张志刚,男,江苏宜兴人。2000年六月毕业南京大学物理系并获理学博士。期间参加了国家攀登计划和国家自然科学基金等多个项目的研究工作。 2000年11月至2002年10月在剑桥大学工程系从事非挥发铁电存储器的集成工艺和可靠性的研究。
2002年10月至2004年2月在瑞典皇家技术学院做高级访问, 研究压电材料用作喷墨打印头的驱动性能及铁电材料的微波应用等。2004年2月就职于清华大学微电子所工作。
通信地址:北京清华大学微电子学研究所,邮编100084 Tel.; Fax:; E-MAIL: zgzhang@tsinghua.edu.cn
研究方向为新材料、新器件及新集成工艺的研究、表征和开发。目前主要研究领域为:1)新型纳米晶非挥发存储器件的研究和开发; 2)high-k、SiGe及应变Si材料的生长及纳米尺度COMS等相关器件的研究;3)铁电材料与铁电存储器等的研究。在Appl. Phys. Lett. 等SCI杂志发表论文20余篇。