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Analytical model for capacitance-voltage characteristics of ion-implanted 4H silicon carbide Schottky barrier diodes WANG Shou-guo1,2, ZHANG Yan1 1.Dept.of Electronic and Information Engineering,Harbin Institute of Technology(Sh ...哈尔滨工业大学论文学报 本站小编 哈尔滨工业大学 2019-10-23Reactive magnetron sputtering of germanium carbide films at different substrate temperature
Reactive magnetron sputtering of germanium carbide films at different substrate temperature HU Chao-quan, WANG Yan-hui, GUO Long-fei, ZHENG Wei-tao Dept. of Materials Science,Key Laboratory of Mobile Materials,MOE,State Key Labo ...哈尔滨工业大学论文学报 本站小编 哈尔滨工业大学 2019-10-23VIP万种考研考证电子书、题库、视频随便看,每本不到一分钱!
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