一、个人简介
姜礼华，男，汉族。1982年生，博士，副教授，硕士生导师。2005年获商丘师范学院物理学学士学位，2008年获西南交通大学凝聚态物理专业硕士学位，2012年获华中科技大学电子科学与技术专业工学博士学位，同年进入三峡大学工作。
二、研究方向、主要学术成就及学术兼职等
研究方向：碳/硅基薄膜材料及超疏水材料
承担课题：国家自然科学基金青年基金、湖北省教育厅科学基金、宜昌市科技局基金以及三峡大学科学基金等。
代表成果：
代表性论文
（1）Lihua Jiang*; Haiyan Tian; Jie Li*; Peng Xiang*; Yu Peng; Tao Wang; Pingping Hou; Ting Xiao; Xinyu Tan; The influence of NH3 flow rate on the microstructure and oxidation properties of a-Si-C-N:H films prepared by PECVD technology, Applied Surface Science, 2020, 513: 145861.
（2）Lihua Jiang*; Yu Peng; Tao Wang; Haiyan Tian; Ting Xiao; Peng Xiang; Yihua Sun; Xinyu Tan*; The influence of annealing treatments on the microstructural and optical properties of a-SiCx:H films embedded with carbon nanodots, Journal of Alloys and Compounds, 2020, 817: 152772.
（3）Jiang Lihua*; Wang Tao; Peng Yu; Tian Haiyan; Li Mingming; Xiao Ting; Xiang Peng; Sun Yihua*; Tan Xinyu*; The influence of the thermal annealing treatments on the microstructure and optical properties of a-C:H films prepared by PECVD method , Journal of Non-Crystalline Solids, 2019, 514: 60-68.
（4）Jiang Lihua*; Tan Xinyu*; Xiao Ting; Xiang Peng; Li Jie; In situ-grown silicon quantum dots in SiCx:H/a-C:H hetero-multilayer films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition method , Journal of Alloys and Compounds, 2017, 718: 116-121.
（5）Jiang Lihua*; Tan Xinyu*; Xiao Ting; Xiang Peng; The influence of methane flow rate on microstructure and surface morphology of a-SiC:H thin films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition technique, Thin Solid Films, 2017, 622: 71-77.
授权专利：
(1) 姜礼华; 李明明; 孙宜华; 谭新玉; 肖婷; 向鹏; 一种碳量子点荧光材料的制备方法, 2017-10-19, 中国, CN0.3.
(2) 姜礼华; 汪涛; 彭宇; 肖婷; 向鹏; 孙宜华; 谭新玉; 一种含硅量子点多层膜及其制备方法, 2018-03-16, 中国, CN7.7.
(3) 姜礼华;彭宇;汪涛;肖婷;向鹏;谭新玉; 一种透光性硬质氮化碳薄膜的制备方法, 2019-12-08, 中国, 8.6.
(4) 姜礼华;谭新玉;肖婷;向鹏; 一种单晶硅太阳能电池减反钝化膜的制备方法, 2019-04-30, 中国, 6.4.
(5) 姜礼华; 李明明; 孙宜华; 谭新玉; 肖婷; 向鹏; 一种固态荧光碳量子点的制备方法, 2019-12-3, 中国, 20**.