教师个人信息姓名：刘扬性别：男职称：教授学位：研究生毕业学校：吉林大学联系电话：Office:020-84113596,电子邮件：liuy69@mail.sysu.edu.cn个人主页：所在学科主要研究方向所在学科：微电子学与固体电子学、光学工程
研究方向：宽禁带III族氮化物半导体材料与器件研究，具体包括以下几个方面：
1.应用于GaN基电力电子器件的III族氮化物半导体材料MOCVD外延生长及材料物性研究
2.GaN基光电器件的制备及其器件物理的研究
3.功率型GaN基肖特基势垒二极管(SBD)的制备及其器件物理的研究
4.功率型GaN基场效应开关晶体体管(FET)的制备及其器件物理的研究
5.GaN基MOSFET用绝缘栅介质材料特性及MOS界面特性的研究
6.新型GaN电力电子器件在电源管理、光伏逆变、电机驱动等方向的系统集成技术研究
招生计划：每年计划招收博士后1-2名，博士研究生2-3名，硕士研究生3-5名
教学科研情况刘扬，中山大学物理科学与工程技术学院教授，博士生导师。1991年、1994年和2000年于吉林大学电子科学与工程学院微电子学和固体电子学专业分别获得学士、硕士和博士学位。2001年赴日本名古屋工业大学纳米器件与系统研究中心访问研究，2002年-2004年被聘为日本学术振兴会(JSPS)外国人特别研究员。在日期间主要从事GaN基发光器件及电力电子器件的MOCVD外延生长和器件制作研究，承担完成日本文部科学省和日本企业横向课题多项。2007年5月作为中山大学“百人计划”引进人才，受聘于中山大学理工学院，并全面负责GaN电力电子器件的外延、器件制备及其系统集成技术的研究工作。

本科教学课程:《半导体物理》《半导体光电器件》《微电子学导论》。
承担课题中山大学百人计划引进人才研究项目(2007)
中山大学后备重点课题项目(2008)
广东省粤港招标项目(2009)
国家973项目子课题(2011)
国家863项目(2011)
国家自然科学基金面上项目(2012)
教育部博士点基金项目(2012)
国家科技部国际合作与交流专项项目(2012)发表论文1.Y.Liu,T.Egawa,andH.Jiang“Enhancement-modequaternaryAlInGaN/GaNHEMTwithnon-recessed-gateonsapphiresubstrate”ElectronicsLetters,Vol.42,pp.884(2006.07)2.YangLiu,TakashiEgawa,HaoJiang,BaijunZhangandHiroyasuIshikawa“NovelQuaternaryAlInGaN/GaNHeterostructureFieldEffectTransistorsonSapphireSubstrate”JapaneseJournalofAppliedPhysics,Vol.45,pp.5728(2006.07)3.Y.Liu,H.Jiang,T.Egawa,B.Zhang,andH.Ishikawa“AlcompositiondependentpropertiesofquaternaryAlInGaNSchottkydiodes”JournalofAppliedPhysics,Vol.99,pp.123702(2006.06)4.H.Jiang,T.Egawa,M.Hao,Y.Liu“ReductionofthreadingdislocationsinAlGaNlayersgrownonAlN/sapphiretemplatesusinghigh-temperatureGaNinterlayer”,AppliedPhysicsLetters,Vol.87,pp.241911(2005.12)5.Y.Liu,H.Jiang,S.Arulkumaran,T.Egawa,B.ZhangandH.Ishikawa“DemonstrationofundopedquaternaryAlInGaN/GaNheterostructurefield-effecttransistor”,AppliedPhysicsLetters,Vol.86,pp.223510(2005.05).6.BaijunZhang,TakashiEgawa,HiroyasuIshikawa,YangLiu,andTakashiJimbo“Thin-filmInGaNmultiple-quantum-welllight-emittingdiodestransferredfromSi(111)substrateontocoppercarrierbyselectivelift-off”,AppliedPhysicsLetters,Vol.86,No.7,pp.071113(2005.02).7.Y.Liu,T.Egawa,H.Jiang,B.Zhang,H.IshikawaandM.Hao“NearidealSchottkycontactonquaternaryAlInGaNepilayerlattice-matchedwithGaN”,AppliedPhysicsLetters,Vol.85,No.24,pp.6030-6032,(2004.12).8.YangLiu,TakashiEgawa,HiroyasuIshikawa,BaijunZhangandMaoshengHao“InfluenceofgrowthtemperatureonquaternaryAlInGaNepilayersforultravioletemissiongrownbymetalorganicchemicalvapordeposition”,JapaneseJournalofAppliedPhysics,Vol.43No.5A,pp.2414-2418,(2004.05).9.BaijunZhang,TakashiEgawa,HiroyasuIshikawa,YangLiuandTakashiJimbo“ThermalstabilityofInGaNmultiple-quantum-welllight-emittingdiodesonanAlN/sapphiretemplate”,JournalofAppliedPhysics,Vol.95,No.6,pp.3170-3174,(2004.03).10.YangLiu,TakashiEgawa,HiroyasuIshikawa,HaoJiang,BaijunZhang,MaoshengHaoandTakashiJimbo“High-temperature-grownquaternaryAlInGaNepilayersandmultiplequantumwellsforultravioletemission”,JournalofCrystalGrowth,Vol.264,Issue1-3,pp.159-164,(2004.03).11.YangLiu,TakashiEgawa,HiroyasuIshikawaandTakashiJimbo“Growthandcharacterizationofhigh-qualityquaternaryAlInGaNepilayersonsapphire”,JournalofCrystalGrowth,Vol.259,Issue3,pp.245-251,(2003.12).12.BaijunZhang,TakashiEgawa,YangLiu,HiroyasuIshikawaandTakashiJimbo“InGaNmultiple-quantum-welllight-emittingdiodesonanAlN/sapphiretemplatebymetalorganicchemicalvapordeposition”,physicastatussolidi(c),Vol.0,Issue7,pp.2244-2247,(2003.11).13.YangLiu,TakashiEgawa,HiroyasuIshikawaandTakashiJimbo“High-qualityquaternaryAlInGaNepilayersonsapphire”,PhysicaStatusSolidi(a),Vol.200,Issue1,pp.36-39,(2003.10).14.BaijunZhang,TakashiEgawa,HiroyasuIshikawa,YangLiuandTakashiJimbo“High-BrightInGaNMultiple-Quantum-wellBlueLight-EmittingDiodesonSi(111)UsingAlN/GaNMutilayerswithaThinAlN/AlGaNBufferLayer”,JapaneseJournalofAppliedPhysics,Vol.42,No.3A,pp.L226–L228,(2003.03).15.GuotongDu,ChengdongXu,YangLiu,YongshengZhaoandHaisongWang“High-PowerIntegratedSuperluminescentLightSource”,IEEEJournalofQuantumElectronics,VOL.39,No.1,pp.149-153,(2003.01).16.YangLiu,JunfengSong,YupingZeng,BinWu,YuantaoZhang,YingQian,YingzhiSunandGuotongDu“Highpower1.5mintegratedsuperluminescentlightsourcewithtiltedridgewaveguide”,OpticalandQuantumElectronics,Vol.33,No.12,pp.1233-1239,(2001.12).17.YangLiu,JunfengSong,YupingZeng,BinWu,YuantaoZhang,YingQian,YingzhiSunandGuotongDu“HighPower1.5mInGaAsP/InPIntegratedSuperluminescentLightSource”,ChinesePhysicsLetters,Vol.18,No.8,pp.1074-1077,(2001.08).18.YangLiu,JunfengSong,YupingZeng,BinWu,YuantaoZhang,YingQian,YingzhiSunandGuotongDu“HighPower1.5mInGaAsP/InPStrainedQuantumWellsIntegratedSuperluminescentLightSourcewithTiltedStructure”,JapaneseJournalofAppliedPhysics,Vol.40,Pt1,No.6A,pp.4009-4010,(2001.06).19.YangLiu,KunLiu,JunfengSong,YuchunChang,BonanKang,JingzhiYinandGuotongDu　“1.3mIntegratedsuperluminescentlightsource”,OpticalMaterials,Vol.14,Issue3,pp235-238,(2000.07).20.JunfengSong,YanpingFu,YangLiu,YuchunChang,BonanKang,JiangzhiYin,XuemeiLiandGuotongDu“Analysisofcharacteristicsofverticalcavitysurface-emittinglaserswithamodifiedrateequation”,OpticalMaterials,Vol.14,Issue3,pp217-221,(2000.07).21.YongshengZhao,WeihuaHan,JunfengSong,XuemeiLi,YangLiu,DingsanGaoandGuotongDu“SpontaneousEmissionFactorforSemiconductorSuperluminescentDiodes”,JournalofAppliedPhysics,Vol.85,No.8,pp.3945-3948,(1999.04).