导师姓名
俞挺
性别
男
职称
副研究员
专业名称
微电子学与固体电子学
导师类别
□博导□硕导
所在单元
集成电子研究中心
是否兼职
□是□否
招生专业
□物理化学（含化学物理）□生物化学与分子生物学□信号与信息处理□模式识别与智能系统□计算机应用技术□材料工程□电子与通信工程□控制工程□计算机技术□生物工程
研究方向
微电子、MEMS传感器
在研课题
“面向物联网应用的硅微加工电容式超声传感器的关键技术研究”，深圳市基础研究计划重点项目
“基于标准CMOS工艺的电容式微加工超声传感器的关键技术研究”，深圳市基础研究计划项目
“深圳市物联网公共技术平台”，深圳市生物、互联网、新能源产业发展专项资金项目
个人简历
2005年获得新加坡南洋理工大学微电子学专业博士学位。硕、博士期间参与多项科研项目，具有丰富的薄膜制备，集成电路制作和MEMS工艺经验。博士期间主要从事纳米CMOS器件中介电薄膜应用研究，参加了新加坡教育部“PyroelectricThinFilmMicro-IRSensors/ArrayandPiezoelectricMicro-ActuatorsUsingSurfaceMicro-MachiningandLaser-MBETechnology”课题的研究；2005年至2006年，在香港理工大学应用物理系任职researchfellow期间，参加了香港科技创新基金项目“Piezoelectricmaterialsapplicationformedicalandindustrialdevice”的研究；2006年底进入中国科学院深圳先进技术研究院后，主要从事MEMS微传感器的研究工作。现主持承担国家863基金项目、深圳市基础研究计划项目等，并以科研骨干参与国家科技03重大专项、多项深圳市基础研究计划项目、深港创新圈项目等。
主要科研成果及所获荣誉
发表SCI/EI收录学术论文将近40篇，论文被引用近200次，同时申请发明专利5项，已获得授权发明专利3项。
其他
联系方式
邮箱
Ting.yu@siat.ac.cn
电话
个人主页
备注
Name
TingYu
Positions
Academictitle
Associateprofessor
E-mail
Ting.yu@siat.ac.cn
Phone
PersonalWebsite
Resume
DrTingYureceivedhisPh.DdegreefromNanyangTechnologicalUniversity(Singapore)at2005.From2005to2006,hejoinedtheHongKongITFfund“Piezoelectricmaterialsapplicationformedicalandindustrialdevice”asresearchfellow.AfterenteredSIATat2006,hismajorresearchinterestingincludingMEMSsensor,microelectronics.
Direction
MEMSsensor,microelectronics
Achievements
DrYuhasbeenpublishedfor33SCI/EIarticles.Thesearticlesareindexedabout200times.Healsohasacquired3inventionpatents.
Article
[1]TingYu,WenchaoZhou,PengXu,FengqiYuand;“TheoreticalinvestigationonthedynamicperformanceofCMUTfordesignoptimization”,acceptedbyActaMechanicaSolidaSinica,2012.
[2]TingYu,Xingqiang.Lu,andFengqiYu,“Dual-bottom-electrodeCMUTBasedonStandardCMOSProcess”,acceptedby6thIEEEInternationalConferenceonNano/MicroEngineeredandMolecularSystems，NEMS2011,18-23Feb2011.
[3]BenxianPeng,TingYu,andFengqiYu;“SpiceModelonHighFrequencyVibrationforCMUTApplication”,acceptedby3rdInternationalConferenceonMechanicalandElectricalTechnology(ICMET)2011,26-27,August.
[4]Peng.Xu,TingYu,andFengqiYu,“InvestigationofResidualStressInfluenceonCMUTinStandardCMOSProcess”,InternationalConferenceonElectricInformationandControlEngineering(ICEICE2011),2011,pp.495-498.
[5]Peng.Xu,TingYu,FengqiYu,“StudyonFatigueofCMUTinStandardCMOSProcess”,acceptedbyIEEEInternationalConferenceonComputerScienceandInformationTechnology(ICCSIT2011),Chengdu,2011,China.
[6]T.Yu,K.W.Kwok,andH.L.W.Chan,“Preparationandpropertiesofsol–gel-derivedBi0.5Na0.5TiO3lead-freeferroelectricthinfilm”,ThinSolidFilms,Vol.515,Issues7-8,26February2007,pp.3563-3566.
[7]T.Yu,K.W.Kwok,andH.L.W.Chan,“Thesynthesisoflead-freeferroelectricBi0.5Na0.5TiO3–Bi0.5K0.5TiO3thinfilmsbysol–gelmethod”,MaterialsLetters,Vol.61,no.10,April2007,pp.2117-2120.
[8]T.Yu,C.H.Chen,Y.K.Lu,X.F.Chen,W.Zhu,andR.G.Krishnan,“Preparationofsol-gel-derivedCa1-xSrxZrO3perovskitedielectricthinfilms”,J.Electroceram,Vol18,no.1-2,April2007,pp.149-154.
[9]T.Yu,K.W.Kwok,andH.L.W.Chan,“Sol-gelderivedlead-freepiezoelectricBi1/2Na1/2TiO3thinfilmforMEMSapplications”,IEEEInternationalSymposiumontheApplicationsofFerroelectrics,ISAF'06,30July.2006,pp.1-3.
[10]T.Yu,W.G.Zhu,C.H.Chen,X.F.Chen,andR.G.Krishnan,“FabricationandcharacterizationofperovskiteCaZrO3oxidethinfilms”,CeramicsInternational,Vol.30,2004,1279.
[11]T.Yu,W.G.Zhu,C.H.Chen,X.F.Chen,andR.G.Krishnan,“Preparationandcharacterizationofsol-gelderivedCaZrO3dielectricthinfilmsforhigh-kapplications”,PhysicaB,348(2004)440.
[12]W.Zhu,T.Yu,C.H.Chen,X.F.ChenandR.G.Krishnan,“Preparationandcharacterizationsofhigh-k(Ca,Sr)ZrO3gatedielectricthinfilmsbysol-geltechnology”，IntegratedFerroelectrics,61(2004)25.
[13]C.H.Chen,W.Zhu,T.Yu,X.F.Chen,andX.Yao,“PreparationandcharacteristicstudyofMODderiveddielectricSrZrO3thinfilms”,Ferroelectrics,292(2003)29.
[14]C.L.Yuan,T.Yuetal.,“TheeffectofFedopingonthemagnetoresistivebehavioroflayeredperovskitesLa1.4Ca1.6Mn2O7”，Phys.Stat.Sol.(a)178,771(2000).
[15]TingYu,WenhaiSongetal.,“Insulator-MetalTransitionandColossalMagnetoresistanceinGranularLayeredPerovskitesLa2-2xCa1+2xMn2O7”，Phys.Stat.Sol.(a)172,451(1999).
[16]C.L.Yuan,S.G.Wang,W.H.Song,T.Yuetal.,“EnhancedintergraintunnelingmagnetoresistanceindoubleperovskiteSr2FeMoO6polycrystalswithnanometer-scaleparticles”，Appl.Phys.Lett75,3853(1999).
[17]T.Yu,W.G.Zhu,X.F.ChenandY.K.Lu,“LeakagecurrentbehaviorinCaZrO3thinfilmsforhigh-kapplications”,2004MRSspringmeeting,SanFrancisco,USA,April2004.
[18]T.Yu,C.H.Chen,X.F.Chen,W.G.Zhu,andR.G.Krishnan,“Preparationandcharacterizationsofhigh-kgatedielectricCaZrO3thinfilmsbysol-geltechnology”,CharacterizationandMetrologyforULSITechnology2003InternationalConference,Austin,TX,USA,March2003.
[19]YundongWu,RongChen,WenjianJiang,TingYu,FengqiYu;“ANovelInfraredSensorStructurecompatibletoStandardCMOSProcess”,InternationalConferenceonModeling,SimulationandVisualizationMethods,WMSVM2010,May15-16,2010,Sanya,China,pp.254-257.
[20]RongChen,TingYu,FengqiYu,andYuchunFeng;“ThermalDesignandAnalysisofUncooledInfraredSenorinStandardCMOS”,5thIEEEInternationalConferenceonNano/MicroEngineeredandMolecularSystems，NEMS2010,20-23Jan,pp.475-478.
[21]BenxianPeng,TingYu,FengqiYu,andYuchunFeng;“ACompactForceSensorwithLowTemperatureDriftDesignUsingaStandardCMOSProcess”,5thIEEEInternationalConferenceonNano/MicroEngineeredandMolecularSystems，NEMS2010,20-23Jan,pp.806-809.
[22]DasongPeng,TingYu,FengqiYu;“Animproved2-DANSYSsimulationmodelforSAW”,4thIEEEConferenceonIndustrialElectronicsandApplications,ICIEA2009,25-27May2009,pp.332-335.
[23]DasongPeng,TingYu,FengqiYu;“AdesignmethodologyforRFIDSAWtag”,InternationalColloquiumonComputing,Communication,Control,andManagement,CCCM2009,8-9Aug.2009,Vol2,pp.266-269.
[24]BenxianPeng,TingYu,FengqiYu,andYuchunFeng;“Ahighperformancevibrationsensorwithextendedfloatinggate”,InternationalConferenceonInformationandAutomation,ICIA'09,22-24June2009,pp.1608-1612.
[25]XingqiangLu;TingYu,FengqiYu;YuchunFeng;“InvestigationofthermalstressinfluenceonCMUTinstandardCMOSprocess”,InternationalConferenceonInformationandAutomation,ICIA'09,22-24June2009,pp.1447-1451.
[26]BenxianPeng,TingYu,andFengqiYu;“Designoftemperaturecontrolledmicro-hotplateforCMOSCOsensor”,3rdIEEEInternationalConferenceonNano/MicroEngineeredandMolecularSystems,NEMS2008.,6-9Jan.2008,pp.895-898.
[27]BenxianPeng,TingYu,andFengqiYu;“HighPerformanceSON-LDMOSforRFPowerAmplifierApplication”,CircuitsandSystemsforCommunications,2008.ICCSC2008.4thIEEEInternationalConferenceon,26-28May.2008,pp.60-64.
[28]WenchaoZhou,TingYu,andFengqiYu;“A1-DlumpedtheoreticalmodelforCMUT”,IEEE/ASMEInternationalConferenceonAdvancedIntelligentMechatronics,AIM2008,2-5July,2008,pp.318-322.
[29]WenchaoZhou,TingYu,andFengqiYu;“A1-DTheoreticalReceivingModelforCMUT”,InternationalConferenceonIntelligentComputationTechnologyandAutomation(ICICTA),Oct.2008,Vol.1,no.20-22,pp.529-534.
[30]WenchaoZhou,TingYu,andFengqiYu;“CalculationofequivalentparametersinCMUT1-Dtheoreticalmodel”,UltrasonicsSymposium,IUS2008,2-5Nov.2008,pp.491-495.
[31]BenxianPeng,TingYu,andFengqiYu;“ANovelProcessofSilicon-on-NothingMOSFETswithDoubleImplantation”,IEEEInternationalConferenceonIntegrationTechnology,ICIT'07,20-24March.2007,pp.237-240.
[32]BenxianPeng,TingYu,andFengqiYu;“Low-voltagevibrationsensorinstandardCMOSprocess”,IEEEInternationalConferenceonRoboticsandBiomimetics,ROBIO2007,15-18Dec.2007,pp.1512-1516.
[33]W.Zhu,T.Yu,C.H.Chen,andR.G.Krishnan,“Preparationandcharacterizationsofhigh-k(Ca,Sr)ZrO3gatedielectricthinfilmsbysol-geltechnology”,The10thEuropeanMeetingonFerroelectricity,Cambridge,UK,August2003.
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深圳先进技术研究院研究生导师介绍俞挺
深圳先进技术研究院 免费考研网/2012-11-04
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