教师个人信息姓名：张佰君性别：男职称：教授学位：研究生毕业学校：吉林大学联系电话：020-84113596电子邮件：zhbaij@mail.sysu.edu.cn,bjzhang@gmail.com个人主页：所在学科主要研究方向光学工程学科研究方向：宽禁带半导体材料与器件。主要包括：硅衬底GaN基半导体材料生长；硅衬底GaN基蓝光、绿光及紫外发光二极管（LED）的制作；蓝宝石衬底GaN基半导体材料生长及器件制作。每年计划招收博士后1-2名，博士研究生2-3名，硕士研究生4-5名。教学科研情况张佰君，男，1971年7月生。现任中山大学物理科学与工程技术学院教授，博士生导师。1997年12月，毕业于吉林大学并获得博士学位。主要从事1.3微米高速高功率InGaAsP/InP半导体激光器的研究工作。1998年3月至2000年5月，中国科学院半导体研究所，博士后。主要从事半导体激光器芯片高频特性测试及高速封装；DFB激光器与EA调制器集成技术。2000年5月至2002年5月，日本名古屋工业大学极微构造器件研究中心，日本学术振兴会（JSPS）特别研究员。主要从事硅衬底GaN基发光二极管（LED）的研究工作。2002年5月至2006年8月，日本名古屋工业大学纳米器件与系统研究中心（原极微构造器件研究中心）研究员。主要从事硅衬底GaN基发光二极管（LED）的研究工作。2006年9月至今，中山大学，教授。教学课程:《现代光电子材料器件微加工技术基础》承担课题1.中山大学“百人计划”人才引进科研启动项目2.国家“863”计划重大项目“半导体照明工程”项目发表论文近年发表的论文：1.B.Zhang,T.Egawa,G.Y.Zhao,N.Nishikawa,M.Adachi,H.Ishikawa,T.Jimbo,andM.Umeno,Appl.Phys.Lett.,Vol.79,pp.2567-2569(2001)2.B.Zhang,T.Egawa,H.Ishikawa,N.Nishikawa,T.Jimbo,andM.Umeno,Phys.Stat.Sol.(a)188,No.1,pp.151-154(2001).3.G.Wang,T.Ogawa,K.Murase,K.Hori,T.Soga,B.Zhang,G.Zhao,H.Ishikawa,T.Egawa,T.Jimbo,andM.Umeno,Jpn.J.Appl.Phys.Vol.40(8),Part1,pp.4781-4784(2001).4.T.Egawa,B.Zhang,N.Nishikawa,H.Ishikawa,T.Jimbo,andM.Umeno,J.Appl.Phys.,Vol.91,No.1,pp.528-530(2002).5.B.Zhang,T.Egawa,H.Ishikawa,Y.Liu,andT.Jimbo,Jpn.J.Appl.Phys.Vol.42,Part2,3A,pp.L226-L228(2003).6.B.Zhang,T.Egawa,Y.Liu,H.Ishikawa,andT.Jimbo,Phys.Stat.Sol.(c)0,No.7,pp.2244-2247(2003).7.H.Ishikawa,B.Zhang,T.Egawa,andT.Jimbo,Jpn.J.Appl.Phys.Vol.42,Part1,No.10,pp6413-6414,(2003).8.B.Zhang,T.Egawa,H.Ishikawa,Y.Liu,andT.Jimbo,J.Appl.Phys.,Vol.95,No.6,pp.3170-3174(2004).9.Y.Liu,T.Egawa,H.Ishikawa,B.Zhang,andM.Hao,Jpn.J.Appl.Phys.Vol.43,Part1,5A,pp.2414-2418(2004).10.Y.Liu,T.Egawa,H.Ishikawa,H.Jiang,B.Zhang,M.Hao,andT.Jimbo,JournalofCrystalGrowth,264(1-3),pp.159-164(2004).11.H.Ishikawa,K.Asano,B.Zhang,T.Egawa,andT.Jimbo,Phys.Stat.Sol.(a)201,No.12,pp.2653-2657(2004).12.H.Ishikawa,B.Zhang,K.Asano,T.Egawa,andT.Jimbo,JournalofCrystalGrowth,272,pp.322-326(2004).13.Y.Liu,T.Egawa,H.Jiang,B.Zhang,H.Ishikawa,andM.Hao,Appl.Phys.Lett.85,6030(2004).14.M.Hao,H.Ishikawa,B.Zhang,T.Egawa,PhysicaStatusSolidi(c),1(10),2397-2400,(2004).15.Y.LiuH.Jiang,S.Arulkumaran,T.Egawa,B.Zhang,andH.Ishkawa,Appl.Phys.Lett.86,223510(2005).16.B.Zhang,T.Egawa,H.Ishikawa,Y.Liu,andT.Jimbo,Appl.Phys.Lett.,Vol.86,071113(2005)17.T.Egawa,B.Zhang,H.Ishikawa,IEEEElectronDeviceLetters,Vol.26,pp.169-171(2005).18.Y.Liu,H.Jiang,T.Egawa,B.Zhang,andH.Ishikawa,JournalofAppliedPhysics,Vol.99,pp.123702(2006.06)19.Y.Liu,,H.Jiang,B.ZhangandH.Ishikawa,T.EgawaJapaneseJournalofAppliedPhysics,Vol.45,pp.5728(2006.07)