徐静平

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个人信息
教授 博士生导师 硕士生导师性别：男
在职信息：在职
所在单位：光学与电子信息学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：工学博士学位
毕业院校：华中科技大学(Huazhong University of Sci. and Tech.)
学科：微电子学与固体电子学
曾获荣誉：
2019湖北省自然科学奖三等奖
2014Nature Index: 2014 China: 对学校自然指数的突出贡献



个人简介
徐静平，博士，二级教授，博导。于1982年、1984年和1993年在华中理工大学(现华中科技大学)分别获得学士、硕士和博士学位。1995年至1999年在香港大学进行博士后研究。近些年，作为访问****，多次赴香港大学和香港理工大学开展合作研究。自2002年开始，一直从事Si、Ge、SiC、GaAs、InGaAs和MoS₂ MOS器件高k栅介质及其界面特性的研究、Si基悬浮栅和电荷陷阱型非挥发性存储器的研究以及高k栅介质MOSFET器件物理模型、结构设计及制备工艺。迄今在微电子学领域共发表学术论文200余篇,包括ACS Applied materials & interfaces、IEEE EDL、IEEE TED、APL等。



其他联系方式
邮编:
通讯/办公地址:
邮箱:



教育经历
1989.9 ~ 1993.12  华中理工大学   -  工学  -  博士学位  -  研究生(博士)毕业 

1982.9 ~ 1985.9  华中工学院   研究生(硕士)毕业 

1978.3 ~ 1982.3  华中工学院   本科(学士) 




工作经历
1997.7-1999.6 香港大学|电机电子工程系|博士后|博士后

1995.12-1997.6 香港大学|电机电子工程系|资深研究员|资深研究员

1984.9-至今 华中科技大学|光学与电子信息学院|二级教授|助教、讲师、副教授、教授




社会兼职
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研究方向
1）先进的小尺寸CMOS集成器件原理、结构、工艺及建模/模拟(The principle, structure, process and modeling/simulation of advanced small-size CMOS devices)；

2）二维层状半导体材料及纳电子/光电子器件






3）新型非挥发性半导体存储器






团队成员
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个人信息Personal information

教授博士生导师 硕士生导师
性别：男
在职信息：在职
所在单位：光学与电子信息学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：工学博士学位
毕业院校：华中科技大学(Huazhong University of Sci. and Tech.)
学科：微电子学与固体电子学
曾获荣誉：
2019湖北省自然科学奖三等奖
2014Nature Index: 2014 China: 对学校自然指数的突出贡献



科学研究 中文主页 - 科学研究


研究领域
主要从事微电子器件的研究，主要方向包括：1）先进的小尺寸CMOS集成器件原理、结构、工艺及建模/模拟；
2）二维层状半导体材料及纳电子/光电子器件；
3）新型非挥发性半导体存储器。


论文成果
[1] Xin-Yuan Zhao.Influence of Si-Substrate Concentration on Electrical Properties of Back- and Top-Gate MoS2 Transistors.IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES.2021,68(6):3087-3090
[2] Xinge Tao.Improved subthreshold swing of MoS2 negative-capacitance transistor by fluorine-plasma treatment on ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 gate dielectric.Nanotechnology.2021,31:135206 (8pp).
[3] X. Zou.Few-Layered MoS2 Field-Effect Transistors with a Vertical Channel of Sub-10 nm.ACS Appl. Mater. Inter.2020,12(29):32943-32950
[4] X. Zhao.Improved Interfacial and Electrical Properties of MoS2 Transistor with High/Low-Temperature Grown Hf0.5Al0.5O as Top-Gate Dielectric.IEEE Electron Device Lett..2020,41(3):385-388.
[5] X. Zhao.Improved Electrical Properties of Top-Gate MoS2 Transistor with NH3-Plasma Treated HfO2 as Gate Dielectric.IEEE Electron Device Lett..2020,41(9):1364-1367


专利
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著作成果
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科研项目
[1] 国家自然科学基金项目：高稳定低功耗陡峭斜率免回滞MoS2负电容场效应晶体管研究, 国家自然科学基金项目, 2019-09-07-2023-12-31, 在研
[2] 国家自然科学基金项目：高性能双栅高k介质MoS2场效应晶体管的介质屏蔽效应及界面工程, 国家自然科学基金项目, 2017-09-07-2021-12-31, 在研
[3] 国家自然科学基金项目：小尺寸HfTiO/TaON/GeON堆栈高k栅介质GeOI基MOSFET研究, 国家自然科学基金项目, 2012-09-07-2016-12-31, 结题
[4] 国家自然科学基金项目：小尺寸超薄HfTiON/GGO堆栈高k栅介质InGaAs nMOSFET研究, 国家自然科学基金项目, 2011-09-07-2015-12-31, 结题
[5] 国家自然科学基金项目：小尺寸低压高速长保持力电荷陷阱型悬浮栅存储器的研究, 国家自然科学基金项目, 2009-09-07-2012-12-31, 结题

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研究领域主要从事微电子器件的研究，主要方向包括：1）先进的小尺寸CMOS集成器件原理、结构、工艺及建模/模拟；
2）二维层状半导体材料及纳电子/光电子器件；
3）新型非挥发性半导体存储器。



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毕业院校：华中科技大学(Huazhong University of Sci. and Tech.)
学科：微电子学与固体电子学
曾获荣誉：
2019湖北省自然科学奖三等奖
2014Nature Index: 2014 China: 对学校自然指数的突出贡献



论文成果 中文主页 - 科学研究 - 论文成果

[1] Xin-Yuan Zhao,Lu Liu.Jing-Ping Xu*.Influence of Si-Substrate Concentration on Electrical Properties of Back- and Top-Gate MoS2 Transistors.[J].美国:IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES.2021,68(6):3087-3090
[2] Xinge Tao,Jingping Xu#.Lu Liu*,Pui-To Lai*.Improved subthreshold swing of MoS2 negative-capacitance transistor by fluorine-plasma treatment on ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 gate dielectric.[J].英国:Nanotechnology.2021,** (8pp).
[3] X. Zou,H. Wang,L. Liu.W. Tang,J. Xu*.Few-Layered MoS2 Field-Effect Transistors with a Vertical Channel of Sub-10 nm.[J].英国:ACS Appl. Mater. Inter.2020,12(29):32943-32950
[4] X. Zhao,J. P. Xu,P. Lai.L. Liu*,W. Tang.Improved Interfacial and Electrical Properties of MoS2 Transistor with High/Low-Temperature Grown Hf0.5Al0.5O as Top-Gate Dielectric.[J].美国:IEEE Electron Device Lett..2020,41(3):385-388.
[5] X. Zhao,J. P. Xu#,Z. Li.L. Liu.Improved Electrical Properties of Top-Gate MoS2 Transistor with NH3-Plasma Treated HfO2 as Gate Dielectric.[J].美国:IEEE Electron Device Lett..2020,41(9):1364-1367
[6] Xingjuan Song,Lu Liu,Pui-To Lai.Jingping Xu*,Wing-Man Tang.Optimizing Al-doped ZrO2 as gate dielectric of MoS2 field-effect transistors.[J].英国:Nanotechnology.2020,** (8pp).
[7] X. Zou,L. Liu,H. Wang.J. Xu*,W.M. Tang.Long-term stability of multilayer MoS2 transistors with mica gate dielectric.[J].英国:Nanotechnology.2020,31(18):185202
[8] X. Song,,J. P. Xu.L. Liu,P. Lai.Comprehensive investigation on CF4/O2-plasma treating the interfaces of stacked gate dielectric in MoS2 transistors.[J].英国:Appl. Surf. Sci..2020,
[9] X. Song,J. P. Xu.L. Liu.High-Quality CVD-MoS2 Synthesized on Surface-Modified Al2O3 for High-Performance MoS2 Field-Effect Transistors.[J].美国:IEEE Trans. on Electron Devices.2020,67(11):5196-5200
[10] Zhou L,Liu L.Xu J P*,Li C X.Comparative investigation on NH3-plasma treating different surfaces of stack-gate dielectric Ge MOS capacitors.[J].日本:Applied Physics Express.2020,**

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科研项目 中文主页 - 科学研究 - 科研项目

[1] 国家自然科学基金项目：高稳定低功耗陡峭斜率免回滞MoS2负电容场效应晶体管研究,中国科学技术部,1,2019-09-07-2023-12-31
[2] 国家自然科学基金项目：高性能双栅高k介质MoS2场效应晶体管的介质屏蔽效应及界面工程,中国科学技术部,2,2017-09-07-2021-12-31
[3] 国家自然科学基金项目：小尺寸HfTiO/TaON/GeON堆栈高k栅介质GeOI基MOSFET研究,中国科学技术部,3,2012-09-07-2016-12-31
[4] 国家自然科学基金项目：小尺寸超薄HfTiON/GGO堆栈高k栅介质InGaAs nMOSFET研究,中国科学技术部,4,2011-09-07-2015-12-31
[5] 国家自然科学基金项目：小尺寸低压高速长保持力电荷陷阱型悬浮栅存储器的研究,中国科学技术部,5,2009-09-07-2012-12-31
[6] “光电子与微电子器件及集成”重点研发专项: 高迁移率 CMOS 与红外光子器件混合集成芯片技术（基础前沿类）,中国科学技术部,6,2023-12-31

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教学资源
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授课信息
[1] 集成微电子器件 /秋学期
[2] 微电子器件与IC设计（一）） /秋学期


教学成果
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授课信息 中文主页 - 教学研究 - 授课信息

[1] 集成微电子器件,秋学期/2021-2022/
[2] 微电子器件与IC设计（一））,秋学期/2021-2022/

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获奖信息 中文主页 - 获奖信息

[1] 徐静平,曾祥斌,刘璐,周文利,高俊雄,湖北省资源共享课程,省/市级,《微电子器件与IC设计》课程,Huazhong University of Science and Technology,省/市级,2015-05-08
[2] 徐静平,刘璐,华中科技大学研究生高水平国际化课程优秀奖,校级,《集成微电子器件》,华中科技大学,校级,其他奖,2014-05-08
[3] 徐静平,曾祥斌,周文利,尹盛,高俊雄,湖北省精品课程,省/市级,《微电子器件与IC设计》课程,华中科技大学,省/市级,其他奖,2007-05-08
[4] 徐静平,曾祥斌,周文利,尹盛,高俊雄,湖北省教改项目,省/市级,微电子器件与IC设计数字化教学平台建设与研究,华中科技大学,省/市级,其他奖,2007-05-08
[5] 徐静平,华中科技大学校教学质量优秀奖,校级,华中科技大学校教学质量优秀奖,华中科技大学,校级,二等奖,2009-05-08
[6] 徐静平,华中科技大学优秀研究生指导教师奖,校级,华中科技大学优秀研究生指导教师奖,华中科技大学,校级,优秀奖,2004-05-10
[7] 徐静平,湖北省优秀学士学位论文指导老师,省/市级,湖北省优秀学士学位论文指导老师,华中科技大学,省/市级,优秀奖,2014-05-08
[8] 徐静平,华中科技大学电子科学与技术系优秀班级导师“启发心灵奖”,院系级,华中科技大学电子科学与技术系优秀班级导师“启发心灵奖”,华中科技大学,院系级,其他奖,2011-05-09

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毕业院校：华中科技大学(Huazhong University of Sci. and Tech.)
学科：微电子学与固体电子学
曾获荣誉：
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招生信息 中文主页 - 招生信息

[1] 光学与电子信息学院/微电子学与固体电子学/2021
[2] 光学与电子信息学院/电子信息工程/2021
[3] 光学与电子信息学院/微电子学与固体电子学/2020
[4] 光学与电子信息学院/软件工程/2020

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