杨亮,男,1986年6月出生,中共党员,厦门理工材料科学与工程学院讲师。硕博连读于2013年获得华中科技大学工学博士学位,自2008年以来,一直从事功能材料、LED封装材料的制备、表征及封装工艺研究。近年来参与国家自然科学基金、湖北省自然科学基金、02重大专项等课题;在国内外著名刊物上发表论文十余篇,其中SCI收录4篇,EI收录6篇,申请国家发明专利2项。
主要研究领域:
[1] LED封装材料和封装工艺的研究;
[2] 先进荧光粉涂覆技术研究;
[3] LED荧光粉的制备、表征及其封装测试。
近年来参与的主要科研项目:
[1] 湖北省自然科学基金:基于圆片键合的直接白光LED芯片技术研究(批准号:2011CHB009);2012.1-2013.12,参与。
[2] 国家自然科学基金项目:大功率LED制造关键科学技术;2009.01-2013.12,参与。
近年来发表的代表性学术论著:
[1]LiangYang,MingxiangChen,ZhichengLv,SiminWang,XiaogangLiu,ShengLiu.PreparationofaYAG:Cephosphorglassbyscreen printingtechnologyanditsapplicationinLED.OpticsLetters,2013,38(13):2240-2243. (SCI)
[2]LiangYang,SiminWang,ZhichengLv,ShengLiu.Colordeviation controllingofphosphorconformalcoatingbyadvancedspraypainting technologyforwhiteLEDs.AppliedOptics,2013,52(10):2075-2079. (SCI)
[3]LiangYang,ZhichengLv,YuanJiaojiao,ShengLiu.EffectsofMF resinandCaCO3diffuserloadedencapsulationonCCTuniformity of the phosphorconvertedLEDs.AppliedOptics,2013. (SCI)
[4]LiangYang,MingxiangChen,ShengLiu.FabricationofGelGlassContainingHighRenderingPhosphorMixtureviaSol-GelProcessforLEDs.IEEEProc.OfECTC,2013,2371-2374.
[5]LiangYang,ZhichengLv,MingxiangChen,ShengLiu.CombinationofTranslucentEu:YAGGlassCeramicwithLEDchip.IEEEProc.OfECTC, 2012,2145-2149.
[6]LiangYang,MingxiangChen,ShanYu,ZhichengLv,ShengLiu.FabricationofYAGGlassCeramicandItsApplicationforLightEmitting Diodes. IEEEProc. of ICEPT-HDP,2012,1463-1466.
[7] LiangYang, MingxiangChen,Shengjun Zhou, ShengLiu. Preparation of Phosphor Glass via Screen Printing Technology and Packaged Performance for LEDs. IEEEProc.ofICEPT-HDP,2012, 1189 - 1192.
[8] Zhicheng Lv, Liang Yang, Jiaojiao Yuan, Jing Fang, Bin Cao, Sheng Liu, Study on Packaging Method Using Silicon Substrate with Cavity and TSV for Light Emitting Diodes, IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. (SCI)
[9] Yu Shan, Yang Liang, Cao Bin, Zheng Huai, Cheng Mingxiang, Liu Sheng. Development Process of Phosphor Coating with Screen Printing for White Light Emitting Diode Packaging. IEEE Proc. Of ICEPT-HDP, 2011, 1-5.
近年来获专利情况:
[1] 刘胜,汪学方,吕植成,袁娇娇,宋斌,杨亮. 一种硅通孔金属互联线电迁移测试结构. 实用新型专利,专利号:ZL2 (已授权)
[2] 刘胜,汪学方,吕植成,袁娇娇,宋斌,杨亮. 一种硅通孔金属互联线电迁移测试结构. 发明专利,专利号:0.5 (已授权)
[3] 刘胜,吕植成,汪学方,袁娇娇,刘孝刚,杨亮,陈飞,方靖,曹斌. 一种LED倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品,申请号:1.2 (审查中)
联系方式:
E-Mail: yangliang86@xmut.edu.cn
办公室电话:
通讯地址:福建省厦门市集美区理工路600号厦门理工学院材料科学与工程学院
邮 编:361024
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