肖鹏
Peng Xiao
博士

所属学院：
物理与光电工程学院

导师类别：
硕士生导师

科研方向：
光电材料与器件

联系方式：
xiaopeng@fosu.edu.cn

硕士招生学院：
物理与光电工程学院



个人简述
(限300字)
肖鹏，硕士生导师，佛山科学技术学院博士A岗。2016年毕业于华南理工大学，获工学博士学位，多年来致力于氧化物薄膜晶体管（MO-TFT）及其在有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）显示中的应用相关工作研究，主要包括新型MO材料的设计与开发、MO-TFT结构设计与器件制备、界面物理、界面修饰以及TFT-OLED显示集成等。在MO材料的设计与开发、薄膜制备技术、新型器件结构的开发、以及柔性MO-TFT相关的材料和仿真计算等方面积累了丰富的经验。目前的主要研究兴趣为印刷电子、新型光电材料及器件。主持（立项）国家自然科学基金青年基金1项，广东省自然科学基金博士启动项目1项，佛山市科技局项目1项、佛山科学技术学院高层次人才科研启动项目1项，参与多项国家 863、国家自然科学基金以及广东省重大科技项目，近五年发表SCI 收录论文30余篇，被引197余次。申请专利15件（发明：12件，实新：3件），其中授权发明专利2件、实新2件。参与撰写英文学术专著2部。担任ACS、IEEE、PSS等杂志审稿人。

教育背景
2016年6月 在华南理工大学 材料物理与化学专业硕博连读 获工学博士学位

工作经历
2016年8月至今佛山科学技术学院，物理与光电工程学院博士A岗/物理与照明系教工党支部副书记

主要荣誉
2015年 获华南理工大学优秀博士生创新基金三等奖
2014年 获华南理工大学优秀博士生创新基金二等奖
2015年 获第十四届“挑战杯”中航工业全国大学生课外学术科技作品竞赛二等奖
2015年 获第十三届“挑战杯”广东大学生课外学术科技作品竞赛特等奖

主要论文
（*代表通讯作者）
[1] Peng Xiao, Junhua Huang, Ting Dong, Jianing Xie, Jian Yuan, Dongxiang Luo and Baiquan Liu, “Room-Temperature Fabricated Thin-Film Transistors Based on Compounds with Lanthanum and Main Family Element Boron” Molecules2018, 23:1373.(SCI三区)
[2] Peng Xiao, Junhua Huang, Dong Yan, Dongxiang Luo, Jian Yuan, Baiquan Liu and Dong Liang, “Emergence of Nanoplatelet Light-Emitting Diodes”, Materials 2018, 11: 1376.(SCI 二区)
[3] Peng Xiao, Ting Dong, Jianing Xie, Dongxiang Luo, Jian Yuan and Baiquan Liu, “Emergence of White Organic Light-Emitting Diodes Based on Thermally Activated Delayed Fluorescence”Applied Sciences, 2018, 8(2): 299.（SCI三区）
[4] Peng Xiao, Ting Dong,Linfeng Lan, Zhenguo Lin, Wei Song, Dongxiang Luo, Miao Xu and Junbiao Peng, “High-mobility ZrInO thin-film transistor prepared by an all-DC-sputtering method at room temperature”, Scientific Reports, 2016, 6:25000.（Nature子刊）
[5] Peng Xiao, Ting Dong, Linfeng Lan, Zhenguo Lin, Wei Song, Erlong Song, Sheng Sun, Yuzhi Li, Peixiong Gao, Dongxiang Luo, Miao Xu, and Junbiao Peng “High-mobility flexible thin-film transistors with a low-temperature zirconium-doped indium oxide channel layer”Physica Status Solidi Rapid Research Letters, 2016, 10(6):493–497.（SCI二区）
[6]Peng Xiao, Linfeng Lan, Ting Dong, Zhenguo Lin, Sheng Sun, Wei Song and Junbiao Peng, “InGaZnO Thin-Film Transistors Modified by Self-Assembled Monolayer With Different Alkyl Chain Length” IEEE Electron Device Letters, 2015, 36: 687. （SCI二区）
[7]Peng Xiao, Linfeng Lan, Ting Dong, Zhenguo Lin, Wen Shi, Rihui Yao, Xuhui Zhu and Junbiao Peng, “InGaZnO thin-film transistors with back channel modification by organic self-assembled monolayers” Applied Physics Letters, 2014, 104:051607.（SCI二区TOP）
[8]Peng Xiao, Linfeng Lan, Ting Dong, Zhenguo Lin, Lei Wang, Honglong Ning and Junbiao Peng, “Effects of Solvent Treatment on the Characteristics of InGaZnO Thin-Film Transistors” ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2014, 3:Q3081.（SCI三区）
[9] Jian Yuan and Peng Xiao*, “Compositional effects of Na₂O, GeO₂, and Bi₂O₃, on 1.8?m spectroscopic properties of Tm³⁺, doped zinc tellurite glasses”Journal of Luminescence,2018, 196: 281–284.（SCI二区）
[10] Lirong Zhang, Xiang-Long Li, Dongxiang Luo*, Peng Xiao*, Wenping Xiao, Yuhong Song, Qinshu Ang and Baiquan Liu*, “Strategies to achieve high-performance white organic light-emitting diodes”Materials,2017, 10(12):1378.（SCI二区）


知识产权
（1）一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，专利申请号：7.4
（2）一种背沟道修饰型氧化物薄膜晶体管及其制备，专利申请号：4.1 （已授权）
（3）一种非掺杂白光发光层串联有机电致发光器件及其制作方法，专利申请号：0.7
（4）一种非掺杂白光发光层串联有机电致发光器件，专利申请号：6.0
（5）一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管及其制备方法，专利申请号：9.5
（6）一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，专利申请号：8.3 （已授权）
（7）薄膜晶体管及其制备方法，专利申请号：9.0
（8）有源层的制作方法、氧化物薄膜晶体管及其制作方法，专利申请号：7.8
（9）一种Nd³⁺/Ho³⁺共掺实现2.0μm激光的碲酸盐光纤及其制备方法，专利申请号：0.2
（10）非掺杂超薄发光层制备串联高效有机电致发光器件及其制备方法，专利申请号：8.2
（11）氧化物薄膜晶体管及其制备方法，专利申请号：9（已授权）
（12）一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，专利申请号：2X（已授权）
（13）湿法刻蚀型氧化物薄膜晶体管的制备方法及所制备的薄膜晶体管，专利申请号：20**
（14）一种氧化物半导体材料及薄膜晶体管，专利申请号：72
（15）氧化物半导体及其制造方法，专利申请号：23


科研项目
1、2018年国家自然科学基金青年基金“有机自组装分子修饰的高稳定性柔性氧化物薄膜晶体管研究”,24万；立项、主持
2、2018年广东省自然科学基金—博士启动“超柔、超薄自组装分子修饰的柔性氧化物薄膜晶体管研究”,10万，在研、主持
3、佛山市科技局项目“佛山市新型光电技术专利联盟建设”，20万；在研、主持
4、2017年佛山科学技术学院高层次人才科研启动项目“用于AMOLED显示的高迁移率薄膜晶体管的无铟有源材料研究”，20万；在研、主持