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当前位置: 网站首页 > 研究生培养 > 导师简介 > 正文 导师介绍--黄辉祥
技术职称：副教授
所获学位：博士
研究方向：新型半导体器件、高可靠集成电路设计
联系电话：**
电子邮箱：hxhuang@xmut.edu.cn
个人简介：黄辉祥，男，博士，光电与通信工程学院（微电子学院）副教授；2014年毕业于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，获工学博士学位；主要研究领域为高性能、高可靠SOI材料、器件及电路；在SOI材料制备及改性、半导体器件仿真建模、抗辐照SOI集成电路设计等方向有较为深入的研究；承担国家自然科学基金青年项目、福建省自然科学基金青年项目、厦门理工学院引进高层次人才项目等多项科研项目；2017年入选福建省高校“****”人才资助计划；已发表论文10篇，申请专利4项。
教育经历：
2009/09-2015/06，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，微电子学专业，博士
2005/09-2009/06，西安交通大学，电子科学与技术系，学士
主持科研项目：
1. 福建省自然科学基金项目，0.13微米新型抗辐照SOI器件结构研究，2016/04-2019/03，4万
2. 国家自然科学基金青年项目，深亚微米SOI器件总剂量辐射模型及背栅加固技术研究，24万
3. 福建省教育厅，纳米SOICMOS器件单粒子瞬态及加固技术研究，7万
4. 厦门理工学院，新型抗辐射SOI器件及其模型研究，10万
5. 横向项目，氮化镓功率器件技术分析及模型验证软件开发，80万
代表性研究成果：
[1] Threshold Voltage Model of Total Ionizing Irradiated Short-Channel FD-SOI MOSFETs with Gaussian Doping Profile. IEEE Trans. Nucl. Sci. 2018(65): 2679-2690.
[2] Enhanced Radiation Hardness in SOI MOSFET With Embedded Tunnel Diode Layer. IEEE Trans. Nucl. Sci. 2017(66): 2369-2376.
[3] Hardening silicon-on-insulator nMOSFETs by multiple-step Si+ implantation. Microelectronics Reliability 2016(57): 1-9.
[4] Improving Total Dose Tolerance of Buried Oxides in SOI Wafers by Multiple-Step Si+ Implantation. IEEE Trans. Nucl. Sci. 2014(61): 1400-1406.
[5] Investigation of the Total Dose Response of Partially Depleted SOI nMOSFETs using TCAD Simulation and Experiment. Microelectron. J. 2014(45): 759-766.
[6] Total Dose Irradiation-Induced Degradation of Hysteresis Effect in Partially Depleted Silicon-on-Insulator nMOSFETs. IEEE Trans. Nucl. Sci. 2013(60): 1354-1360.
[7] The Enhanced Role of Shallow-Trench Isolation in Ionizing Radiation Damage of Narrow Width Devices in 0.2 μm PD SOI Technology. Chin. Phys. Lett. 2013(30): 080701-1-4.
[8] Influence of Drain and Substrate Bias on the TID Effect for Deep Submicron Technology Devices. J. Semicon. 2012(33): 044008-1-5.
[9] A Novel Partially-Depleted SOI Structure to Suppress Bipolar Amplification under Heavy Ion Radiation. RADECS 2016.
[10] A Novel Radiation-Tolerant SOI MOSFET with Tunnel Diode Layer. IWRRE-MNED2017.
[11] An Analytical Subthreshold Swing Model for fully-depleted MOSFETs with vertical Gaussian profile fabricated on modified silicon-on-insulator wafers. Microsystem Technologies. 2018.12