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一、个人简述（限300字）
崔成强，教授，高级工程师。广州科技创新“****”引进人才 ，江苏省“双创人才”，苏州市姑苏领军人才；曾获新加坡李光耀顶尖研究奖，海外研究奖学金、中英友好研究奖学金；曾任中国兵器工业集团首席专家，安捷利实业和香港金柏科技首席技术官；香港科技大学霍英东研究院兼职教授；常州半导体照明国家重点实验室客座研究员，香港应用科学院顾问；曾主持国家02专项、863计划等多项科技攻关与技术创新项目。有着超过20年的微电子封装材料及工艺领域研究工作经历。截至2017年，已累计获得国内外授权发明专利32项，授权实用新型专利8项，申请发明专利64项。已在国内国际著名杂志期刊上发表论文110余篇。
主要成果：
卷带式高密度超薄柔性封装基板工艺研发与产业化（02专项）
基于高性能基板的第三代半导体封装技术研究（863计划）
高密度超薄直接倒置芯片
新一代高分辨率防抖摄像模块
嵌入式无源元器件MEMS功能模块
第三代半导体大功率LED封装基板
二、学科领域
微电子封装技术与材料
高密度封装基板制造技术与材料
第三代半导体封装材料
三、教育背景
1989/1-1991/3，英国埃塞克斯大学（University of Essex），电化学，博士
1983/9-1985/12，天津大学，电化学，硕士
1979/9-1983/7，天津大学，电化学工程，学士
四、工作经历
2016.09-至今，广东工业大学，机电工程学院，教授/博士生导师
2012.05-2016.08，安捷利实业有限公司，首席技术官（CTO）
2006.05-2012.05，香港金柏科技有限公司，首席技术官（CTO）
1995.05-2006.05，新加坡微电子研究所，研究员
1991.11-1995.05，新加坡国立大学，李光耀研究员
1990.07-1991.10，英国埃塞克斯大学，博士后
五、学术兼职
香港科技大学霍英东研究院，兼职教授
常州半导体照明国家重点实验室，客座研究员
香港应用科学院，顾问
六、主要荣誉
2015.10，江苏省“双创人才”
2014.12，苏州市“姑苏领军人才”
2013.06，广州市“创新创业领军人才”
七、代表性论文
Cu fully filled ultra-fine blind via on flexible substrate for high density interconnect, 31st IEMT’2006, Putrajaya, Malaysia, Page: 13-19, 8-10 November, 2006.
Cu fully filled ultra-fine blind via on flexible substrate for high density interconnect, 31st IEMT’2006, Putrajaya, Malaysia, 13-19, 8-10 November, 2006.
TBGA substrate for lead free and halogen-free application, 2004 International IEEE Conference on Asian green electronics (AGEC), City University of Hong Kong, Jan. 5-6, 2004.
Ultra-fine via with filled solid Cu, IPC/TPCA Conference: Flex &Chips, Taiwan, 9-10 November, 2004.
High density interconnect on flexible substrates, IEEE/CPMT dinner meeting, Santa Clara, 9 September, 2004.
Byron Chan, Alex C K So, Thomson Lee, Chee Cheung, Development of Two-Metal Layer Flexible Substrate for High Density IC Packaging , EMAP2000, Hong Kong, pp.326-329, 2000.
XPS Study on RuO2 Electrode, J. Xiamen University (Natural Science), 27, 76-80, 1988.
Effects of Oxygen Reduction on Nickel Deposition from Unbuffered Aqueous Solutions, Part II—Characterization of the Electrode Interface in Electrodeposition", J. Electrochem. Soc., 142, 1132-1138, 1995.
Nickel Deposition from Unbuffered Neutral Chloride Solution in the Presence of Oxygen, Electrochim. Acta, 40, 1653-1662, 1995.
Degradation of Copolymers of Aniline and Metanilic Acid, Polymer Degradation and Stability, 43, 245-252, 1994.
Effect of Polyaniline on Oxygen Reduction in Buffered Neutral Solution, J. Electroanal. Chem., 367, 205-212, 1994.
Reactive Deposition of Ultrafine Cobalt Powders, Part Two—Effect of Preparation Condition, J. Materials Science, 29, 6495-6500, 1994.
Effects of Oxygen Reduction on Nickel Deposition from Unbuffered Aqueous Solutions, Part I—Deposition Process and Deposit Structure", J. Electrochem. Soc., 141, 2033-2038, 1994.
Reactive Deposition of Ultra-fine Cobalt Powders, Part I: Electrochemical Studies, J. Materials Science, 28, 461-468, 1993.
Extent of Incorporation of Hydrolysis Products in Polyaniline Films Deposited by Cyclic Potential Sweep, Electrochim Acta, 38, 1395-1404, 1993.
Origin of Difference between Potentiostatic and Cyclic Potential Sweep Deposition of Polyaniline, J. Electroanal. Chem., 346, 477-482, 1993.
Measurement of the Extent of Impurity Incorporation during Potentiostatic and Cyclic Potential Sweep Deposition of Polyaniline, Synthetic Metals, 58, 147-160, 1993.
Measurement and Evaluation of Polyaniline Degradation, Polymer Degradation and Stability, 41, 69-76, 1993.
八、主要著作
Moisture Sensitivity of Plastic Packages of IC Devices，14 May 2010，Springer
九、科研项目
广东省重大专项，高密度超薄柔性封装基板研发与产业化，2015 .01-2018.12，500万元，在研，参加
江苏省科技厅重大科技成果转化专项，卷带式高密度超薄柔性封装基板工艺研发与产业化，2015.01-2018.01，800万元，在研，技术负责人
国家863计划项目，基于高性能基板的第三代半导体封装技术研究，2015.01-2017.01，111万元，在研，技术骨干
国家科技重大专项（02），卷带式高密度超薄柔性封装基板工艺研发与产业化，2014.01-2017.12，8995.78万元，在研，主持
广州市科创委，面向移动互联网终端应用的核心芯片柔性封装基板开发及产业化，2014.01-2015.01，525万，已结题，主持
广州市科创委，高频高速光纤传模组基板的开发与产业化，2012-2014， 300万元，已结题，技术负责人
香港科技署，嵌入式被动元件封装基片的开发及产业化，2001.01-2004.01，2700万元，已结题，主持
新加坡电子封装研究联盟（EPRC），倒置芯片封装研究，1998.01-1999.01，325万元，已结题，主持
新加坡科技署，MCM-D 封装技术开发及产业化，1995.01-1999.01，10000万元，已结题，参与
十、知识产权
崔成强，一种新型的封装基板及其制作方法，2015.8.5，中国，ZL1.1
崔成强，王健，一种芯片的封装方法，2014.4.8，中国，3.7
崔成强，王健，一种用于芯片封装的引线框架的制备方法, 2014.4.8，中国，2.X
崔成强，一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法, 2014.8.26，中国，8.2
崔成强，一种新型的封装基板及其制作方法,2014.12.29，中国，PCT/CN2014/093408
崔成强，王健，陈勇，一种层间互联的工艺，2014.12.17，中国，4.5
崔成强，新型埋入元器件的封装结构及电路板，2014.12.24，中国，ZL7.9
崔成强，王健，一种封装芯片，2014.9.10，中国，ZL6.5
崔成强，韦嘉，袁长安，张国旗，制造发光二极管芯片的方法，2013.7.9，中国，9.5
崔成强，袁长安，张国旗，LED封装结构及其制作方法，2013.5.27，中国，7.8
崔成强，梁润园，韦嘉，袁长安，LED封装结构及其制作方法，2013.1.4，中国，5.4
崔成强，一种叠加电路板，2013.3.27，中国，ZL9.2
崔成强，黄洁莹，梁润园，袁长安，张国旗，一种LED 封装体的制作方法，2012.11.28，中国，ZL7.5
崔成强，梁润园，韦嘉，袁长安，LED芯片及制造方法，2012.12.28，中国，3.3
崔成强，一种柔性电路板的盲孔制作工艺，2012.8.16，中国，4.3
崔成强，一种耐外力作用的高可靠性的带凸包互连电路板，2012.11.21，中国，ZL2.7
崔成强，柔性无胶铜电路板基材及其制作工艺，2012.8.16，中国，9.7
崔成强，一种高密度线路板的制造工艺，2016.3.3，中国，ZL6.6
C.Q.Cui and Chee W Cheung, Multiple integrated circuit die package with thermal performance, US 7, 906,844, Mar. 15.2011
C.Q.Cui, Kai C. Ng and Chee W. Cheung, Die-up integrated circuit package with grounded stiffener , Aug. 11, 2009, US 7, 573,131
十一、联系方式
办公地点：广东工业大学大学城校区机电工程学院工学2号馆722室
通信地址：广州市番禺区广州大学城外环西路100号
邮政编码：510006
联系电话：**
电子邮箱: cqcui01@qq.com