOI 异质结的气体传感器及其制备方法
[3] 基于天线结构的二维过渡金属硫化物气体传感器及制备
[4] 采用水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法
[5] 一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法


著作成果
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科研项目
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论文成果 中文主页 - 科学研究 - 论文成果

[1] Youwei Zhang, Hemei Zheng, Qiyuan Wang, Chunxiao Cong, Laigui Hu, Pengfei Tian, Ran Liu, Shi-Li Zhang, Zhi-Jun Qiu.Competing mechanisms for photocurrent induced at the monolayer-multilayer graphene junction.Small.2018,14(24):**
[2] Youwei Zhang, Jiao Wang, Bing Wang, Jinhai Shao, Jianan Deng, Chunxiao Cong, Laigui Hu, Pengfei Tian, Ran Liu, Shi-Li Zhang,Zhi-Jun Qiu.Extending the Spectral Responsivity of MoS2 Phototransistors by Incorporating Up-conversion Microcrystals.Advanced Optical Materials.2018,6(21):**
[3] Youwei Zhang, Hui Li, Haomin Wang, Ran Liu, Shi-Li Zhang, Zhi-Jun Qiu.On Valence-Band Splitting in Layered MoS2.ACS NANO.2015,9(8):8514-8519
[4] Youwei Zhang, Hui Li, Lu Wang, Haomin Wang, Xiaomin Xie, Shi-Li Zhang, Ran Liu, Zhi-Jun Qiu.Photothermoelectric and photovoltaic effects both present in MoS2.Scientific Reports.2015,57938
[5] Youwei Zhang, Hui Li, Haomin Wang, Hong Xie, Ran Liu, Shi-Li Zhang, Zhi-Jun Qiu.Thickness Considerations of Two-Dimensional Layered Semiconductors for Transistor Applications.Scientific Reports.2016,629615
[6] Youwei Zhang, Zhijun Qiu, Xinhong Cheng, Hong Xie, Haomin Wang, Xiaomin Xie, Yuehui Yu,Ran Liu.Direct Growth of high-quality Al2O3 dielectric on graphene layers by low-temperature H2O-based ALD.J. Phys. D: Appl. Phys..2014,47(5):055106
[7] Jianan Deng, Zhongxun Guo, Youwei Zhang, Xiaoying Cao, Simeng Zhang, Yaocheng Sheng, Hu Xu, Wenzhong Bao, Jing Wan.MoS2/silicon-on-insulator Heterojunction Field-Effect-Transistor for High-performance Photodetection.IEEE Electron Device Letters.2019,40(3):423-426
[8] Hui Li, Youwei Zhang, Shi-Li Zhang, Zhi-Jun Qiu.Trion-induced current anomaly in organic polymer.Organic Electronics.2016,34124-129
[9] Hui Li, Chenyu Wen, Youwei Zhang, Dongping Wu, Shi-Li Zhang, Zhi-Jun Qiu.Accelerating gas adsorption on 3d percolating carbon nanotubes.Scientific Reports.2016,621313
[10] Enyao Gu, Qiyuan Wang, Youwei Zhang, Chunxiao Cong, Laigui Hui, Pengfei Tian, Ran Liu, Shi-Li Zhang, Zhi-Jun Qiu.A real-time Raman spectroscopy study of the dynamics of laser-thinning of MoS2 flakes to monolayers.AIP Advances.2017,7(12):125329

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专利 中文主页 - 科学研究 - 专利

[1] 张有为,华中科技大学.张有为; 曹高奇; 胡方靖; 马衎衎; 王顺.基于多层-单层石墨烯结的太赫兹探测器及制备方法.发明,2019-01-25
[2] 张有为,华中科技大学.张有为; 邓嘉男; 马衎衎; 张卜天; 陈巧; 王顺.基于TMDCs－SFOI 异质结的气体传感器及其制备方法.发明,2018-12-10
[3] 张有为,华中科技大学.张有为; 马衎衎; 张卜天; 陈巧; 王顺.基于天线结构的二维过渡金属硫化物气体传感器及制备.发明,2018-12-10
[4] 张有为,张有为; 仇志军; 陈国平; 陆冰睿; 刘冉.采用水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法.发明,ZL0.9,2012-09-26
[5] 王浩敏;张有为;沈大伟;杨喜超;谢晓明.一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法.发明,ZL9.3,2012-10-11
[6] 张有为,张有为; 仇志军; 陆冰睿; 陈国平; 刘冉.一种石墨烯表面高k栅介质的集成方法.发明,ZL3.7,2012-11-22
[7] 王浩敏;张有为;杨喜超;谢晓明.一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法.发明,ZL6.4,2012-10-11
[8] 张有为,程新红;张有为;徐大伟;王中健;夏超;俞跃辉.在石墨烯表面制备栅介质的方法.发明,ZL6.3,2011-08-19
[9] 张有为,程新红,张有为,徐大伟,王中建,夏超,何大伟,俞跃辉.石墨烯基场效应晶体管的制备方法.发明,ZL0.0,2011-04-27

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