邓辉
助理教授（副研究员）、 博士生导师 研究方向： 原子尺度超精密抛光，大气压等离子复合加工，电化学复合加工等
E-mail： dengh@sustech.edu.cn
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邓辉， 2016年2月毕业于日本大阪大学精密科学与技术专业，获得博士学位。之后加入新加坡制造技术研究院加工技术组，担任研究科学家（ResearchScientist），展开等离子辅助加工，电化学机械抛光等课题的理论研究和工业应用。主持日本以及新加坡科研项目多项，在制造领域顶级杂志International Journal of Machine Tools and Manufacture以及CIRP Annals-Manufacturing Technology上发表论文多篇。共三次在国际生产工程科学院年会（CIRP General Assembly）上作口头报告（2013，2014，2015）。2014年获得由日本工作机械技术振兴协会颁发的工作机械技术振兴奖。2015年获得由中国留学基金委颁发的国家优秀自费留学生奖学金。2016年获得由国际光学工程学会（SPIE）颁发的Rudolf Kingslake Award。
研究领域：
原子尺度超精密抛光，大气压等离子复合加工，电化学复合加工等。
教育经历：
◆2013.04~2016.03 大阪大学（日本），精密科学与技术专业 博士
◆2011.04~2013.03 大阪大学（日本），精密科学与技术专业 硕士
◆2006.09~2010.06 华中科技大学，机械设计制造及其自动化专业 学士
工作经历：
◆2017.07~至 今 南方科技大学机械与能源工程系 助理教授
◆2016.03~ 2017.06 新加坡制造技术研究院加工技术组 研究科学家
◆2013.04~2016.03 日本学术振兴会（JSPS） 特别研究员
◆2010.08~2011.03 大阪大学（日本），超精密科学研究中心 实验助理

所获荣誉：
◆2016.09， 国际光学工程学会（SPIE）颁发的Rudolf Kingslake Award（排名第三）
◆2015.02， 中国留学基金委颁发的国家优秀自费留学生奖学金
◆2014.10， 第十届中日超精密加工国际会议（CJUPM2014）最佳报告奖
◆2014.06， 日本工作机械技术振兴协会颁发的工作机械技术振兴奖（排名第一）
◆2014.05， 日本马扎克财团（Mazak）颁发的杰出论文奖
◆2013.11， 日本磨粒技术协会颁发的最佳报告奖
◆2013.03， 第九届中日超精密加工国际会议（CJUPM2013）优秀学生奖
◆2012.09， 第十届加工技术进展国际会议（ICPMT2012）最佳报告奖
◆2011.11， 第四届亚洲精密工程与纳米技术国际会议（ASPEN2011）最佳论文奖
◆2011年-2013年：住友电工财团奖学金
代表性学术论文：
(1)HuiDeng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Damage-free finishing of CVD-SiC by a combination of dry plasma etching and plasma-assisted polishing, International Journal of Machine Tools and Manufacture155 (2017) 38-46. (SCI, Q1)
(2)Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Atomic-scale and pit-free flattening of GaN by combination of plasma pretreatment and time-controlled chemical mechanical polishing, Applied Physics Letter107 (2015) 051602 1-4. (SCI, Q1)
(3)Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Plasma-assisted polishing of gallium nitride to obtain a pit-free and atomically flat surface, CIRP Annals-Manufacturing Technology64 (2015) 531-534. (SCI, Q1)
(4)Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Competition between surface modification and abrasive polishing: a method of controlling the surface atomic structure of 4H-SiC (0001), Scientific Reports5 (2015) 8947 1-6. (SCI, Q1)
(5)Hui Deng, K. Hosoya, Y. Imanishi, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Electro-chemical mechanical polishing of single-crystal SiC using CeO₂slurry, Electrochemistry Communications52 (2015) 5-8. (SCI, Q1)
(6)Hui Deng, K. Monna, T. Tabata, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Optimization of the plasma oxidation and abrasive polishing processes in plasma-assisted polishing for high effective planarization of 4H-SiC, CIRP Annals-Manufacturing Technology63 (2014) 529-532. (SCI, Q1)
(7)Hui Deng, Masaki Ueda and Kazuya Yamamura: Characterization of 4H-SiC (0001) surface processed by plasma assisted polishing, International Journal of Advanced Manufacturing Technology72 (2014) 1-7. (SCI, Q2)
(8)Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Comparison of thermal oxidation and plasma oxidation of 4H-SiC (0001) for surface flattening, Applied Physics Letter104 (2014) 101608 1-5. (SCI, Q1)
(9)Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Atomic-scale planarization of 4H-SiC (0001) by combination of thermal oxidation and abrasive polishing, Applied Physics Letter103 (2013) 111603 1-4. (SCI, Q1)
(10)Hui Deng and Kazuya Yamamura: Atomically Flattening Mechanism of 4H-SiC (0001) in Plasma-assisted Polishing, CIRP Annals-Manufacturing Technology62 (2013) 575-578. (SCI, Q1)
其他内容：
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