尹以安

尹以安，博士，副研究员，硕士生导师。2008年厦门大学凝聚态物理专业博士毕业。主要从事新型结构蓝、绿、紫LED、太阳能电池及可见光通信方面的研究工作。近几年年发表论文30多篇。申请发明专利多项。主持包括广东省科技计划、广东省自然科学基金、广东省产学研、广州市科技计划等在内的多个科研项目。


联系电话：-809；
邮箱：**@m.scun.edu.cn








厦门大学物理与机电学院 博士学位
2008.7
华南师范大学光电子材料与技术研究所，从事新型宽阱带半导体光电子材料与器件及可见通信方面研究工作。
2008.7~至今
美国Unversity of South Dakato 物理系作访问****


012年-2013年






广东省公益能力与建设专项资金项目，2015A，面向高效紫外光 AlGa(In)N材料的极化掺杂及改善器件性能研究，主持

2015/01-2017/12
广东省省部产学研项目，2011B，高亮度功率AlGaInP四元系LED芯片结构设计及制备,主持
2011/09-2013/10
广东省自然科学基金项目，S50，基于AlInN材料的高质量P型掺杂及紫外LED的研制，已结题，主持
2011/10-2013/10
广州市科技计划一般项目，9，极化诱导掺杂 Al(Ga)InN及其增强紫外LED发光效率研究
2011/10-2013/10

广东省科技计划重大项目，2015B，通信照明共用的白光LED器件和集成模块关键技术的开发，负责人之一
2016/01-2018/12
国家自然科学基金项目，**，高可控GaN基纳米线及其异质核壳结构的生长与性能研究，参与
2015/01-2018/12



1)Li Liu,Yi-anYin*,Yong Zhang，High quality (In)GaN ?lms on homoepitaxial substrates,Superlattices and Microstructures 102 (2017) 166 e 172
2) Shanlin Wang，Yi-anYin*，Naiyin WangGraded AlGaN/AlGaN Superlattice Insert LayerImproved Performance of AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes,JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, VOL. 12, NO. 10, OCTOBER 2016
3) Yi-anYin，Naiyin Wang, Shuti Li，Yong Zhang and Guanghan Fan, Advantages of deep-UV AlGaN light-emitting diodes with an AlGaN/AlGaN superlattices electron blocking layer，Appl. Phys. A，Vo.119,Issue 1,pp 41-44,03，2015.
4）Yi-anYin，Naiyin Wang, Guanghan Fan, and Shuti Li，Advantages of GaN-Based Light-Emitting Diodes With Polarization-Reduced Chirped Multiquantum Barrier，IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 61, NO. 82849-2853, AUGUST 2014
5）Yi-anYin，Naiyin Wang,Yong Zhang and Guanghan Fan，Investigation of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes with composition-varying AlGaN multilayer barriers,Superlattice and Microstructures,76(2014)149-155
6) Wang, Naiyin，Yi-anYin*，Performance Analysis of GaN-Based Light-Emitting Diodes With Lattice-Matched InGaN/AlInN/InGaN Quantum-Well Barriers，Journal of Display Technology，2015，11（12）：1056-1060
7) Yun-Yan Zhang, Yi-An Yin*“Performance enhancement of blue light-emitting diodes with a special designed AlGaN/GaN superlattice electron-blocking layer”,Appl. Phys. Lett. 99, 221103 (2011)
8) Yun-Yan Zhang, Yi-An Yin*Performance enhancement of near-UV light-emitting diodes with an InAlN/GaN superlattice electron-blocking laye“，IEEE Electron Devices Lett., vol. 33, no. 7, pp. 994–996, Jul. 2012
9） Hailong Wang,Yian Yin*,Shuti Li,“Improvement of the crystal quality of AlInN by using the patterned sapphire substrate” Advances in Optoelectronics and Micro/Nano-Optics (AOM), 2010 OSA-IEEE-COS
10) Yian Yin, Baolin Liu, Baoping Zhang, Guoxing Lin, “The effect of surface layer of capping p-InGaN/p-GaN superlattices on the contact to p-GaN， supelattice and microstructure ，Vol.43，No.3:162–167，2008
11） Qing-Hong Zheng ，Yi-An Yin， Li-Hong Zhu,Jin Huang, Xiao-Ying Li and Bao-Lin Liu，“Tailoring the hole concentration in superlattices based on nitride alloys” ，Applied Physicis Letter，94，222104（2009）



1.“一种p-GaN低阻欧姆接触制备方法”，专利号：ZL53
2.“氮化镓基蓝光发光二极管”，公开号：CN**