姓 名：李 强
技术职称：教授，博士生导师
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北京市, 海淀区，清华大学化学系，100084

主要学历：
1993年7月武汉工业大学材科专业，获工学博士学位
1988年7月武汉工业大学材科专业，获工学硕士学位
1985年7月上海交通大学材科专业，获工学学士学位

主要经历
1988年07月于武汉工业大学参加工作
1992年10月晋升为副研究员
1995年12月晋升为研究员
1997年10月获博士生导师资格
1999年11月获德国（DAAD）高访奖学金
2000年10月调入清华大学化学系

学术兼职：
中国材料研究学会（C-MRS）青年委员会常务理事

研究方向：
弛豫（反）铁电单晶（PLZST、PMNT、PZNT等）
磁性与超磁致伸缩单晶（Tb-Dy-Fe、Ce:YIG、（NiZn）Fe2O3 等）
新型晶体与晶体生长新技术（磁悬浮冷坩埚、籽晶坩埚下降等）
材料化学合成与新型功能材料探索

主要成果：
长期从事晶体生长和新型晶体材料的研究，在利用提拉法无污染磁悬浮冷坩埚技术生长稀土—铁超磁致伸缩单晶方面取得突破，解决了该类材料制备过程中的污染和孪晶——两个难题，制备出具有国际领先水平的大尺寸、高性能Tb-Dy-Fe单晶。该成果获国家发明专利，并荣获97年度国家发明三等奖。在对这类材料的微观结构研究中，首次发现了结构中可能存在的有序现象，并发展了单晶材料在不同的军工和民用领域的应用，该成果荣获96年度国家建材局部级科技进步二等奖。主持完成的“大容量磁悬浮冷坩埚晶体生长新技术”项目荣获99年度国家建材局部级科技进步二等奖。作为项目负责人，先后承担、完成“八·五”、“九·五”、“十·五”国家“863”高技术研究课题、国家军工和国家自然科学基金等国家级项目，在国内外学术刊物和学术会议上发表研究论文50余篇，获两项国家发明专利和三项鉴定成果。
94年10月获武汉工业大学首届“鼎盛”教育基金奖；94年12月获国家计委、国家科委和国家教委等11家单位联合授予的国家重点实验室“金牛奖”；95年10月荣获湖北省“十佳”青年科技奖。2000年1月获国务院政府特殊津贴

发明专利：
(1)“用磁悬浮冷坩埚提拉稀土-铁单晶的方法”
国家发明专利，ZL91108419.3
(2)“用磁悬浮冷舟制备高纯稀土的方法”
国家发明专利，ZL91108418.5

主要论文：
(1). “Growth of Tb0.27Dy0.73Fe2 magnetostrictive single crystals”
J. Crystal Growth, 1993, 128, 1092
(2). “A study of Ni base SMA single crystal”
Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials,
2000, 309-314
(3). “Magnetostriction of Dyo.6Tbo.3Pr0.1(Fe0.95Mn0.05)x alloys”
J. MMM, 1996, 164, 125
(4). “Structure and magnetostriction of R(Fe0.95Al0.05)x alloys”
J. MMM, 1996, 164, 343
(5). “A new model of magnetostrictive ‘jump’ in twinned Terfenol-D”
J. Applied Physics, 1993, 73(10), 6179
(6). “High precision actuator with Tb0.27Dy0.73Fe2 single crystal”
Materials for Smart System, edited by E.P.George, etal.,
MRS, USA, 1995, 360, 243
(7). “Study of boundary free Tb-Dy-Fe magnetostrictive materials”
Materials for Smart System, edited by E.P.George, etal.,
MRS, USA, 1995, 360, 183
(8).“Phase formation and transitions in the lead magnesium Niobate-lead titanate system”,
Materials Chemistry and Physics, 2004, 83, 135-139
(9). “Synthesis and structure transformation of orthorhombic LiMnO2 Cathode Materials by Sol-gel Method”
J. Mater Sci. Technol., 2004, 20(1), 46-48