名称：马晓玉
职称：高级实验师
研究方向：智能系统的集成电路与器件，器件模型，数模混合电路
电邮：xiaoyuma0819@126.com
联系方式：


教育背景
2014至今 暨南大学 信息科学技术学院计算机应用技术攻读博士
2004/09 - 2006/06 暨南大学 通信与信息系统专业硕士
2000/09 - 2004/06 长春大学 计算机科学与技术专业 会计学专业双学士


工作经历
2007/01 - 2010/12 暨南大学信息科学技术学院 电子工程系 助理实验师
2011/01 - 2017/09 暨南大学信息科学技术学院 电子工程系 实验师
2017/10至今 暨南大学信息科学技术学院 电子工程系 高级实验师


讲授课程
数字电子技术实验，数字电路与系统设计基础实验，电子技术基础实验，电子技术综合实验


招生意向


科研成果

2．1. 主要教学改革项目（1）广东省高等教育学会实验室管理专业委员会 “基于协同育人模式的电子信息类专业学生创新能力培养与探索”，起止年月：2017年1月至2018年7月。
2）暨南大学教学改革项目：“基于协同模式的电子信息类专业探索与研究”，
起止年月：2016 年6 月至2017 年5 月。
申 2.申请专利：1）“基于分级报警的多功能老年人监护仪”
参3. 参与科研项目 参与国家自然科学基金两项，青年基金两项
参与广东省自然科学基金两项
参与广州市科技计划项目一项


（





研究论文
[1] Xiaoyu Ma, Junkai Huang, Jielin Fang, Wanling Deng . A compact model of the reverse gate-leakage current in GaN-based HEMTs. Solid-State Electronics, 2016, 126: 10-13. ( SCI收录 )
[2] Xiaoyu Ma, Songlin Chen, Wanling Deng, and Junkai Huang. Modeling of I-V characteristics in symmetric double-gate polysilicon thin-film transistors, AIP Advances，2017，6(7) : 065201. ( SCI收录 )
[3] Ma Xiaoyu, Deng Wanling, Huang Junkai. Explicit solution of channel potential and drain current model in symmetric double-gate polysilicon TFTs, Journal of Semiconductors, 2014,35(3): 032002. (EI收录)
[4] Xiaoyu Ma, Fei Yu, Wanling Deng , Junkai Huang. Physics-based Modeling of Gate-leakage Current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors. the 23rd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices -TFT Technologies and FPD Materials- (AM-FPD ’16). Kyoto, Japan: July 2016：157-159. (EI收录)
[5] Xiaoyu Ma, Wanling Deng, Junkai Huang. Explicit approximation of surface potential for fully-depleted polysilicon thin-film transistors. International Workshop on Junction Technology (IWJT 2012 ). Shanghai, China: May 2012：164-167.
[6] 马晓玉，邓婉玲，黄伟英，黄君凯.多维结构实践教学模式在电子信息类专业的实践. 实验室研究与探索.Vol.31,No.8, P364-366. 2012年8月.