张国飙研究教授
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张国飚教授博士毕业于美国加州大学伯克利分校，是“三维存储”和“三维计算”领域的开拓者，提出了多项原创性概念。张教授曾任美国3D-ROM公司首席科学家，他2019年1月加入南方科技大学，任深港微电子学院研究教授。所获奖项包括：第四届中国创新创业大赛电子信息行业第一名（2015年）；106项中美授权发明专利，包括64项美国授权发明专利和42项中国授权发明专利。

联系方式：zhanggb@sustech.edu.cn

教育经历
1995年美国加州大学伯克利分校 博士
1992年美国加州大学伯克利分校 硕士
1986年 中国科技大学少年班本科

工作经历
2019年－迄今南方科技大学 深港微电子学院 研究教授
2001年－2018年美国3D-ROM公司，首席科学家
1996年－2001年，美国德州仪器公司（TI），高级设计工程师

研究简介
1 张博士是3D-ROM（最通用的3D-M）的发明人（1996年），并获得美国专利US 5,8385,396（1998年）。该专利为3D-M的基础专利，被该领域半数以上美国专利（~500项）引用，并被《EDN》杂志（全球发行量最大的电子类杂志）专题报道（2001年）。目前，张国飙团队在3D-M领域拥有60余项有权有效中美专利；
2 张博士以专利授权的方式，与美国Matrix半导体公司（总投资2亿美元）合作，量产了业界第一款3D-M产品——3D-OTP（2003年）。产品用于Mattel等公司的产品中，月销量百万颗级。Matrix半导体公司入选《Red Herring》杂志“100 Companies that will shape the future”（2002年）；
3 2015年，英特尔公司（美国最大的处理器商）和镁光公司（美国最大的存储器商）宣布将联合推出3D-XPoint存储技术，该技术被称为“未来十年最有突破性的存储技术创新”。基于TechInsights的初步分析，已证实3D-XPoint使用了张国飙团队的至少6项专利（2017年）。
4 张博士在业界首先提出“三维计算”的概念（PCT申请PCT/CN2017/075866、PCT/CN2017/077445和PCT/CN2017/080462）。三维计算充分利用3D-M三维集成的优势，提升网络安全、大数据分析、人工智能和超算的性能指标2个数量级以上,将用于下一代高性能处理器。

所获荣誉
第四届中国创新创业大赛 电子信息行业 第一名 （2015年）

代表文章
1. G. Zhang, "3D-ROM - A First Practical Step Towards 3D-IC", Semiconductor International,
July 2000
2. G. Zhang, "Improving IC Yield with Protective Ceramics", Semiconductor International, pp.
217-220, June 2000
3. G. Zhang; Y. King; S. Elfoukhy; E. Hamdy; T. Jing; P. Yu; C. Hu, "On-state reliability of
amorphous silicon antifuses", Proceedings of International Electron Devices Meeting, pp.
551-554, 1995
4. Guobiao Zhang; Chenming Hu; P. Y. Yu; S. Chiang; S. Eltoukhy; E. Z. Hamdy, "An
electro-thermal model for metal-oxide-metal antifuses", IEEE Transactions on Electron Devices,
Volume: 42, Issue: 8, pp. 1548-1558, 1995
5. G. Zhang; C. Hu; P. Yu; S. Chiang; S. Eltoukhy; E. Hamdy, "Reliable metal-to-metal oxide
antifuses", Proceedings of International Electron Devices Meeting, pp. 281-284, 1994
6. G. Zhang; C. Hu; P. Yu; S. Chiang; E. Hamdy, "Metal-to-metal antifuses with very thin silicon
dioxide films", IEEE Electron Device Letters, Volume: 15, Issue: 8, pp. 310 - 312, 1994
7. G. Zhang; C. Hu; P. Yu; S. Chiang; E. Hamdy, "Characteristic voltage of programmed
metal-to-metal antifuses", IEEE Electron Device Letters, Volume: 15, Issue: 5, pp. 166-168,
1994
8. J. H. Huang; G. B. Zhang; Z. H. Liu; J. Duster; S. J. Wann; P. Ko; C. Hu, "Temperature
dependence of MOSFET substrate current", IEEE Electron Device Letters, Volume:
14, Issue: 5, pp. 268-271, 1993