半导体硅的Seebeck系数和电阻率测量SEEBECK COEFFICIENT AND ELECTRICAL RESISTIVITY OF SILICON 赵伟;侯清润;陈宜保;何元金; 1:清华大学物理系 2:清华大学物理系 3:清华大学物理系 4:清华大学物理系 北京100084 摘要(Abstract):
本文介绍了半导体硅的Seebeck系数和电阻率的测量,与Hall系数和电阻率测量实验相对应,从另一个方面了解半导体导电性能的一些特征.由Seebeck系数的正负号确定载流子的类型是P型还是N型.半导体内有两种导电机制:杂质导电和本征导电.在杂质导电区,可以确定晶格散射因子;在本征导电区,可以确定硅的禁带宽度.
关键词(KeyWords): 半导体硅;;Seebeck系数;;电阻率
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作者(Author): 赵伟;侯清润;陈宜保;何元金;
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参考文献(References): [1]卢玉峰,赵新兵,陈海燕,倪华良,李红星.Fe0.92Mn0.08Six半导体热电性能的研究.功能材料,2003,34(6):693
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半导体硅的Seebeck系数和电阻率测量
清华大学 辅仁网/2017-07-08
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